芯片又漲價(jià)，英特爾、高通、Marvell相繼宣布，現(xiàn)在芯片到底是緊缺還是過剩？

7月21日消息，今年以來，由于俄烏沖突、全球通貨膨脹高漲，再加上大陸疫情封控的影響，使得智能手機(jī)、PC等消費(fèi)電子需求銳減，眾多手機(jī)品牌廠商也紛紛開啟了砍單、去庫存模式，繼而上游的部分相關(guān)芯片廠商也開始出現(xiàn)砍單、降價(jià)、去庫存，以應(yīng)對市場的驟變。

但是，對于芯片廠商來說，更為頭疼的是，在終端需求減弱、庫存壓力升高的同時(shí)，還面臨著通貨膨脹、上游原物料價(jià)格上漲、晶圓代工費(fèi)用上漲、物流成本上漲等因素所帶來的整個(gè)成本的繼續(xù)上升。這也迫使了一些芯片廠商，一邊在減少投片、降價(jià)促銷、降低庫存，另一邊卻又要因?yàn)槌杀緣毫﹂_始準(zhǔn)備漲價(jià)了。

近日，《日經(jīng)亞洲》的報(bào)道顯示，英特爾已通知客戶，預(yù)計(jì)今年秋季將調(diào)漲大部分微處理器和周邊芯片產(chǎn)品的價(jià)格。最新的消息則顯示，英特爾的服務(wù)器處理器價(jià)格將上調(diào)2-10%，Workstaion等工作站處理器價(jià)格將上漲10%，臺式機(jī)和筆記本處理器的價(jià)格將上漲10-20%。新價(jià)格將從10月2日開始生效。而英特爾漲價(jià)的理由是，原材料漲價(jià)導(dǎo)致成本提升。

半導(dǎo)體行業(yè)一直處于周期性變化當(dāng)中，隨著全球經(jīng)濟(jì)的興衰，個(gè)人計(jì)算機(jī)、家庭電子產(chǎn)品和智能手機(jī)市場起伏演變，經(jīng)歷了供大于求和產(chǎn)品短缺等階段。在2020年初新冠疫情暴發(fā)之前，也已有信號表明“市場非常非常緊張”，IEEE美國分會(huì)的政府關(guān)系部門主任拉塞爾?哈里森(Russell Harrison)說。半導(dǎo)體工廠通常會(huì)按照額定產(chǎn)能的80%左右運(yùn)行，以便有時(shí)間進(jìn)行維護(hù)、升級和人員變動(dòng)。早在2019年夏季，全行業(yè)的設(shè)備利用水平就接近90%了?？柣舳髡f，這反映了家用電器聯(lián)網(wǎng)需求的增長，以及越來越復(fù)雜的自動(dòng)駕駛功能和汽車數(shù)字聯(lián)網(wǎng)需求的增加。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)表示，自2020年夏季以來，設(shè)備利用水平就從未低于90%。

2020年年中到2021年年底，全球半導(dǎo)體行業(yè)在高景氣周期中狂奔，缺芯成為跨年度的熱詞。但另一方面，市場也在擔(dān)憂半導(dǎo)體景氣度下滑，資本瘋狂涌入后是否會(huì)令芯片周期快速反轉(zhuǎn)至過剩狀態(tài)。尤其是今年以來，半導(dǎo)體指數(shù)已經(jīng)下跌了26.8%，37家半導(dǎo)體相關(guān)公司股價(jià)跌幅超過30%，半導(dǎo)體、芯片相關(guān)ETF下跌超過25%。有業(yè)內(nèi)人士指出，芯片依舊短缺是行業(yè)現(xiàn)狀，只不過與此前的全行業(yè)芯片短缺情況不同，缺芯更多的是呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性短缺，車用芯片、工業(yè)控制芯片短缺，消費(fèi)類芯片則供過于求。

一方面，消費(fèi)電子領(lǐng)域需求不濟(jì)，相關(guān)廠商砍單，導(dǎo)致消費(fèi)級面板、驅(qū)動(dòng)IC、MCU、SoC等持續(xù)下調(diào)訂單需求，優(yōu)先進(jìn)行清庫存。最終，影響傳導(dǎo)至上游晶圓代工以及更上游的半導(dǎo)體設(shè)備，按下產(chǎn)能擴(kuò)充的剎車鍵。另一方面，參數(shù)要求更嚴(yán)苛、從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)時(shí)間更久的汽車級芯片依舊緊缺。隨著新能源汽車銷量的大幅上升，車規(guī)芯片、射頻芯片、電源管理芯片等需求快速提升，功率半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域的景氣度將進(jìn)一步延續(xù)。

今年以來芯片短缺相比去年雖有好轉(zhuǎn)，但是主要的汽車MCU等仍是供應(yīng)偏緊的狀態(tài)。因此各家車企仍在不遺余力的搶芯片，加強(qiáng)資源儲備。與之相伴隨的是，車企投資加碼芯片公司的勢頭愈發(fā)旺盛。目前汽車上的“中國芯”，已成為國內(nèi)汽車行業(yè)大力攻堅(jiān)的重點(diǎn)領(lǐng)域。

從傳統(tǒng)Si功率器件IGBT、MOSFET，到以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體，都是汽車半導(dǎo)體中不可獲取的組成部分。尤其是電動(dòng)汽車的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)對于電能轉(zhuǎn)換的要求較高，例如在新能源汽車制造中，IGBT約占電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本的一半;SiC 作為制作耐高溫、高頻、大功率、高壓器件的半導(dǎo)體材料之一，其性能優(yōu)勢逐步凸顯，可提升新能源整車效率，節(jié)約功率半導(dǎo)體體積，因此成為實(shí)現(xiàn)新能源汽車最佳性能的理想選擇。碳化硅賽道進(jìn)入黃金發(fā)展期，各大頭部車企都在積極布局碳化硅功率器件量產(chǎn)上車。