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[導(dǎo)讀]最近,我會見了 Transphorm 總裁兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Primit Parikh。Parikh 強調(diào),他們的 GaN on Silicon 解決方案是業(yè)內(nèi)唯一通過 JEDEC 認(rèn)證的產(chǎn)品。

最近,我會見了 Transphorm 總裁兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Primit Parikh。Parikh 強調(diào),他們的 GaN on Silicon 解決方案是業(yè)內(nèi)唯一通過 JEDEC 認(rèn)證的產(chǎn)品。

延長壽命測試

他們對 600V 操作的延長壽命測試已實現(xiàn) > 10 7 小時的預(yù)測,并且仍在繼續(xù)。引用 JEDEC 文件 JESD47H0-01 的一段話:“……在 0.7 eV 的表觀活化能、125 攝氏度 的應(yīng)力溫度和 55 攝氏度 的使用溫度下,加速因子(Arrhenius 方程)為 78.6。這意味著 1000 小時的壓力持續(xù)時間相當(dāng)于 9 年的使用時間?!?

活化能對 1000 小時應(yīng)力估計壽命的影響

壽命計算: t F =C*exp(E A /kT)?ln(T F )=C+(E A /k)(T -1 ) [E A =活化能]

600V GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的擴展高溫反向偏置 (HTRB) 測試。目標(biāo)是針對 MTTF 測試 50% 的設(shè)備故障。測試到 8,000 小時,故障率約為 2%,即 <<50%,因此設(shè)計本質(zhì)上被認(rèn)為非常穩(wěn)健

擴展高溫操作測試

這些器件在 175 攝氏度的硬開關(guān)升壓轉(zhuǎn)換器中運行,GaN HEMT 3000hr 高溫工作壽命 (HTOL) 在 175 攝氏度 下完成而沒有退化,實際 在 175 攝氏度下運行 3000 小時后沒有可測量的退化。額定電壓為 600V 的 GaN HEMT 的電壓加速測試,600V 工作壽命超過 10 7小時和 480V 工作壽命超過 10 8小時的保守模型預(yù)測

專利權(quán)與獲取策略

我一直對他們的 250 項綜合專利印象深刻,這些專利聲稱是競爭行業(yè)中最大的知識產(chǎn)權(quán)。除了 600V JEDEC 認(rèn)證的 HEMT 之外,他們收購了 Fujitsu 在日本的 GaN 開發(fā)項目,為他們提供了 200V 增強模式 (e-mode) 技術(shù)。

無二極管 600V 半橋

他們的半橋評估板可以配置為降壓或升壓轉(zhuǎn)換器,以研究架構(gòu)的開關(guān)特性和效率能力。

電路中的電感器有助于在 100 kHz 下高效運行。在降壓或升壓模式下,電路可以設(shè)置為同步整流。跳線提供單個邏輯輸入或單獨的高/低輸入的可用性選擇。高壓輸入和輸出可在高達 400V 的電壓下工作。此設(shè)計中沒有二極管壓降,并且在輕負(fù)載時效率很高。

一體式 GaN 電源

據(jù)稱,這種用于計算機的 GaN 緊湊型電源比基于硅的電源要小,并且根據(jù) Transphorm 的說法,它甚至已與最先進的 iMac 電源進行了基準(zhǔn)測試。GaN PFC+LLC 一體化電源與硅解決方案相比,電路板占位面積明顯縮小 45%。

GaN 設(shè)計可以在 200 kHz 的 PWM 下運行,而硅解決方案的 PWM 則為 50 至 80 kHz。GaN 解決方案在滿負(fù)載時的效率比硅解決方案高 1.7%,在 3% 至 10% 負(fù)載時的效率高 3%。

圖騰柱PFC

Transphorm 顯示,GaN 在圖騰柱 PFC 設(shè)計中的性能優(yōu)于硅 MOSFET。它是真正的無橋 PFC,其損耗與負(fù)載成正比,并聲稱在 50 kHz 時具有 99% pk 的最高效率,并且尺寸比硅設(shè)計更小。

根據(jù) Transphorm 測試,GaN 圖騰柱 PFC 設(shè)計在各個方面都優(yōu)于硅。Transphorm 測試表明,GaN MOSFET 的 Q rr(體漏反向恢復(fù)電荷)優(yōu)于硅,具有 LLC DC/DC 轉(zhuǎn)換器的組合圖騰柱 PFC。GaN 達到 97.5% 的效率,而最好的硅可以做到 96.5%。由于可以消除二極管,GaN 在較低功率下具有更高的效率。新的 PQFN 封裝可最大限度地減少 EMI 和振鈴。

在 APEC 上,Transphorm 推出了符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的新 PQFN 封裝。新的 PQFN 封裝通過最大限度地減少封裝寄生效應(yīng)來最大限度地減少 EMI 和振鈴。此封裝中提供的一些器件是 GaN 功率、低損耗開關(guān)(TPH3002 和 TPH3006)

應(yīng)用

應(yīng)用為 10 kW 及以下,尤其是在 PV 逆變器中。一位日本客戶 Yaskawa Electric 正在將 Transphorm 的 GaN 模塊解決方案用于 5 KW 無風(fēng)扇光伏逆變器,其運行效率為 98.2%??蛻暨€可以在光伏逆變器中使用他們的分立 TO-220 解決方案。

該公司的一體化 250W 電源和 99% 圖騰柱 PFC 設(shè)計在客戶需要更高效率和小尺寸的地方也很暢銷。


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