三星成為全球首家量產(chǎn)3納米芯片的半導(dǎo)體晶圓代工廠,靠的是什么?
未來(lái)芯片將成為萬(wàn)物互聯(lián)重要的一環(huán),但芯片的制造并非我們想象的那么簡(jiǎn)單,尤其是在高端芯片領(lǐng)域更是困難,不過(guò)在技術(shù)的突破下,三星和臺(tái)積電也接連完成了對(duì)3納米芯片的攻克。
雖然臺(tái)積電和三星完成了對(duì)3納米制程攻克,但他們采用的技術(shù)架構(gòu)卻完全不同,首先是臺(tái)積電這邊,它仍然采用了FinFET架構(gòu),三星這邊,采用了更加先進(jìn)的GAA晶體管架構(gòu)。
盡管三星采用了更加先進(jìn)的工藝,但三星的工藝制程仍然比不過(guò)臺(tái)積電的工藝制程。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,目前三星已經(jīng)開始積極搶奪3納米芯片的訂單。但果然不出所料,三星敗了,而臺(tái)積電穩(wěn)獲多家企業(yè)的訂單。
消息顯示,AMD、蘋果、聯(lián)發(fā)科、高通、英特爾等龍頭企業(yè)均已向臺(tái)積電下達(dá)了關(guān)于3納米芯片的訂單。而三星的3納米制程卻沒能吸引供應(yīng)商的訂單。
業(yè)內(nèi)人士表示,目前高通已被三星視為最有可能簽署3納米AGG工藝的客戶,如果三星拿下了高通的訂單,那么高通可能會(huì)選擇中低端芯片的簽訂,因?yàn)樵谥坝邢@示,高通已經(jīng)將高端制程的芯片轉(zhuǎn)移至了臺(tái)積電。
8月18日,臺(tái)積電副總監(jiān)陳芳在2022年世界半導(dǎo)體大會(huì)上表示,臺(tái)積電3納米芯片將在今年下半年量產(chǎn),已經(jīng)對(duì)部分移動(dòng)和HPC(高性能計(jì)算)領(lǐng)域的客戶交付,如果有手機(jī)的客戶當(dāng)下采用3納米芯片,明年產(chǎn)品就能問(wèn)世。
在5納米芯片量產(chǎn)兩年后,芯片工藝推進(jìn)到又一個(gè)關(guān)鍵的工藝節(jié)點(diǎn)——3納米。三星和臺(tái)積電在3納米工藝上進(jìn)行激烈的賽跑,從時(shí)間上,三星領(lǐng)先一步,臺(tái)積電要晚幾個(gè)月時(shí)間。
今年6月30日,三星率先宣布量產(chǎn)3納米全環(huán)繞柵極(GAA)制程工藝借點(diǎn),成為全球首家量產(chǎn)3納米芯片的半導(dǎo)體晶圓代工廠。
臺(tái)積電之前官方多次對(duì)外釋放的消息是,3納米將在今年下半年量產(chǎn)。今年6月份,臺(tái)積電在2022年北美技術(shù)論壇上披露,今年下半年量產(chǎn)的N3技術(shù)(3納米),采用FinFET 技術(shù)。
因此說(shuō),臺(tái)積電在3納米技術(shù)上延續(xù)使用多年的FinFET架構(gòu),相對(duì)保守,而三星在3納米上更具冒險(xiǎn)性,選擇GAA工藝。GAA工藝被認(rèn)為改善了FinFET架構(gòu)某些不足,能提升芯片的功率以及效率。
臺(tái)積電在上述技術(shù)論壇上宣布3納米家族技術(shù)演進(jìn)規(guī)劃,2022-2025年陸續(xù)推出N3、N3E、N3P、N3X等制程,后續(xù)亦會(huì)推出優(yōu)化后的N3S制程,涵蓋智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、車用電子、高性能運(yùn)算等四大平臺(tái)應(yīng)用。
這也意味著臺(tái)積電3納米技術(shù)將獨(dú)吃2到3年,尤其是人工智能芯片和高性能運(yùn)算芯片,為臺(tái)積電帶來(lái)可觀的收入和利潤(rùn)。
三星表示,第一代3納米工藝采用GAA晶體管技術(shù),大幅提升了效能。5納米FinFET工藝相比,第一代3納米工藝可使功耗降低45%,性能提升23%,芯片面積減少16%。三星計(jì)劃推出兩種3納米GAA工藝——3GAE和3GAP。
全球芯片代工兩大巨頭在3納米工藝量產(chǎn)后開始爭(zhēng)搶客戶。最新的消息顯示:盡管三星電子積極爭(zhēng)奪3納米芯片訂單,但臺(tái)積電繼續(xù)從蘋果和英特爾等供應(yīng)商那里獲得3納米芯片訂單承諾。
美國(guó)商務(wù)部上周五發(fā)布最終規(guī)定,對(duì)設(shè)計(jì)GAAFET(全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)結(jié)構(gòu)集成電路所必須的EDA軟件;金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料;燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)使用的壓力增益燃燒(PGC)等四項(xiàng)技術(shù)實(shí)施新的出口管制。
相關(guān)禁令生效日期為2022年8月15日。
為什么是GAAFET EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)被業(yè)內(nèi)稱為“芯片之母”,而GAAFET技術(shù)被認(rèn)為是芯片制造工藝向3納米及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)的基礎(chǔ)。
芯片產(chǎn)業(yè)可以分為設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試等幾個(gè)環(huán)節(jié)。我國(guó)在芯片封裝測(cè)試領(lǐng)域具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力,長(zhǎng)電科技(600584)、通富微電(002156)、華天科技(002185)分別在全球排名第三名、第五名和第六名,并都實(shí)現(xiàn)了5納米產(chǎn)品的工藝和認(rèn)證。然而,我國(guó)芯片制造領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力較弱,大陸地區(qū)最先進(jìn)的工藝僅為14納米,與國(guó)際芯片巨頭還有較大差距。
相較而言,我國(guó)芯片設(shè)計(jì)整體情況與世界領(lǐng)先水平差距不大。中國(guó)有大量的芯片設(shè)計(jì)企業(yè),其中,華為海思2018年一度排名全球第五,紫光展銳、寒武紀(jì)等企業(yè)芯片設(shè)計(jì)水平也很不俗。
今年,多家廠商在芯片領(lǐng)域均獲得了非常重要的突破。
6月份,三星基于GAAFET技術(shù)的3納米制程工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),而臺(tái)積電在2納米制程工藝中也將引入GAAFET技術(shù)。也就是說(shuō),未來(lái)芯片制程工藝技術(shù)與當(dāng)前主流技術(shù)存在本質(zhì)差異,芯片產(chǎn)業(yè)進(jìn)入到了一個(gè)全新的發(fā)展階段。GAAFET技術(shù)是參與全球芯片產(chǎn)業(yè)鏈分工的基礎(chǔ)。
結(jié)合美國(guó)《2022年芯片與科學(xué)法案》阻礙先進(jìn)制程產(chǎn)能落地中國(guó)來(lái)看,美國(guó)商務(wù)部上周五發(fā)布的該項(xiàng)措施意在限制中國(guó)企業(yè)跟進(jìn)GAAFET技術(shù),最終導(dǎo)致中國(guó)大陸芯片設(shè)計(jì)止步于3納米制程。
美國(guó)斷供工具軟件意味著什么
美國(guó)對(duì)中國(guó)企業(yè)和機(jī)構(gòu)斷供工具軟件有跡可循。
此前美國(guó)主要針對(duì)軍用或軍民兩用的工具軟件和技術(shù)進(jìn)行限制。而隨著2018年中美貿(mào)易摩擦加劇,民用領(lǐng)域的工具軟件斷供案例不斷增多。例如:2018年,中興被美國(guó)斷供包括EDA在內(nèi)的多種工具軟件;2019年,華為海思被美國(guó)斷供EDA;2020年,國(guó)內(nèi)部分企業(yè)和高校被美國(guó)斷供MATLAB;今年年初,大疆被美國(guó)斷供Figma設(shè)計(jì)軟件。
值得注意的是,美國(guó)此前并未大規(guī)模斷供工具軟件,而主要采取精準(zhǔn)打擊的方式,此次斷供也是對(duì)特定對(duì)象(GAAFET技術(shù))進(jìn)行限制打擊。
這是因?yàn)橹忻乐g具有非常強(qiáng)的經(jīng)貿(mào)聯(lián)系和依存度,廣泛的工具軟件限制必然對(duì)全球制造業(yè)供應(yīng)鏈造成沖擊,對(duì)美國(guó)當(dāng)前岌岌可危的通脹壓力沒有半點(diǎn)好處;此外,大規(guī)模的EDA斷供會(huì)加速國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程和第三方產(chǎn)品替代,這不是美國(guó)希望看到的。
我國(guó)高度重視EDA等基礎(chǔ)性工具軟件
實(shí)際上,過(guò)去十幾年,我國(guó)一直高度重視包括EDA在內(nèi)的重要基礎(chǔ)性工具軟件。
2008年,《國(guó)家科技重大專項(xiàng)(2006-2020)》開始實(shí)施,EDA被列入“01專項(xiàng)”(“核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件”專項(xiàng))?!秶?guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》也將EDA攻關(guān)置于集成電路科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)的首位。國(guó)產(chǎn)EDA得到前所未有的發(fā)展。