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[導(dǎo)讀]目前有幾個(gè) GaN 器件概念。那么,大家能告訴我從設(shè)計(jì)的角度來看,哪些是主要的,哪些是我們的發(fā)展方向?,關(guān)于GaN的十件事,有沒有你更關(guān)注的點(diǎn)?

目前有幾個(gè) GaN 器件概念。那么,大家能告訴我從設(shè)計(jì)的角度來看,哪些是主要的,哪些是我們的發(fā)展方向?,關(guān)于GaN的十件事,有沒有你更關(guān)注的點(diǎn)?

這就像關(guān)于 GaN 的 10 件事。我記得,有一個(gè)具體的問題我想談一談。但首先,讓我回答你問題的第一部分:可用的概念以及我們對(duì)此做了什么。所以,我想說有很多概念,遠(yuǎn)不止兩個(gè),但不知何故,我們可以談?wù)摌O端,所謂的 Cascode GaN 和所謂的增強(qiáng)模式 GaN。由于我的第一家公司,級(jí)聯(lián) GaN 實(shí)際上是第一個(gè)誕生的。當(dāng)功率 GaN 研究的先驅(qū) International Rectifier 首次開始開發(fā)基于級(jí)聯(lián)的 GaN 解決方案時(shí),我就在那里。而且,順便說一句,今天幾乎每個(gè) GaN 制造商都有其主要經(jīng)理,20 年前與我分享了這種經(jīng)驗(yàn)。

我們可以說,IR 遺產(chǎn)仍然存在于世界各地的許多公司中?,F(xiàn)在,通過談?wù)摷?jí)聯(lián)本身,它是至少兩個(gè)芯片的雙芯片解決方案,其中通常有GaN與低壓MOSFET耦合,整個(gè)器件通過驅(qū)動(dòng)MOSFET柵極工作。眾所周知,這個(gè)概念帶來了易用性。

因此,驅(qū)動(dòng)一個(gè)低壓 MOSFET 是極其容易的,因此級(jí)聯(lián)共柵被普遍認(rèn)為是一個(gè)易于使用的概念。當(dāng)然,它也有一些缺點(diǎn)。例如,缺乏可擴(kuò)展性。一件事是制作 600 伏或 650 伏的級(jí)聯(lián)解決方案。但是如果你想做一個(gè) 100 伏的器件,采用這種概念,低壓 MOSFET 引入的妥協(xié)太大,你真的失去了 GaN 的優(yōu)勢(shì)。

在光譜的另一邊,我們可以談?wù)勗鰪?qiáng)模式或 E-Mode GaN:這是一個(gè)絕妙的解決方案,它非常優(yōu)雅,單芯片正常關(guān)閉。但是,當(dāng)然,許多用戶希望通過更換硅 MOSFET 而不做任何改變來簡(jiǎn)單地獲得 GaN 的性能優(yōu)勢(shì)。

不幸的是,與硅 MOSFET 相比,增強(qiáng)型 GaN 非常特殊。它具有極低的閾值電壓,根據(jù)柵極概念大約只有 1 伏,但它基本上介于 1 到 2 伏之間,并且柵極看不到高于 6 或 6.5 伏的電壓。因此,用戶要么使用 GaN 專用柵極驅(qū)動(dòng)器,要么添加一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路來鉗位柵極電壓以防止損壞柵極,或兩者兼而有之。這就是這個(gè)概念的問題所在。

在這里,我來到你問題的第二部分,關(guān)于 GaN 的 10 件事。在這篇文章中有一個(gè)觀點(diǎn),我們提到大多數(shù) E-Mode GaN 解決方案現(xiàn)在需要為柵極提供負(fù)電壓以實(shí)現(xiàn)有效關(guān)斷。確實(shí)如此,因?yàn)殚撝惦妷悍浅5?,以至于我們希望避?PCB 感應(yīng)返回的任何風(fēng)險(xiǎn)。因此,市場(chǎng)上沒有多少柵極驅(qū)動(dòng)器具有這種負(fù)電壓能力。所以,你會(huì)看到這些概念有很好的地方,但也有一些缺點(diǎn)。

基本上,CGD 采用的技術(shù)將級(jí)聯(lián)共柵的易用性與 E-Mode GaN 的簡(jiǎn)單性相結(jié)合,從而避免了所有缺點(diǎn),包括對(duì)負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓的需求,簡(jiǎn)而言之。確實(shí)如此,因?yàn)殚撝惦妷悍浅5?,以至于我們希望避?PCB 感應(yīng)返回的任何風(fēng)險(xiǎn)。因此,市場(chǎng)上沒有多少柵極驅(qū)動(dòng)器具有這種負(fù)電壓能力。所以,你會(huì)看到這些概念有很好的地方,但也有一些缺點(diǎn)?;旧?,CGD 采用的技術(shù)將級(jí)聯(lián)共柵的易用性與 E-Mode GaN 的簡(jiǎn)單性相結(jié)合,從而避免了所有缺點(diǎn),包括對(duì)負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓的需求,簡(jiǎn)而言之。確實(shí)如此,因?yàn)殚撝惦妷悍浅5停灾劣谖覀兿M苊?PCB 感應(yīng)返回的任何風(fēng)險(xiǎn)。

因此,市場(chǎng)上沒有多少柵極驅(qū)動(dòng)器具有這種負(fù)電壓能力。所以,你會(huì)看到這些概念有很好的地方,但也有一些缺點(diǎn)?;旧希珻GD 采用的技術(shù)將級(jí)聯(lián)共柵的易用性與 E-Mode GaN 的簡(jiǎn)單性相結(jié)合,從而避免了所有缺點(diǎn),包括對(duì)負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓的需求。

Cascode 是一種雙芯片解決方案,通常在 GaN 上加上一個(gè)低壓 MOSFET,正如 Andrea 所說,整個(gè)器件通過驅(qū)動(dòng) MOSFET 柵極來工作。因此,驅(qū)動(dòng)低壓 MOSFET 非常容易,級(jí)聯(lián)共源共柵是一種易于使用的概念。與硅 MOSFET 相比,E 模式非常特殊:它具有極低的閾值電壓。


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