基于N3制造工藝大規(guī)模量產(chǎn)芯片，并于明年年初交付首批產(chǎn)品

消息稱臺(tái)積電將于今年9月開始對(duì)3納米芯片進(jìn)行量產(chǎn)。這下，三星要坐不住了!雖然三星在6月30日稱自己已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了3納米的量產(chǎn)。不過，似乎至今都沒有客戶預(yù)定的消息。而相比于三星直接硬上全新的「GAAFET」，臺(tái)積電依然采用了舊的「FinFET」技術(shù)。臺(tái)積電的策略是，通過復(fù)用之前成熟穩(wěn)定的技術(shù)，讓產(chǎn)品穩(wěn)定性更強(qiáng)，更好地控制成本，同時(shí)爭(zhēng)取更多時(shí)間實(shí)現(xiàn)對(duì)GAA晶體管架構(gòu)的優(yōu)化。

顯然，臺(tái)積電成功了。9月開始量產(chǎn)，報(bào)道稱，臺(tái)積電將于今年9月開始基于N3制造工藝大規(guī)模量產(chǎn)芯片，并于明年年初向客戶交付首批產(chǎn)品。

一般來說，臺(tái)積電會(huì)在3月至5月開始對(duì)新節(jié)點(diǎn)進(jìn)行大規(guī)模量產(chǎn)。但N3節(jié)點(diǎn)的開發(fā)時(shí)間比平時(shí)要長(zhǎng)，這就是為什么蘋果即將推出的iPhone芯片將使用不同的節(jié)點(diǎn)。臺(tái)積電的3納米N3制程在完成技術(shù)研發(fā)及試產(chǎn)后，預(yù)計(jì)第三季度下旬開始，投片量會(huì)大幅拉升，而到第四季度，預(yù)計(jì)月投片量將達(dá)上千片水準(zhǔn)，開始進(jìn)入量產(chǎn)階段。

業(yè)內(nèi)人士指出，依據(jù)臺(tái)積電N3制程的試產(chǎn)情況，預(yù)計(jì)量產(chǎn)后的初期良率表現(xiàn)會(huì)比5納米的N5制程初期還好。臺(tái)積電總裁魏哲家也表示，臺(tái)積電的N3制程將具備良好良率，2023年即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，并于上半年開始貢獻(xiàn)營(yíng)收。

蘋果搶得頭彩，蘋果將是第一家采用臺(tái)積電3納米投片客戶。業(yè)界人士指出，蘋果下半年將首度采用臺(tái)積電3納米芯片，首款產(chǎn)品可能是M2 Pro處理器，而明年包括新款A(yù)17處理器，以及M3系列處理器，都會(huì)采用臺(tái)積電的3納米。

臺(tái)積電的3納米N3制程在完成技術(shù)研發(fā)及試產(chǎn)后，預(yù)計(jì)第三季度下旬開始，投片量會(huì)大幅拉升，而到第四季度，預(yù)計(jì)月投片量將達(dá)上千片水準(zhǔn)，開始進(jìn)入量產(chǎn)階段。業(yè)內(nèi)人士指出，依據(jù)臺(tái)積電N3制程的試產(chǎn)情況，預(yù)計(jì)量產(chǎn)后的初期良率表現(xiàn)會(huì)比5納米的N5制程初期還好。臺(tái)積電總裁魏哲家也表示，臺(tái)積電的N3制程將具備良好良率，2023年即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，并于上半年開始貢獻(xiàn)營(yíng)收。

蘋果搶得頭彩，蘋果將是第一家采用臺(tái)積電3納米投片客戶。業(yè)界人士指出，蘋果下半年將首度采用臺(tái)積電3納米芯片，首款產(chǎn)品可能是M2 Pro處理器，而明年包括新款A(yù)17處理器，以及M3系列處理器，都會(huì)采用臺(tái)積電的3納米。

報(bào)告指出，超高端智能手機(jī)批發(fā)價(jià)在 600 美元(約 4314 元人民幣)及以上，占 2022 年 Q2 智能手機(jī)總收入的一半，略低于前兩個(gè)季度。除了 100-190 美元 (批發(fā)) 的中端價(jià)位外，191-299 美元和 300-399 美元價(jià)位也是智能手機(jī)營(yíng)收的重要來源，占第二季度智能手機(jī)營(yíng)收的 22%。

Strategy Analytics 表示，在 Top 20 最高營(yíng)收的智能手機(jī)型號(hào)中，共有 8 款機(jī)型屬于這兩個(gè)價(jià)位。與 100-190 美元價(jià)位相比，這兩個(gè)價(jià)位的競(jìng)爭(zhēng)機(jī)型也較少。了解到，報(bào)告稱蘋果 iPhone SE 5G、三星 Galaxy A73 5G、vivo V23 5G、小米 12 5G 屬于 300-399 美元批發(fā)價(jià)的高端產(chǎn)品，而其他 6 款產(chǎn)品屬于 191-299 美元批發(fā)價(jià)的高端產(chǎn)品。

如今在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上一說起華為，我們大家都還是比較熟悉的，作為中國(guó)第一大的民營(yíng)科技企業(yè)，華為公司的實(shí)力自然是十分雄厚的，最近這幾年，隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，華為公司也終于迎來了快速發(fā)展的時(shí)機(jī)，除了在移動(dòng)通訊領(lǐng)域發(fā)展的十分迅猛以外，華為還在智能手機(jī)和5G網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域也都取得了非常不錯(cuò)的成績(jī)，就在不少人都為華為感到驕傲的時(shí)候，華為卻突然遭到了打擊和制裁!

在國(guó)際市場(chǎng)上，自從華為被打壓以后，很多國(guó)家的運(yùn)營(yíng)商在選擇和華為5G合作的時(shí)候都一直態(tài)度搖擺不定，有的甚至還直接將華為5G給排除在外，這也讓華為損失了不少的5G訂單;除此以外，谷歌也直接停止了對(duì)華為安卓手機(jī)GMS服務(wù)的授權(quán)，這讓華為手機(jī)在國(guó)際市場(chǎng)上的銷量也下滑了不少，不過好在華為并沒有因此而放棄發(fā)展，反而在國(guó)際市場(chǎng)上還越挫越勇!

隨著打壓力度的不斷升級(jí)，華為一直以來的芯片合作伙伴臺(tái)積電也不再給華為生產(chǎn)海思麒麟芯片了，這直接導(dǎo)致華為的海思麒麟芯片成為了絕唱，要知道對(duì)于華為這樣的科技企業(yè)來說，沒有了芯片影響無疑是巨大的，畢竟華為智能手機(jī)一年的出貨量就超過了2億部，這也就意味著華為一年就需要2億多枚芯片，而現(xiàn)在芯片短缺已經(jīng)成為了華為發(fā)展的最大問題!

就在很多人都認(rèn)為芯片封鎖之后，華為在芯片行業(yè)將無法再更進(jìn)一步的時(shí)候。沒想到華為下一代的海思麒麟芯片再次被曝光，這一次華為所研發(fā)的芯片采用的是3nm工藝制程，根據(jù)曝光的名字來看，華為3nm制程工藝的芯片暫時(shí)命名為麒麟9010。雖然說華為在芯片代工領(lǐng)域被限制了，但是華為依然還是全球排名前10的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，所以華為在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域還擁有著超強(qiáng)的實(shí)力，而這一次3nm芯片被曝光，也表明華為一直都沒有停止過在芯片領(lǐng)域的研發(fā)!

美國(guó)《芯片法案》成為全球焦點(diǎn)之際，晶圓代工“一哥”臺(tái)積電非常罕見地在中國(guó)大陸公布了其先進(jìn)技術(shù)規(guī)劃。

鈦媒體App 8月19日消息，昨日南京舉行的2022年世界半導(dǎo)體大會(huì)上，臺(tái)積電(中國(guó))有限公司副總監(jiān)陳芳表示，臺(tái)積電N3(又稱3nm)芯片將在今年下半年進(jìn)入量產(chǎn);3nm加強(qiáng)版N3E將會(huì)在2023年下半年(年底)量產(chǎn)，應(yīng)用于移動(dòng)手機(jī)芯片、HPC(高性能計(jì)算)等領(lǐng)域。

昨天有媒體報(bào)道稱，陳芳表示“如果有手機(jī)的客戶當(dāng)下采用3nm芯片，明年產(chǎn)品就能問世”。鈦媒體App多次回放了現(xiàn)場(chǎng)視頻和錄音資料，證實(shí)臺(tái)積電昨日并未提到相關(guān)信息。因此，如無意外，這是一條不實(shí)消息。

同時(shí)，臺(tái)積電(南京)有限公司經(jīng)理蘇華昨日首次公布，其南京Fab16廠目前主要制造12nm、16nm工藝的芯片。而南京廠擴(kuò)建的 1B 期28nm工藝產(chǎn)線，即臺(tái)積電南京二廠，預(yù)計(jì)將在2022年下半年量產(chǎn)。

實(shí)際上，2021年，臺(tái)積電占據(jù)全球芯片代工市場(chǎng)份額超過57%，在7nm/5nm細(xì)分市場(chǎng)幾乎完全占據(jù)主導(dǎo)地位。

目前唯一能與臺(tái)積電在先進(jìn)技術(shù)上競(jìng)爭(zhēng)的是三星電子。7月25日，三星電子宣布在韓國(guó)京畿道華城園區(qū)量產(chǎn)基于GAA晶圓架構(gòu)的3nm芯片，應(yīng)用于HPC、移動(dòng)SoC等領(lǐng)域，韓國(guó)媒體TheElec報(bào)道稱，3nm客戶包括上海磐矽半導(dǎo)體有限公司(PanSemi)，高通等。

本次世界半導(dǎo)體大會(huì)臺(tái)積論壇上，臺(tái)積電團(tuán)隊(duì)詳細(xì)公布了先進(jìn)工藝、特殊工藝、先進(jìn)封裝技術(shù)、擴(kuò)建產(chǎn)能等最新進(jìn)展和未來規(guī)劃。

其中在先進(jìn)工藝方面，2020年量產(chǎn)的N6(6nm)，是臺(tái)積電第一代利用EUV(極紫外光刻)技術(shù)的先進(jìn)工藝平臺(tái)，包括7nm和N6在內(nèi)，產(chǎn)品組合包括手機(jī)、CPU/GPU/XPU處理器領(lǐng)域，以及RF射頻和消費(fèi)類應(yīng)用，預(yù)計(jì)今年底產(chǎn)品NTO(New Tape Out，指新產(chǎn)品流片)將超過400個(gè);臺(tái)積電5nm芯片已在2020年量產(chǎn)，預(yù)計(jì)年底，5nm N5/N5P及4nm N4P/N4X產(chǎn)品NTO將超過150個(gè)，基于N4P的V0.9 IP已經(jīng)在今年二季度完成，高端接口預(yù)計(jì)今年第三季度得以完成。

N3/N3E(3nm)芯片是目前臺(tái)積電最先進(jìn)的邏輯制程，相較于5nm，基于N3E工藝的芯片密度高出1.3倍，邏輯密度門增加1.6倍，在相同功耗下速度提升15-20%，或在相同速度下功耗降低30-35%。3nm系列的創(chuàng)新主要在于使用FINFLEX技術(shù)，可以在提升密度的情況下維持速度和功耗的平衡?；贜3經(jīng)驗(yàn)，N3E將會(huì)在明年底量產(chǎn)，相關(guān)邏輯測(cè)試芯片及3nm 256Mb SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)良率達(dá)到80%左右。