三星第8代V-NAND量產(chǎn),采用3D縮放技術(shù)
三星宣布,已開(kāi)始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的1Tb(太字節(jié))三比特單元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度,可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。三星采用3D縮放(3D scaling)技術(shù),減少表面積并降低高度,同時(shí)避免了縮小時(shí)通常會(huì)發(fā)生的單元間的干擾?;谧钚翹AND閃存標(biāo)準(zhǔn)Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V-NAND,其輸入和輸出(I/O)速度高達(dá)2.4 Gbps(千兆比特每秒),相比上一代提升了1.2倍。(全球TMT)