瀾起科技榮獲中國芯“年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品”獎

近日，第十七屆“中國芯”頒獎儀式在珠海隆重舉行。瀾起科技高性能DDR5內(nèi)存接口芯片憑借突破性的技術(shù)創(chuàng)新度、優(yōu)異的市場表現(xiàn)力榮獲中國芯“年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品”獎。

據(jù)悉，“中國芯”的評選，旨在征集國內(nèi)集成電路優(yōu)秀企業(yè)，遴選各細分領(lǐng)域創(chuàng)新性強的芯片產(chǎn)品，該活動已成為國內(nèi)集成電路產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)。本屆“中國芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集活動共有227家企業(yè)、334款產(chǎn)品申報，申請數(shù)量創(chuàng)歷史新高。其中，“年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品”的競爭尤為激烈，共有38款產(chǎn)品參選。經(jīng)過專家評審，包括“瀾起科技高性能DDR5內(nèi)存接口芯片”在內(nèi)的4款芯片最終脫穎而出成功當(dāng)選。該獎項主要授予本年度有重大技術(shù)創(chuàng)新，填補國內(nèi)技術(shù)或市場空白，具有明顯進口替代能力，對我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重大意義的單款芯片產(chǎn)品。

瀾起科技本次獲獎的DDR5內(nèi)存接口芯片，是CPU存取內(nèi)存數(shù)據(jù)的必由通路，是內(nèi)存模組的核心器件。瀾起科技憑借全球領(lǐng)先的高速、低功耗技術(shù)，不僅研發(fā)了新一代內(nèi)存接口芯片，還全面布局DDR5內(nèi)存模組配套芯片，這些配套芯片與內(nèi)存接口芯片一起，共同助力DDR5內(nèi)存模組在速度、容量、節(jié)能及可靠性等方面實現(xiàn)全面提升，滿足新一代服務(wù)器、臺式機及便攜式電腦對內(nèi)存系統(tǒng)的更高要求。

瀾起科技是全球可提供從DDR2到DDR4內(nèi)存全緩沖/半緩沖完整解決方案的主要供應(yīng)商之一，并在DDR5世代繼續(xù)保持相對領(lǐng)先地位，是目前全球可以提供DDR5內(nèi)存接口及模組配套芯片全套解決方案的兩家供應(yīng)商之一。未來，瀾起科技將繼續(xù)以技術(shù)研發(fā)為核心驅(qū)動力，加快在細分領(lǐng)域前沿技術(shù)的發(fā)展布局，鞏固行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢，助力產(chǎn)業(yè)發(fā)展，共享創(chuàng)新成果。