貿(mào)澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案

時間：2023-04-12 16:03:59

關(guān)鍵字：碳化硅能源基礎(chǔ)設(shè)施工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用

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[導(dǎo)讀]2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的器件。這些器件經(jīng)過優(yōu)化，可為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用提供高可靠性和高性能。

2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的器件。這些器件經(jīng)過優(yōu)化，可為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用提供高可靠性和高性能。

可再生能源和大功率工業(yè)應(yīng)用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1 EliteSiC MOSFET就可以提供這樣的特性。NTH4L028N170M1的最大柵極至源極電壓 (VGS) 范圍為-15V至+25V，適用于柵極電壓達(dá)到-10V的快速開關(guān)應(yīng)用，從而提高系統(tǒng)可靠性。1700V EliteSiC MOSFET在1200V、40A測試條件下的柵極電荷 (Qg) 僅為200nC，在快速開關(guān)、大功率可再生能源應(yīng)用中具有很高的效率。

NDSH25170A和NDSH10170A EliteSiC肖特基二極管的額定BV為1700V，在最大反向電壓 (VRRM) 和重復(fù)峰值反向電壓之間具有更大的容限。這些器件還使設(shè)計人員能夠在高溫下實現(xiàn)穩(wěn)定的高壓操作，并且不會影響SiC的高效率。

無論是電動汽車充電站、利用可再生能源的電網(wǎng)，還是高壓/大電流的工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用，安森美EliteSiC都能實現(xiàn)出色的效率，并降低功率損耗。

貿(mào)澤在過去兩年中提供了超122,000個新物料編號。