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[導(dǎo)讀]通過替換現(xiàn)有的Si MOSFET,可將器件體積減少約99%,功率損耗減少約55%。

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1,開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動用驅(qū)動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。

ROHM開發(fā)出EcoGaN Power Stage IC

近年來,為了實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會,對消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求,GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而,與Si MOSFET相比,GaN HEMT的柵極處理很難,必須與驅(qū)動?xùn)艠O用的驅(qū)動器結(jié)合使用。在這種市場背景下,ROHM結(jié)合所擅長的功率和模擬兩種核心技術(shù)優(yōu)勢,開發(fā)出集功率半導(dǎo)體——GaN HEMT和模擬半導(dǎo)體——柵極驅(qū)動器于一體的Power Stage IC。該產(chǎn)品的問世使得被稱為“下一代功率半導(dǎo)體”的GaN器件輕輕松松即可實現(xiàn)安裝。

新產(chǎn)品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能夠更大程度地激發(fā)出GaN HEMT性能的專用柵極驅(qū)動器、新增功能以及外圍元器件。另外,新產(chǎn)品支持更寬的驅(qū)動電壓范圍(2.5V~30V),擁有支持一次側(cè)電源各種控制器IC的性能,因此可以替換現(xiàn)有的Si MOSFET(Super Junction MOSFET*3/以下簡稱“Si MOSFET”)。與Si MOSFET相比,器件體積可減少約99%,功率損耗可降低約55%,因此可同時實現(xiàn)更低損耗和更小體積。

新產(chǎn)品已于2023年6月開始量產(chǎn)(樣品價格4,000日元/個,不含稅)。另外,新產(chǎn)品及對應(yīng)的三款評估板(BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003、BM3G015MUV-EVK-003)已開始網(wǎng)售,在Ameya360等電商平臺可購買。

ROHM開發(fā)出EcoGaN Power Stage IC

ROHM開發(fā)出EcoGaN Power Stage IC

<產(chǎn)品陣容>

新產(chǎn)品支持更寬的驅(qū)動電壓范圍(2.5V~30V),而且傳輸延遲短、啟動時間快,因此支持一次側(cè)電源中的各種控制器IC。

ROHM開發(fā)出EcoGaN Power Stage IC

<應(yīng)用示例>

適用于內(nèi)置一次側(cè)電源(AC-DC或PFC電路)的各種應(yīng)用。

消費(fèi)電子:白色家電、AC適配器、電腦、電視、冰箱、空調(diào)

工業(yè)設(shè)備:服務(wù)器、OA設(shè)備

<電商銷售信息>

電商平臺:Ameya360

產(chǎn)品和評估板在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。

(開始銷售時間:2023年7月起)

產(chǎn)品信息

產(chǎn)品型號:

BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB

評估板信息

評估板型號:

BM3G007MUV-EVK-002(PFC 240W)

BM3G007MUV-EVK-003BM3G015MUV-EVK-003

ROHM開發(fā)出EcoGaN Power Stage IC

<什么是EcoGaN>

EcoGaN是通過更大程度地發(fā)揮GaN的性能,助力應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步節(jié)能和小型化的ROHM GaN器件,該系列產(chǎn)品有助于應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步降低功耗、實現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設(shè)計工時和元器件數(shù)量等。

ROHM開發(fā)出EcoGaN Power Stage IC

EcoGaN是ROHM Co., Ltd.的商標(biāo)或注冊商標(biāo)。

<術(shù)語解說>

*1)一次側(cè)電

在工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子等設(shè)備中,會通過變壓器等對電源和輸出單元進(jìn)行隔離,以確保應(yīng)用產(chǎn)品的安全性。在隔離部位的兩側(cè),電源側(cè)稱為“一次側(cè)(初級)”,輸出側(cè)稱為“二次側(cè)(次級)”,一次側(cè)的電源部位稱為“一次側(cè)電源”。

*2)GaN HEMT

GaN(氮化鎵)是一種用于新一代功率元器件的化合物半導(dǎo)體材料。與普通的半導(dǎo)體材料——Si(硅)相比,具有更優(yōu)異的物理性能,目前,因其具有出色的高頻特性,越來越多的應(yīng)用開始采用這種材料。

HEMT是High Electron Mobility Transistor(高電子遷移率晶體管)的英文首字母縮寫。

*3)Super Junction MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)

MOSFET是晶體管的一種,根據(jù)器件結(jié)構(gòu)上的不同又可細(xì)分為DMOSFET、Planar MOSFET、Super Junction MOSFET等不同種類的產(chǎn)品。與DMOSFET和Planar MOSFET相比,Super Junction MOSFET在耐壓和輸出電流方面表現(xiàn)更出色,在處理大功率時損耗更小。

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