學(xué)子專區(qū)—ADALM2000實驗：磁性接近傳感器

時間：2023-08-25 16:55:24

關(guān)鍵字：接近傳感器螺線管磁體

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[導(dǎo)讀]簡單的接近傳感器可檢測物體對象之間的距離，可用于多種應(yīng)用，從簡單的門窗開關(guān)檢測到復(fù)雜的高精度絕對位置檢測器，應(yīng)用廣泛。接近傳感器可采用多種方式設(shè)計，其中一種涉及檢測磁體（通常為永磁體，但也可能是電磁體）產(chǎn)生的磁場強度。在本次實驗中，我們使用鐵氧體磁芯螺線管產(chǎn)生磁場。螺線管是一種以圓柱形方式纏繞著磁芯（通常用于制造具有特定電感值的電感）或電磁體的線圈。

目標

本次實驗的目標是利用磁場生成和檢測原理去構(gòu)建簡單的接近檢測器，并觀察檢測器輸出電壓是如何隨著電磁體越來越靠近傳感器而增加的。

背景知識

簡單的接近傳感器可檢測物體對象之間的距離，可用于多種應(yīng)用，從簡單的門窗開關(guān)檢測到復(fù)雜的高精度絕對位置檢測器，應(yīng)用廣泛。接近傳感器可采用多種方式設(shè)計，其中一種涉及檢測磁體（通常為永磁體，但也可能是電磁體）產(chǎn)生的磁場強度。在本次實驗中，我們使用鐵氧體磁芯螺線管產(chǎn)生磁場。螺線管是一種以圓柱形方式纏繞著磁芯（通常用于制造具有特定電感值的電感）或電磁體的線圈。

ADALP2000模擬部件套件中的100 μH電感用于產(chǎn)生足夠強的磁場，并且能夠被該套件中集成的AD22151磁場傳感器檢測到。AD22151是一款線性磁場傳感器，其輸出電壓與垂直施加于封裝上表面的磁場成比例。AD22151磁場傳感器的工作原理基于霍爾效應(yīng)。在磁場環(huán)境下，當電流流經(jīng)某個導(dǎo)體時，導(dǎo)體兩端就會產(chǎn)生電壓（霍爾電壓），這種現(xiàn)象就是霍爾效應(yīng)。運動電荷在磁場中受洛倫茲力作用會發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而形成電場，產(chǎn)生霍爾電壓。

材料

ADALM2000主動學(xué)習模塊

無焊試驗板和跳線套件

四個100 Ω電阻

一個100 μH電感

一個AD22151磁場傳感器

兩個470 Ω電阻

一個100 kΩ電阻

一個0.1 μF電容

一個10 μF電容

一個200 kΩ電阻

一個LED

硬件設(shè)置

首先，在無焊試驗板上構(gòu)建圖1所示的電磁體電路。

圖1.電磁體電路。

將包含AD22151磁場傳感器的霍爾效應(yīng)傳感器電路（圖2）添加到無焊試驗板中。

圖2.霍爾效應(yīng)傳感器電路。

試驗板連接如圖3所示。

圖3.磁性接近傳感器試驗板連接。

程序步驟

使用信號發(fā)生器W1生成一個恒定的5 V信號，作為AD22151的VCC輸入。打開至5 V的正電源，為電磁體供電。當電磁體遠離芯片且傳感器附近不存在磁場時，示波器的通道1將顯示AD22151的輸出。

此電壓相當于零高斯點，理想情況下為中點電源電壓，采用5.0 V電源時為2.5 V，但由于傳感器和運算放大器中的直流偏置要乘以運算放大器的閉環(huán)增益，所以該電壓與中點電源電壓不同。

圖4.輸出失調(diào)電壓。

如果將電磁體更靠近芯片，輸出電壓隨磁場強度成比例地增加。在圖5中，可以看到電壓如何隨電磁體越來越靠近芯片而增大。當電磁體離芯片較遠時，電壓將再次降低，直至達到零高斯失調(diào)電壓。

圖5.輸出電壓變化。

我們可以在5.0 V電源和引腳6的運算放大器求和節(jié)點之間添加一個電阻R4，以改變輸出失調(diào)電壓。這樣在無外加磁場的情況下，能夠使傳感器輸出電壓盡可能接近其線性范圍的下限。接下來，我們來計算R4值。

我們指定VCC為AD22151的電源電壓，VMID為中點電源電壓。

在通道2使用電壓表工具測量VCC。要計算R4，必須清楚運算放大器求和節(jié)點的輸入和輸出電流。通過R2的電流定義為IR2。在理想情況下，此電流為零，因為其每側(cè)的電壓為VMID，但零場內(nèi)部霍爾效應(yīng)傳感器輸出電壓與內(nèi)部緩沖電壓VREF之間會存在一個較小的失調(diào)電壓。對于低增益電路，此電壓在許多情況下可忽略不計，但在高增益電路中（如本例）我們必須加以考慮。

使用電壓表測量并記錄引腳7處的電壓，并將其定義為VREF。使用電壓表測量并記錄引腳6處的電壓，并將其定義為VCM；此為運算放大器輸入端的共模電壓，并且由負反饋驅(qū)動至非常接近內(nèi)部霍爾效應(yīng)傳感器的輸出。計算R2兩端的電壓：

VR2 = VREF– VCM(1)

流經(jīng)R2的電流為：

IR2 = VR2/235 Ω(2)

計算流經(jīng)反饋電阻R3的電流時可考慮電磁體遠離芯片時的傳感器輸出電壓，相當于傳感器的零高斯點。將此電壓定義為VOUT,Z，然后計算電流：

IR3 = (VCM– VOUT,Z)/100 kΩ(3)

計算將VOUT,Z從其當前電平降至較低電平（本例中為0.5 V）所需的電壓偏移量。請注意，這是一個負值，計算公式如下：

VSHIFT= 0.5 V – VOUT,Z(4)

通過反饋電阻R3使VOUT,Z偏移至0.5 V所需的額外電流ISHIFT的計算公式如下：

ISHIFT= VSHIFT/100 kΩ(5)

請注意，這是一個負值，因為VSHIFT為負數(shù)。通過R4（用于產(chǎn)生所需失調(diào)電壓）流入求和節(jié)點的電流(IR4)與ISHIFT的方向相反，因此可以寫成IR4 = –ISHIFT，為正值。

計算R4的值，注意R4兩端電壓為VCC與VCM之差，計算公式如下：

R4 = (VCC– VCM)/IR4 (6)

圖6.包含電阻R4（可改變失調(diào)電壓）的電路。

從套件中選擇一個最接近R4計算值的電阻。四舍五入產(chǎn)生的誤差會導(dǎo)致更高的輸出電壓。將R4置于電路中，如圖6中的原理圖所示。此外，圖8中也顯示了如何將此電阻置于試驗板中。在這種情況下，套件中可用的最接近阻值為200 kΩ。在示波器的通道1，可以看到輸出失調(diào)電壓已降至其線性范圍的下限，接近所需的0.5 V電平。