三星電子崔璋石：機(jī)器具備“思考能力”的重要原因之一是內(nèi)存容量

（全球TMT2023年9月13日訊）9月13日， 由開放數(shù)據(jù)中心委員會(huì)(ODCC)主辦的“2023開放數(shù)據(jù)中心峰會(huì)”在北京國(guó)際會(huì)議中心召開。三星向ODCC捐贈(zèng)SITS (Samsung/ SSD Intelligent Test System) 系統(tǒng)的永久使用權(quán)。SITS是一款專門為固態(tài)硬盤測(cè)試和評(píng)估而設(shè)計(jì)的軟件，它可以幫助用戶更便捷更高效地測(cè)試固態(tài)硬盤的性能和穩(wěn)定性，并可提供詳細(xì)的測(cè)試報(bào)告。

三星電子副總裁，存儲(chǔ)器新事業(yè)企劃部門負(fù)責(zé)人崔璋石(Jangseok Choi)在會(huì)上發(fā)表了“人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)和數(shù)據(jù)時(shí)代的存儲(chǔ)解決方案”的主題演講。崔璋石通過介紹“圖靈測(cè)試”引出機(jī)器是否具備思考能力的問題，指出機(jī)器越來越具備“思考能力”的重要原因之一就是內(nèi)存容量。尤其在人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)領(lǐng)域，更高的內(nèi)存容量意味著更好的性能表現(xiàn)。同時(shí)他提出，由于內(nèi)存容量受到中央處理器的限制，必須充分利用存儲(chǔ)擴(kuò)展器技術(shù)(CXL Technology)和微調(diào)分層(Fine-tuned Tiering)解決方案，邁向以內(nèi)存為中心的異構(gòu)架構(gòu)(Heterogeneous Memory-centric Architecture)。

他還介紹了三星一系列面向人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)的存儲(chǔ)產(chǎn)品。針對(duì)高性能計(jì)算優(yōu)化的高帶寬存儲(chǔ)“HBM3E”；計(jì)劃年底可供應(yīng)的32Gb DDR5 DRAM (第五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)；以及三星首個(gè)8個(gè)NAND通道的超高性能PCIe 5.0數(shù)據(jù)中心專用固態(tài)硬盤 -- PM9D3a。未來三星將提供的大規(guī)模存儲(chǔ)解決方案包括，能夠處理SRAM大規(guī)模工作負(fù)載的LLC DRAM解決方案，基于CXL的存儲(chǔ)擴(kuò)展器(CXL Memory Expander)，以及基于CXL的內(nèi)存-語義固態(tài)硬盤(Memory-Semantic SSD)。三星持續(xù)研發(fā)中的千兆級(jí)超高容量存儲(chǔ)解決方案“PBSSD”。