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[導(dǎo)讀]2023年12月15日,中國-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片,利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡化電源設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計(jì)目標(biāo)。

2023年12月15日,中國-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片,利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡化電源設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計(jì)目標(biāo)。

意法半導(dǎo)體的MasterGaN產(chǎn)品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN晶體管(HEMT)與優(yōu)化的柵極驅(qū)動器、系統(tǒng)保護(hù)功能,以及在啟動時為器件供電的集成式自舉二極管。集成這些功能省去了設(shè)計(jì)者處理GaN晶體管柵極驅(qū)動開發(fā)難題。這兩款產(chǎn)品采用緊湊的電源封裝,提高了可靠性,減少了物料成本,簡化了電路布局。

這兩款新器件內(nèi)置兩個連接成半橋的GaN HEMT晶體管,這種配置適合開發(fā)采用有源箝位反激式轉(zhuǎn)換器、有源箝位正激式轉(zhuǎn)換器或諧振式轉(zhuǎn)換器拓?fù)涞拈_關(guān)式電源、適配器和充電器。MasterGaN1L和MasterGaN4L分別與MasterGaN1和MasterGaN3引腳兼容。與早期的產(chǎn)品相比,新產(chǎn)品重新優(yōu)化了導(dǎo)通時間,支持更高的開關(guān)頻率,在低負(fù)載的情況取得更高的能效,能效提高在諧振拓?fù)渲杏葹槊黠@。

輸入引腳接受3.3V至15V的信號電壓,輸入滯后和下拉電阻有助于輸入直連控制器,例如,微控制器、DSP信號處理器或霍爾效應(yīng)傳感器。專用關(guān)斷引腳有助于設(shè)計(jì)者節(jié)省系統(tǒng)功率,兩個GaN HEMT晶體管的時序匹配精準(zhǔn),集成一個互鎖保護(hù)電路,防止橋臂上的開關(guān)管交叉導(dǎo)通。

MasterGaN1L HEMT的導(dǎo)通電阻RDS(on)為150m?,額定電流為10A,適合最高功率500W的應(yīng)用??蛰d功耗只有20mW,支持高轉(zhuǎn)換效率,使設(shè)計(jì)者能夠滿足行業(yè)嚴(yán)格的待機(jī)功耗和平均能效目標(biāo)。MasterGaN4L HEMT定位最高功率200W的應(yīng)用,導(dǎo)通電阻RDS(on)為225m?,額定電流為6.5A。

EVLMG1LPBRDR1和EVLMG4LPWRBR1演示板現(xiàn)已上市,有助于開發(fā)者評估每款產(chǎn)品的功能。這兩塊板子集成一個針對LLC應(yīng)用優(yōu)化的GaN半橋功率模組,方便開發(fā)者利用MasterGaN1L和MasterGaN4L器件快速創(chuàng)建新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),而無需使用完整的PCB設(shè)計(jì)。

這兩款器件均已量產(chǎn),采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝。

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