英飛凌為汽車應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7
【2024年4月15日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出其最新先進(jìn)功率MOSFET 技術(shù)—— OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點(diǎn)包括功率密度顯著提高,和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的 48 V板網(wǎng)應(yīng)用。它專為滿足高要求汽車應(yīng)用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而打造,包括電動(dòng)汽車的汽車直流-直流轉(zhuǎn)換器、48 V電機(jī)控制(例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS))、48 V電池開關(guān)以及電動(dòng)兩輪車和三輪車等。
TDSON汽車OptiMOS? 7
與上一代產(chǎn)品相比,英飛凌IAUCN08S7N013的RDS(on)降低了50%以上,最高不超過1.3 mΩ,達(dá)到目前業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先水平。該產(chǎn)品以5 x 6 mm2 封裝實(shí)現(xiàn)了更小的傳導(dǎo)損耗、超強(qiáng)的開關(guān)性能和更高的功率密度等優(yōu)點(diǎn)。此外,IAUCN08S7N013 還具有封裝電阻和電感低以及抗雪崩電流能力強(qiáng)的特點(diǎn)。該半導(dǎo)體器件在汽車應(yīng)用方面已取得 AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)以上的認(rèn)證。
供貨情況
IAUCN08S7N013 現(xiàn)已量產(chǎn)并上市。