TrendForce集邦咨詢：預(yù)計(jì)2025年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將因價(jià)格上漲和HBM、QLC技術(shù)的崛起而創(chuàng)新高

時(shí)間：2024-07-22 17:27:03

關(guān)鍵字： HBM QLC技術(shù) 存儲(chǔ)器

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[導(dǎo)讀]Jul. 22, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告，受惠于位元需求成長(zhǎng)、供需結(jié)構(gòu)改善拉升價(jià)格，加上HBM(高帶寬內(nèi)存)等高附加價(jià)值產(chǎn)品崛起，預(yù)估DRAM(內(nèi)存)及NAND Flash(閃存)產(chǎn)業(yè)2024年?duì)I收年增幅度將分別增加75%和77%。而2025年產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將持續(xù)維持成長(zhǎng)，DRAM年增約51%、NAND Flash年增長(zhǎng)則來(lái)到29%，營(yíng)收將創(chuàng)歷史新高，并且推動(dòng)資本支出回溫、帶動(dòng)上游原料需求，只是存儲(chǔ)器買方成本壓力將隨之上升。

Jul. 22, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告，受惠于位元需求成長(zhǎng)、供需結(jié)構(gòu)改善拉升價(jià)格，加上HBM(高帶寬內(nèi)存)等高附加價(jià)值產(chǎn)品崛起，預(yù)估DRAM(內(nèi)存)及NAND Flash(閃存)產(chǎn)業(yè)2024年?duì)I收年增幅度將分別增加75%和77%。而2025年產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將持續(xù)維持成長(zhǎng)，DRAM年增約51%、NAND Flash年增長(zhǎng)則來(lái)到29%，營(yíng)收將創(chuàng)歷史新高，并且推動(dòng)資本支出回溫、帶動(dòng)上游原料需求，只是存儲(chǔ)器買方成本壓力將隨之上升。

HBM興起推升DRAM營(yíng)收

TrendForce集邦咨詢估計(jì)，預(yù)估受惠于DRAM均價(jià)在2024年增加53%、2025年增加35%的條件下，進(jìn)一步推升2024年DRAM營(yíng)收達(dá)907億美元、年增75%，2025年達(dá)1,365億美元、年增51%。

TrendForce集邦咨詢表示，4項(xiàng)驅(qū)動(dòng)DRAM營(yíng)收的因素包括HBM崛起、一般型DRAM產(chǎn)品世代演進(jìn)、原廠資本支出限縮供給和服務(wù)器需求復(fù)蘇。相較一般型DRAM，HBM除拉升位元需求，也拉高產(chǎn)業(yè)平均價(jià)格。預(yù)估2024年HBM將貢獻(xiàn)DRAM位元出貨量5%、營(yíng)收20%。

此外，DDR5和LPDDR5/5X等高附加價(jià)值產(chǎn)品的滲透同樣有助提高平均價(jià)格。TrendForce集邦咨詢估計(jì)，DDR5將分別貢獻(xiàn)2024、2025年Server DRAM位元出貨量40%、60-65%，LPDDR5/5X會(huì)貢獻(xiàn)2024、2025年Mobile DRAM(行動(dòng)式內(nèi)存)位元出貨量50%和60%。

QLC大容量Enterprise SSD、UFS助益2025年NAND Flash營(yíng)收創(chuàng)紀(jì)錄

TrendForce集邦咨詢估計(jì)，2024年NAND Flash營(yíng)收將達(dá)674億美元、年增77%;2025年在大容量QLC(四層式存儲(chǔ)單元) Enterprise SSD(企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤)崛起、智能手機(jī)采用QLC UFS(通用閃存存儲(chǔ))、原廠資本支出限縮供給和服務(wù)器需求復(fù)蘇等4項(xiàng)因素帶動(dòng)下，NAND Flash營(yíng)收將達(dá)870億美元、年增29%。北美CSPs(云端服務(wù)業(yè)者)已開(kāi)始在Inference AI Server(推理用人工智能服務(wù)器)大量采用QLC Enterprise SSD，尤其是大容量規(guī)格。TrendForce集邦咨詢預(yù)估，QLC將貢獻(xiàn)2024年NAND Flash位元出貨量20%，此比重2025年將再提升。在智能手機(jī)應(yīng)用，QLC預(yù)計(jì)逐步滲透UFS市場(chǎng)，部分中國(guó)智能手機(jī)業(yè)者預(yù)計(jì)于2024年第四季起采用QLC UFS方案，Apple(蘋(píng)果)則預(yù)計(jì)2026年開(kāi)始導(dǎo)入至iPhone。

DRAM、NAND Flash營(yíng)收攀高將影響產(chǎn)業(yè)生態(tài)

TrendForce集邦咨詢表示，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)營(yíng)收創(chuàng)紀(jì)錄下，原廠將有足夠現(xiàn)金流加速投資。預(yù)估2025年DRAM、NAND Flash產(chǎn)業(yè)資本支出分別年增25%、10%，且有機(jī)會(huì)上修。此外，存儲(chǔ)器生產(chǎn)規(guī)模提升將帶動(dòng)對(duì)硅晶圓、化學(xué)品等上游原料需求，但相反的，存儲(chǔ)器價(jià)格上漲將增加電子產(chǎn)品成本，ODM/OEM(原始設(shè)計(jì)制造商/原始設(shè)備制造商)業(yè)者較難完全將成本反映在零售價(jià)上，利潤(rùn)將被壓縮，終端銷量也可能受到影響，導(dǎo)致需求下滑。