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[導(dǎo)讀]大規(guī)模集成電路的飛速發(fā)展使得電子產(chǎn)品的體積越來越小,促使了便攜式電子產(chǎn)品如雨后春筍一般蓬勃發(fā)展,不斷添加的新特征和能力,使得電子產(chǎn)品變得越來越復(fù)雜。

大規(guī)模集成電路的飛速發(fā)展使得電子產(chǎn)品的體積越來越小,促使了便攜式電子產(chǎn)品如雨后春筍一般蓬勃發(fā)展,不斷添加的新特征和能力,使得電子產(chǎn)品變得越來越復(fù)雜,作為電子設(shè)備運(yùn)作的核心——電源就面臨了越來越大的挑戰(zhàn)。DC-DC電源管理芯片的高效率,低功耗等特性使得它在便攜式電子設(shè)備市場中具有不可替代的地位,因此研究并改善DC-DC的性能具有很大的意義。 除了性能要滿足供電產(chǎn)品的要求外,電源自身的保護(hù)措施也非常重要,過流保護(hù)即是防止DC-DC因過載或輸出短路造成意外損壞的防護(hù)措施之一。而電流檢測又是過流保護(hù)的重中之重。本文中首先分析了傳統(tǒng)電流檢測方法的功能及優(yōu)缺點(diǎn),在此基礎(chǔ)上研究并提出了一種適用于電流控制模式的降壓型DC-DC芯片的高性能的電流檢測電路,可以及時探知電流大小,可靠地保護(hù)芯片。 本文所設(shè)計的電流檢測電路包括電流采樣電路和限流電路兩部分,其中,電流采樣部分是檢測電路可靠工作的關(guān)鍵所在。電流采樣是利用了差分放大器兩個輸入端的虛短特性,將一端與功率元件連接,則另一端輸入就等于相應(yīng)點(diǎn)的電壓。采樣電路使用了折疊式共源共柵差分電路作為采樣放大器。并使用伸縮式串接差分電路構(gòu)成兩級比較器對采樣信號進(jìn)行比較。 利用CMOS工藝設(shè)計的電路容易縮減元件尺寸,增加MOSFETs的速度,而且功耗低、制作成本也低,本文的電流檢測電路就采用了0.6μm的標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝設(shè)計,達(dá)到了較好的性能指標(biāo)。利用Hspice仿真,證明了該電流檢測電路的可行性和可靠性。而且此電路也適用于升壓型和降—升壓型DC-DC芯片的電流檢測。

電源作為所有電子產(chǎn)品不可或缺的部分,起著非常重要的作用。如何提高功率密度以及產(chǎn)品功能特性(例如EMC、保護(hù)性能等),成為不少半導(dǎo)體廠商需解決的問題。而近些年來,電子產(chǎn)品爆炸,起火等安全問題時有出現(xiàn),電源安全也需要引起人們的高度重視。電源的保護(hù)特性,往往離不開電流電壓檢測的方式。

本文旨在介紹DC-DC(非特大功率應(yīng)用)中幾種比較常用的電流檢測方式及其優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn),當(dāng)中包括三種DC-DC中比較常用的電流檢測方式:

Rsense電阻檢測

電感DCR檢測

Mosfet Rdson檢測

常用電流檢測方式介紹

方式一: Rsense電阻檢測

采用Rsense電阻檢測的優(yōu)點(diǎn)是合金電阻可以把溫度系數(shù)降低到1PPM/℃。在高低溫(比如-40℃到85℃或者125℃)的變化之下,電流檢測出來的結(jié)果不會相差太大。

但缺點(diǎn)是合金電阻會帶來一部分的損耗,同時對于輸出大電流的應(yīng)用(20A/30A)而言,每一個毫歐都能帶來0.4W/0.9W的損耗,因此有時候需要多個合金電阻并聯(lián),此時會增加整個電源的面積。

如下圖1是LTC7803方案使用Rsense電阻進(jìn)行電流檢測,對于輸出電流I來說,則有檢測的輸出信號等于CF兩端的電壓Vcf,根據(jù)傳遞公式如下:


基于LTC7803方案的Rsense電阻電流采樣

公式中,Rsense+S*ESL是整個檢測電阻兩端的電壓(S=jw),

基于LTC7803方案的Rsense電阻電流采樣是整個電壓在電容Cf上的阻抗值。當(dāng)Rf*Cf=ESL/Rsense的時候,帶入可以求得Vcf=I*Rsense,這也是為什么很多電源參考設(shè)計都會加入一些RC的網(wǎng)絡(luò)。


基于LTC7803方案的Rsense電阻電流采樣

圖 1 基于LTC7803方案的Rsense電阻電流采樣

方式二: 電感DCR檢測

采用DCR檢測的優(yōu)點(diǎn)是可以減小損耗,增加電源的效率。

缺點(diǎn)是電感的DCR溫度系數(shù)一般是正溫度系數(shù),大約3900PPM/℃的變化率(如果是100℃溫度的變化,就有39%的電流采樣誤差)。因此在高低溫的環(huán)境下,可以直觀地發(fā)現(xiàn)電源過流保護(hù)的保護(hù)點(diǎn)相差很大,如果需要抵消溫度帶來的影響,則需要增加溫度補(bǔ)償電路。

圖2是LTC7803采用電感DCR去進(jìn)行檢測,對于輸出電流I來說,檢測的信號電壓等于C1//R2之后兩端的電壓(也有的DCR采樣部分是沒有R2這個電阻),根據(jù)傳遞公式可以得Vc1:


基于LTC7803方案的Rsense電阻電流采樣

當(dāng)(R1//R2)*C1=L/DCR時,Vc1=I*DCR*R2/(R1+R2)。


基于LTC7803方案的Rsense電阻電流采樣

圖 2 基于LTC7803方案的電感DCR電流采樣這個傳遞函數(shù)是沒有考慮DCR隨溫度變化的因素,假設(shè)溫度升高,DCR增大,Vc1增大,但是門限不變,那么對應(yīng)的過流保護(hù)點(diǎn)就會變小。

一些多相的設(shè)計會采用溫度補(bǔ)償電路去匹配,譬如比如NTC電路 (可以參考Intersil的ISL6334),但是此時需要注意NTC電阻的放置的位置(需要盡量靠近電感放置),另外選擇NTC電阻的B值也要盡量去匹配電路。另外,也可以使用到采用圖3,LTM4664 Module等類似的PSM電源方案,內(nèi)部有2路的溫度采樣點(diǎn)(對應(yīng)兩路輸出),用內(nèi)部的ADC去采樣,由于功能全部集成,可以把溫度采樣點(diǎn)盡量接近電感。


基于LTC7803方案的Rsense電阻電流采樣

圖 3 LTM4664內(nèi)部框圖-輸入30-58V輸出0.5-1.5V/2X25A (詳情請參考LTM4664數(shù)據(jù)手冊第26頁)

方式三: Mosfet Rdson檢測

對于一部分集成Mosfet的DC-DC驅(qū)動器而言,由于是內(nèi)部集成的Mosfet,可以知道其導(dǎo)通的電阻Rdson,則可以采樣Rdson上的電壓去計算管子上流過的電流。該檢測的優(yōu)點(diǎn)是集成方便,同時可以把方案的體積做小型點(diǎn)。

缺點(diǎn)就是Rdson也是正溫度系數(shù),而且Rdson不可能做到完全一致,因此過流保護(hù)點(diǎn)也會在一個范圍內(nèi)波動,如圖4的LT8610的內(nèi)部框圖和圖5的電氣特性表。


基于LTC7803方案的Rsense電阻電流采樣

圖 4 LT8610內(nèi)部框圖/紅色圈出部分為芯片內(nèi)部電流采樣的位置

基于LTC7803方案的Rsense電阻電流采樣

圖 5 LT8610上下管的過流點(diǎn)以及上下管的Rdson總結(jié)

本文主要介紹了三種DC-DC中比較常用的電流檢測方式:Rsense電阻檢測、電感DCR檢測和Mosfet Rdson檢測。此外,一些大電流的應(yīng)用會采用霍爾檢測電流去提高效率,來實現(xiàn)檢測隔離;而一些新興的產(chǎn)品會采用電流鏡的方式去檢測電流。 ADI-LT電源數(shù)據(jù)手冊提供了詳細(xì)的方案以及應(yīng)用介紹,包括計算公式,實現(xiàn)的拓?fù)浞绞?,以及布局Layout上的注意事項,是大家學(xué)習(xí)提升的好幫手。

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