憶聯(lián)ESSD以高安全高可靠助推新質生產(chǎn)力發(fā)展，加速算力升級

深圳2024年9月11日 /美通社/ -- 近日，2024開放數(shù)據(jù)中心大會在北京成功舉辦，在此次大會的新技術與測試技術論壇中，憶聯(lián)發(fā)表了題為"SSD數(shù)據(jù)安全和可靠性加固"的主題演講，深入探討了SSD在安全性與可靠性方面的技術設計及應用實踐。

一、強化存儲可靠性，筑牢信息防護網(wǎng)

如今，數(shù)據(jù)中心不再僅僅是存儲大量數(shù)據(jù)的場所，而是成為了處理、加速、展示、計算和存儲數(shù)據(jù)信息的全球協(xié)作的特定設備網(wǎng)絡，對存儲的需求也早已不再只關注容量和速度。憶聯(lián)表示："作為主流數(shù)據(jù)存儲設備，SSD不僅提供數(shù)據(jù)的高速存儲與高效訪問，其安全性和可靠性同樣不容忽視。"

一直以來，憶聯(lián)始終專注于SSD的可靠性和安全性。在此次大會中，憶聯(lián)專家展示了憶聯(lián)在中子實驗中的測試結果以及所采用的一系列高效可靠性手段。

二、憶聯(lián)中子實驗：可抵抗一定中子輻照的高可靠性

01中子注量對比

憶聯(lián)與國內(nèi)知名實驗室聯(lián)合展開了中子試驗，通過模擬高輻射環(huán)境，對企業(yè)級SSD在高強度中子注量下的可靠性進行了測試。中子實驗參照了國內(nèi)地面條件下中子注量最多的阿里地區(qū)進行對比，確保測試環(huán)境的嚴苛性和代表性。實驗中的中子輻照強度遠超阿里地區(qū)的自然中子通量，在5分鐘時，實驗室環(huán)境中子注入量遠超阿里地區(qū)自然中子量約1,880,000倍，驗證了SSD在極端環(huán)境下的可靠性。

（中子實驗：中子注量對比）

02 DDR_ECC/UNC運行結果

在高輻射環(huán)境下，大量中子通量可能導致電子設備出現(xiàn)比特翻轉等故障。憶聯(lián)SSD在實驗中通過DDR_ECC（錯誤檢測和糾正）與UNC（未糾正錯誤）功能，能夠有效地檢測和修正比特翻轉問題，確保數(shù)據(jù)的完整性和可靠性。實驗結果顯示，憶聯(lián)SSD的糾錯能力表現(xiàn)優(yōu)異，能夠應對復雜的環(huán)境挑戰(zhàn)。

（中子實驗：DDR_ECC/UNC運行結果）

03 UH8系SSD正常運行時間

憶聯(lián)UH8系列企業(yè)級SSD在實驗中表現(xiàn)出了極高的抗中子輻照能力，其平均安全運行時間達到12.3分鐘。這一結果顯著超越了阿里地區(qū)中子注量率基準下運行5年壽命的83秒換算標準，表明憶聯(lián)SSD在高中子通量環(huán)境下具有更長的壽命和更高的可靠性，確保了關鍵數(shù)據(jù)的安全存儲。

（中子實驗：UH8系SSD正常運行時間）

三、憶聯(lián) LDPC糾錯能力領先

憶聯(lián)SSD采用先進的LDPC（低密度奇偶校驗）糾錯算法，與自研的介質管理算法相結合，支持更高的糾錯范圍，大幅提升了企業(yè)級SSD的壽命和可靠性。憶聯(lián)產(chǎn)品的UBER（未更正的位錯誤率）指標達到1E-18，遠高于業(yè)界平均的1E-17水平，有力保障了存儲產(chǎn)品在不同使用場景下的高可靠性。

（領先的LDPC糾錯能力）

01元數(shù)據(jù)分級備份

憶聯(lián)企業(yè)級SSD還具備元數(shù)據(jù)分級多備份設計，提供從Level 1到Level 3的多級保護機制。元數(shù)據(jù)分級多備份包括集中存儲、分布式存儲、以及閃存OOB區(qū)域保護，確保在低層級元數(shù)據(jù)遭到破壞時，能夠逐級恢復數(shù)據(jù)，進一步提高數(shù)據(jù)存儲的可靠性和安全性。

（元數(shù)據(jù)分級備份）

憶聯(lián)深知在數(shù)字化轉型的浪潮中，新質生產(chǎn)力的崛起是推動經(jīng)濟高質量發(fā)展和構建現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系的關鍵。為此，憶聯(lián)持續(xù)聚焦技術創(chuàng)新與產(chǎn)品研發(fā)，致力于打造符合千行百業(yè)實際需求的存儲解決方案，通過不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能、提升用戶體驗，能夠為各行各業(yè)提供強有力的存力支撐，成為新質生產(chǎn)力的強大賦能者，推動新質生產(chǎn)力快速發(fā)展。