常用隔離的拓?fù)渲虚_關(guān)頻率和占空比的實(shí)際限制分析
1 摘要
決定拓?fù)?/a>選擇的一個重要因素是輸入電壓和輸出/輸入比。圖 1 示出了常用隔離的拓?fù)湎鄬m用 的電壓范圍。拓?fù)溥x擇還與輸出功率,輸出電壓路數(shù),輸出電壓調(diào)節(jié)范圍等有關(guān)。一般情況下,對于 給定場合你可以應(yīng)用多種拓?fù)洌豢赡苷f某種拓?fù)鋵δ撤N應(yīng)用是絕對地適用,因?yàn)楫a(chǎn)品設(shè)計還有設(shè)計 者對某種拓?fù)涞慕?jīng)驗(yàn)、元器件是否容易得到、成本要求、對技術(shù)人員要求、調(diào)試設(shè)備和人員素質(zhì)、生 產(chǎn)工藝設(shè)備、批量、軍品還是民品等等因素有關(guān)。因此要選擇最好的拓?fù)?,必須熟悉每種拓?fù)涞拈L處 和短處以及拓?fù)涞膽?yīng)用領(lǐng)域。如果隨便選擇一個拓?fù)?,可能一開始就宣布新電源設(shè)計的失敗。
圖 1 各種隔離拓?fù)鋺?yīng)用電壓范
2 輸入和輸出
如果輸出與輸入共地,則可以采用非隔離的 Buck,Boost 共地變換器。這些電路結(jié)構(gòu)簡單,元器 件少。如果輸入電壓很高,從安全考慮,一般輸出 需要與輸入隔離。
在選擇拓?fù)渲?,你首先?yīng)當(dāng)知道輸入電壓變 化范圍內(nèi),輸出電壓是高于還是低于輸入電壓?例 如,Buck 變換器僅可用于輸出電壓低于輸入電壓的 場合,所以,輸出電壓應(yīng)當(dāng)在任何時候都應(yīng)當(dāng)?shù)陀?輸入電壓。如果你要求輸入 24V,輸出 15V,就可以采用 Buck 拓?fù)?但是輸入 24V 是從 8V~ 80V,你就不能使用 Buck 變換器,因?yàn)?Buck 變換器不能將 8V 變換成 15V。如 果輸出電壓始終高于輸入電壓,就得采用 Boost拓?fù)?
如果輸出電壓與輸入電壓比太大(或太小)是有限制的,例如輸入 400V,要求輸出 48V 還是采 用 Buck 變換器,則電壓比太大,雖然輸出電壓始終低于輸入電壓,但這樣大的電壓比,盡管沒有超 出控制芯片的最小占空比范圍,但是,限制了開關(guān)頻率。而且功率器件峰值電流大,功率器件選擇困 難。如果采用具有隔離的拓?fù)洌梢酝ㄟ^匝比調(diào)節(jié)合適的占空比。達(dá)到較好的性能價格比。
3 開關(guān)頻率和占空比的實(shí)際限制
3.1 開關(guān)頻率
在設(shè)計變換器時,首先要選擇開關(guān)頻率。提高頻率的主要目的是減少電源的體積和重量。而占電 源體積和重量最大的是磁性元件?,F(xiàn)代開關(guān)電源中磁性元器件占開關(guān)電源的體積(20%~30%),重 量(30%~40%),損耗 20%~30%。根據(jù)電磁感應(yīng)定律有
式中 U-變壓器施加的電壓;N-線圈匝數(shù);A-磁芯截面積;ΔB-磁通密度變化量;f-變壓器工作 頻率。
在頻率較低時,ΔB 受磁性材料飽和限制。由上式可見,當(dāng) U 一定時,要使得磁芯體積減少,匝 數(shù)和磁芯截面積乘積與頻率成反比,提高頻率是減少電源體積的主要措施。這是開關(guān)電源出現(xiàn)以來無 數(shù)科技工作者主要研究課題。
但是能否無限制提高開關(guān)電源頻率?非也。主要有兩個限制因素:第一是磁性材料的損耗。高頻 時一般采用鐵氧體,其單位體積損耗表示為
式中 η -不同材料的系數(shù);f-工作頻率;Bm-工作磁感應(yīng)幅值。 α 和 β 分別為大于 1 的頻率和磁感應(yīng) 損耗指數(shù)。一般α=1.2~1.7;β=2~2.7。頻率提高損耗加大,為減少損耗,高頻時,降低磁感應(yīng)Bm 使得損耗不太大,違背了減少體積的目的。否則損耗太大, 效率降低。再者,磁芯處理功率越大,體積越大散熱條件越 差,大功率磁芯也限制開關(guān)頻率。
圖 2Buck變換器功率管電流、電壓波形
其次,功率器件開關(guān)損耗限制。以 Buck 變換器為例來 說明開關(guān)損耗。圖 2 是典型的電流連續(xù) Buck 變換器功率 管電流電壓波形圖。可以看到,晶體管開通時,集電極電流 上升到最大值時集電極電壓才開始下降。關(guān)斷時,集電極電 壓首先上升到最大值集電極電流才開始下降。假定電壓、電 流上升和下降都是線性的。可以得到開關(guān)損耗為
式中tr=tri+trv —開通時電流上升時間與電壓下降時間之和; td=tdi+tdv —關(guān)斷時電壓上升時間與 電流下降時間之和。一般 tr+td< T/20。假定 tr=td=ts—開關(guān)時間。則
如果電流斷續(xù),只有關(guān)斷損耗,開關(guān)損耗為
可見,開關(guān)損耗與頻率、開關(guān)時間成正比。斷續(xù)似乎比連續(xù)開關(guān)損耗少一半,但應(yīng)當(dāng)注意,在同 樣輸出功率時,功率管電流至少是電流連續(xù)時的一倍,除了器件電流定額加大,成本增加外,導(dǎo)通壓 降損耗也增加。濾波電感磁芯工作在正激變壓器狀態(tài),磁芯和線圈高頻損耗也將大大增加。雖然,通 過軟開關(guān)技術(shù)可以減少開關(guān)損耗,但請注意,軟開關(guān)總是利用 LC 諧振,諧振電流(或電壓)很大,諧 振電流通過晶體管、電感 L 和電容 C,這些元器件也是有損耗的。有時只提高效率 1~2%,但電路復(fù) 雜,元件數(shù)增多,成本增加,有時甚至得不償失。目前用 MOSFET 開關(guān)的電源,功率在 5kW 以下,工作 頻率一般在 200kHz 以下。BJT 最高達(dá) 50kHz 。3kW 以上采用 IGBT 的最高 30kHz。用 MOSFET 與 IGBT (BJT)組合管最高也不超過 100kHz。變換功率幾十瓦,當(dāng)然工作頻率可以提高。
此外,變換功率越大,電流電壓越大,如果大功率管與小功率管相同的電流上升和下降速率,大 功率管需要更長的開關(guān)時間。何況大功率器件芯片面積大,為避免電流集中降低開關(guān)時電流升降速率 也增加了開關(guān)時間??梢?,變換功率越大,允許開關(guān)頻率越低。
如果你聽說他的開關(guān)電源工作頻率可達(dá)幾個 MHz,你得問問他的變換功率有多大?
3.2 占空度
開關(guān)變換器的變換比(輸出電壓與輸入電壓比)太大或太小是有限制的。首先,變換器占空比 (開關(guān)導(dǎo)通時間與開關(guān)周期之比)受控制芯片最大和最小值的限制。在有些拓?fù)渲?,占空比不能大?.5??傊?,通用 PWM控制 IC芯片通常不保證占空比能大于 0.85;有些芯片在合理的工作頻率下,也 不保證占空比在 0.05以下能以較小的損耗快速驅(qū)動 MOSFET的柵極。
例如,開關(guān)頻率為 250kHz,周期為 4μs,如果占空比是 0.1,MOSFET 的導(dǎo)通時間僅為 0.4μs,要 是 MOSFET 的開通時間為 0.1μs,關(guān)斷時間也為 0.1μs,幾乎大部分導(dǎo)通時間被過渡時間“吃”掉了, 損耗加大。這就為什么變換功率越高,工作頻率越低的原因之一。
不管控制 IC和高電流柵極驅(qū)動等等,只要不將占空比設(shè)計在最小 0.1和最大 0.8(對于 0.5限制度 變換器為 0.45)之外,那就不必?fù)?dān)心。
如果采用的拓?fù)溆凶儔浩?,變比可以調(diào)節(jié)占空度。但變比也有限制。如果變比太大或太小,初級 與次級導(dǎo)線尺寸相差太大,線圈繞制發(fā)生困難。一般初級與次級匝比最大為 10:1,最小為 1:10。要是你 需要由很低的電壓獲得高壓,你是否考慮采用兩級變換器或次級采取倍壓電路提升電壓。
4 幾個輸出?
緊接占空比的問題是多少輸出。例如,如果不是 1 個輸出,Buck 是不適合的。在有些情況下,可以加后續(xù)調(diào)節(jié)器得到另一個電壓,實(shí)際的例子是用 Buck 變換器產(chǎn)生 5V 輸出,再由線性調(diào)節(jié)器(或另 一個開關(guān))從 5V輸入產(chǎn)生一個 3.3V輸出。但相關(guān)的瞬態(tài)、噪聲、損耗應(yīng)滿足要求。
最壞的情況下,設(shè)計多個獨(dú)立的變換器,而不是采用復(fù)雜的許多線圈的磁元件。在開始設(shè)計之 前,你得考慮考慮,要是采用多輸出變換器,或許節(jié)省了幾塊錢的控制 IC,但可能花幾十塊錢做那個 復(fù)雜的多線圈磁元件。在設(shè)計之前,首先應(yīng)權(quán)衡磁元件、電路元件及附加成本,不要就事論事。
5 隔離
在設(shè)計前預(yù)先要知道次級與初級是否需要隔離。如輸入由電網(wǎng)或高壓供電,作為商品有安全規(guī)范 (以及 EMI 問題)需要隔離的要求。典型的例子是輸入與輸出有 500V 交流耐壓要求。你知道安全要 求后,有些拓?fù)洌駴]有隔離的 Buck,Boost等等將排除在外。
6 EMI
在設(shè)計開始時就要想到 EMI 問題,不要等到設(shè)計好了再考慮 EMI。有些拓?fù)淇赡苡性S多成功地避 免 EMI 問題。如果是不隔離的系統(tǒng),因?yàn)樵谙到y(tǒng)中不涉及到第三根導(dǎo)線,如單獨(dú)用電池供電,就沒有 共模噪聲,這使你濾波變得容易。
此外,某些拓?fù)渚褪潜绕渌負(fù)渚哂懈嗟脑肼?。區(qū)別在于某些拓?fù)湓诿總€周期的部分時間與輸 入斷開,引起輸入電流的中斷。如果輸入電流連續(xù),就沒有陡峭的上升和下降沿,電流不會為零,就 容易濾波。
Buck 變換器就是輸入電流斷續(xù)的一個例子,因?yàn)楫?dāng)開關(guān)打開時,輸入電流為零。Boost 變換器的 電感始終接在輸入回路中,但輸入電流是否連續(xù)取決于 Boost是否工作在斷續(xù)還是連續(xù)。
筆者建議大功率電源最好不要采用輸入電流斷續(xù)的拓?fù)?,因?yàn)槟切┩負(fù)渫ǔP枰芑ㄥX的磁元 件。
7 BJT,MOSFET 還是 IGBT?
拓?fù)溥x擇與所能用的功率器件有關(guān)。就目前可以買到的功率器件有雙極型(BJT)功率管, MOSFET 和 IGBT。雙極型管的電壓定額可超過 1.5kV,常用 1kV 以下,電流從幾 mA 到數(shù)百 A; MOSFET 在 1kV 以下,常用 500V 以下,電流數(shù) A 到數(shù)百 A;IGBT 電壓定額在 500V 以上,可達(dá)數(shù) kV,電流數(shù)十 A到數(shù) kA。
不同的器件具有不同的驅(qū)動要求:雙極型晶體管是電流驅(qū)動,大功率高壓管的電流增益低,常用 于單開關(guān)拓?fù)?。在低功率到中等功率范圍,除了特別的理由以外,90%選擇 MOSFET。
理由之一是成本。如果產(chǎn)品產(chǎn)量大,雙極性管仍然比 MOSFET 便宜。但是使用雙極型功率管就意 味著開關(guān)頻率比 MOSFET低,因此磁元件體積比較大。這樣是否還合算?你得仔細(xì)研究研究成本。
高輸入電壓(380V)時,或推挽拓?fù)浼由纤矐B(tài)電壓要求雙倍以上電壓,選擇功率管你可能感到為 難,如果采用雙極型管,你可以買到 1500V雙極型管,而目前能買到 MOSFET最大電壓為 1000V,導(dǎo) 通電阻比 BJT 大。當(dāng)然,你可能考慮用 IGBT,遺憾的是 IGBT 驅(qū)動雖然像 MOSFET,而它的開關(guān)速 度與雙極型管相似,有嚴(yán)重的拖尾問題。
可見,低壓(500V)以下,基本上是 MOSFET 天下,小功率(數(shù)百瓦)開關(guān)頻率數(shù)百 kHz。 IGBT 定額一般在 500V 以上,電流數(shù)十 A 以上,主要應(yīng)用于調(diào)速,基本上代替高壓達(dá)林頓雙極型管。 工作頻率最高可達(dá) 30kHz,通常在 20kHz左右。因?yàn)閷?dǎo)通壓降大,不用于 100V以下。
圖 3. 提高功率開關(guān)頻率
(a) IGBT與 MOSFET并聯(lián) (b) BJT與 MOSFET串聯(lián)
為了提高IGBT或BJT的開關(guān)速度,也可將MOSFET與 BJT或IGBT組合成復(fù)合管。圖 3(b)中U(BR)CBO/70A的BJT 與 50V/60A的MOSFET串聯(lián),用于三相 380V整流電感濾 波輸入(510V)雙端正激 3kW通信電源中。導(dǎo)通時首先 驅(qū)動功率MOSFET,這時BJT工作在共基極組態(tài),發(fā)射極 輸入電流,或因MOSFET導(dǎo)通漏極電壓下降,BJT發(fā)射結(jié) 正偏,產(chǎn)生基極電流,導(dǎo)致集電極電流,通過比例驅(qū)動電 路形成正反饋,使得BJT飽和導(dǎo)通。當(dāng)關(guān)斷時,首先關(guān)斷 MOSFET,發(fā)射結(jié)反偏,使得BJT迅速關(guān)斷。共基極頻率 特性是共射極的β倍。提高了關(guān)斷速度。低壓MOSFET導(dǎo) 通電阻只有mΩ數(shù)量級,導(dǎo)通損耗很小。實(shí)際電路工作頻 率為 50kHz。
MOSFET 與 IGBT 并聯(lián)也是利用 MOSFET 的開關(guān)特性。要達(dá)到這一目的,應(yīng)當(dāng)這樣設(shè)計 MOSFET 和 IGBT 的驅(qū)動:開通時,PWM 信號可同時或首先驅(qū)動 MOSFET 導(dǎo)通,后導(dǎo)通 IGBT。 IGBT 零電壓導(dǎo)通。關(guān)斷時,先關(guān)斷 IGBT,IGBT 是零電壓關(guān)斷;在經(jīng)過一定延遲關(guān)斷 MOSFET。 MOSFET 承擔(dān)開關(guān)損耗;在導(dǎo)通期間,高壓 MOSFET 導(dǎo)通壓降大于 IGBT,大部分電流流過 IGBT, 讓 IGBT承擔(dān)導(dǎo)通損耗。這種組合實(shí)際例子工作頻率 50kHz,3kW半橋拓?fù)洹?
8 連續(xù)還是斷續(xù)
電感(包括反激變壓器)電流(安匝)連續(xù)還是斷續(xù):在斷續(xù)模式的變換器中,電感電流在周期的 某些時刻電流為零。電流(安匝)連續(xù)是要有足夠的電感量維持最小負(fù)載電流ILmin(包括假負(fù)載), 在周期的任何時刻電感都應(yīng)當(dāng)有電流流通。即
其中T-開關(guān)周期;D=Ton/T-占空比;Ton-晶體管導(dǎo)通時間。我們假定整流器的正向壓降與輸出電 壓相比很小。要是最小負(fù)載電流為零,你必須進(jìn)入斷續(xù)模式。
在實(shí)際電源設(shè)計時,一般電源有空載要求,又不允許電感體積太大,在輕載時肯定斷續(xù),在這種 情況下,有時設(shè)置假負(fù)載,并當(dāng)負(fù)載電流超過使假負(fù)載斷開,否則可能引起閉環(huán)控制的穩(wěn)定性問題, 應(yīng)當(dāng)仔細(xì)設(shè)計反饋補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。
同步整流是一個例外。變換器應(yīng)用同步整流總是連續(xù)模式,沒有最小電感要求。
9 同步整流
在現(xiàn)今許多低輸出電壓應(yīng)用場合,變換器效率比成本更(幾乎)重要。從用戶觀點(diǎn)來說,比較貴 的但高效率的變換器實(shí)際上是便宜的。如果一臺計算機(jī)電源效率低,真正計算時間常常很少,而待機(jī) 時間很長,將花費(fèi)更多的電費(fèi)。
如果效率很重要,就要考慮采用同步整流技術(shù)。即輸出整流采用 MOSFET。當(dāng)今可買到許多 IC 驅(qū)動芯片既能驅(qū)動場效應(yīng)管,也能很好驅(qū)動同步整流器。
采用同步整流的另一個理由是它將電流斷續(xù)模式工作的變換器轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏鬟B續(xù)工作模式。這是因 為即使沒有負(fù)載,電流可以在兩個方向流通(因?yàn)?MOSFET 可以在兩個方向?qū)?。運(yùn)用同步整流, 解除了你對模式改變的擔(dān)心(模式改變可能引起變換器的不穩(wěn)定)和保證連續(xù)的最小電感要求。
圖 4 (a) 二極管整流變換器和(b)同步整流變換器
同步整流一個問題這里值得提一下。主開關(guān)管在同步整流導(dǎo)通前關(guān)斷,反之亦然。 如果忽略了這樣處理,將產(chǎn)生穿通現(xiàn)象,即 輸入(或輸出)電壓將直接對地短路,而造 成很高的損耗和可能導(dǎo)致失效。在兩個 MOSFET 關(guān)斷時間,電感電流還在流。通 常,MOSFET 體二極管不應(yīng)當(dāng)流過電流,因 為這個二極管恢復(fù)時間很長。如假定 MOSFET 截止時體二極管流過電流,當(dāng)體二 極管恢復(fù)時,它在反向恢復(fù)起短路作用,所 以一旦輸入(或輸出)到地通路,發(fā)生穿 通,就可能導(dǎo)致變換器失效,如圖 4(b)所示。解決這個問題可用一個肖特基二極管與 MOSFET 的體二極管并聯(lián),讓它在場效應(yīng)管截止時流過 電流。(因?yàn)樾ぬ鼗恼驂航当润w二極管低,肖特基幾乎流過全部電流,體二極管的反向恢復(fù)時間 與關(guān)斷前正向電流有關(guān),所以這時可以忽略)
10 電壓型與電流型控制
開關(guān)電源設(shè)計要預(yù)先考慮是采用電壓型還是電流型控制,這是一個控制問題。幾乎每個拓?fù)涠伎? 以采用兩者之一。電流型控制可以逐個周期限制電流,過流保護(hù)也變得容易實(shí)現(xiàn)。同時對推挽或全橋 變換器可以克服輸出變壓器的磁偏。但如果電流很大,電流型需要檢測電阻(損耗很大功率)或互感 器(花費(fèi)很多錢)檢測電流,就可能影響你的選擇。不過這樣過流保護(hù)檢測倒是順?biāo)浦哿?。但是? 如果你把電流控制型用于半橋變換器,有可能造成分壓電容電壓不平衡。所以對于大功率輸出,應(yīng)當(dāng) 考慮選擇那一種更好。
11 結(jié)論
最好你在設(shè)計一個電源之前,應(yīng)當(dāng)預(yù)先知道你的電源工作的系統(tǒng)。詳細(xì)了解此系統(tǒng)對電源的要求 和限制。對系統(tǒng)透徹地了解,可大大降低成本和減少設(shè)計時間。
實(shí)際操作時,你可以從變換器要求的規(guī)范列一個表,并逐條考慮。你將發(fā)現(xiàn)根據(jù)這些規(guī)范限制你 可以選擇的拓?fù)鋬H是一個到兩個,而且根據(jù)成本和尺寸拓?fù)溥x擇很容易。一般情況下,可根據(jù)以上各 種考慮選擇拓?fù)洌?
1.升壓還是降壓:輸出電壓總是高于還是低于輸入電壓?如果不是,你就不能采用 Buck 或 Buck/Boost.
2. 占空度:輸出電壓與輸入電壓比大于 5 嗎?如果是,你可能需要一個變壓器。計算占空度保證它 不要太大和太小。
3. 需要多少組輸出電壓?如果大于 1,除非增加后續(xù)調(diào)節(jié)器,一般需要一個變壓器。如果輸出組別太 多,建議最好采用幾個變換器。
4. 是否需要隔離?多少電壓?隔離需要變壓器。
5. EMI 要求是什么?如果要求嚴(yán)格,建議不要采用像 Buck 一類輸入電流斷續(xù)的拓?fù)?/a>,而選擇電流連 續(xù)工作模式。
6. 成本是極其重要嗎?小功率高壓可以選擇 BJT。如果輸入電壓高于 500V,可考慮選擇 IGBT。反 之,采用 MOSFET。
7. 是否要求電源空載?如果要求,選擇斷續(xù)模式,除非采用問題 8。也可加假負(fù)載。
8. 能采用同步整流?這可使得變換器電流連續(xù),而與負(fù)載無關(guān)。
9. 輸出電流是否很大?如果是,應(yīng)采用電壓型,而不是電流型