汽車PTC模塊中用低側(cè)驅(qū)動(dòng)器IC
在混合動(dòng)力汽車/電動(dòng)汽車(HEV/EV)中,發(fā)動(dòng)機(jī)并不會(huì)被用來運(yùn)行加熱和冷卻系統(tǒng),這與內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車情況不同。我們使用兩個(gè)關(guān)鍵系統(tǒng)來替代這一功能:使用BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)空調(diào)壓縮機(jī),使用正溫度系數(shù) (PTC) 加熱器來加熱冷卻劑。
PTC加熱器依靠高壓電池來運(yùn)行,需要幾千瓦的功率。圖1顯示了由低側(cè)MOSFET/IGBT電源開關(guān)驅(qū)動(dòng)的典型PTC加熱器方框圖。
圖1:汽車內(nèi)部加熱器模塊的方框圖
過去,使用雙極結(jié)型晶體管(BJT)圖騰柱驅(qū)動(dòng)低側(cè)配置中的電源開關(guān)。但是,由于柵極驅(qū)動(dòng)器IC的諸多優(yōu)勢及其附加特性,它日益取代了這些分立式解決方案。圖2顯示了典型BJT圖騰柱配置與典型柵極驅(qū)動(dòng)器IC。
圖 2:BJT圖騰柱(左)與柵極驅(qū)動(dòng)器芯片UCC27517A-Q1(右)
分立式電路的一個(gè)顯著缺點(diǎn)是它不提供保護(hù),而柵極驅(qū)動(dòng)器IC集成了對(duì)于確保可預(yù)測和穩(wěn)定的柵極驅(qū)動(dòng)非常重要的功能。UCC27517A-Q1 符合汽車級(jí) AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),內(nèi)置欠壓鎖定 (UVLO) 功能。這個(gè)集成功能會(huì)鉗制UCC27517A-Q1的輸出,從而防止開關(guān)及其輸出端的MOSFET上出現(xiàn)漏源極電壓。電源電壓達(dá)到UVLO上升閾值之后,驅(qū)動(dòng)器可以向電源開關(guān)提供電流。
相比之下,BJT圖騰柱允許MOSFET產(chǎn)生壓降,但漏極電流會(huì)顯著上升。電流上升會(huì)導(dǎo)致功耗過大,并可能損壞MOSFET。
圖3顯示了在3.3V啟動(dòng)時(shí)兩個(gè)MOSFET的熱感圖像。左側(cè)是由UCC27517A-Q1驅(qū)動(dòng)的MOSFET,右側(cè)是由BJT圖騰柱驅(qū)動(dòng)的MOSFET。由于BJT圖騰柱未集成UVLO,所以會(huì)因功耗增加而使MOSFET過熱
圖3:UCC27517A-Q1驅(qū)動(dòng)的MOSFET(左)和BJT圖騰柱動(dòng)的MOSFET(右)在3.3V啟動(dòng)時(shí)的熱感圖像
分立式BJT圖騰柱電路中可增加外部UVLO電路,但這會(huì)進(jìn)一步增加元件數(shù),從而導(dǎo)致電路板尺寸更大和BOM成本更高。與分立式柵極驅(qū)動(dòng)方案相比,柵極驅(qū)動(dòng)器IC(例如,UCC27517A-Q1)需要的元件更少,并且占用更少的PCB空間。圖4突出顯示了UCC27517A-Q1的PCB布局(左)與分立式低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的PCB布局(右)。
圖4:UCC27517A-Q1的PCB布局(左)與分立式低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的PCB布局(右)
UCC27517A-Q1布局由五個(gè)元件組成,而BJT圖騰柱布局由10個(gè)元件組成。與分立式布局相比,柵極驅(qū)動(dòng)器IC布局可以減少大約65%的面積。具有更少元件的更小總體布局使用的PCB空間更小,從而可降低成本和提高功率密度。
對(duì)于多通道解決方案,UCC27524A-Q1 是一個(gè)雙通道、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器,可用于驅(qū)動(dòng)多個(gè)電源開關(guān)。