中國公司實現(xiàn)SOT-MRAM存儲關鍵突破

12月26日消息，據(jù)媒體報道，在國際微電子領域頂級學術會議IEDM第70屆年度會議上，來自中國的浙江馳拓科技發(fā)布了一項突破性的SOT-MRAM(自旋軌道矩磁性隨機存取存儲器)技術進展，解決了該技術在大規(guī)模生產中面臨的主要挑戰(zhàn)。

馳拓科技首次提出了適合大規(guī)模制造的無軌道垂直型SOT-MRAM器件結構，顯著降低了SOT-MRAM工藝流程的復雜性和難度，并從原理上提升了器件良率。

該結構的創(chuàng)新之處在于將MTJ直接放置在兩個底部電極之間，并允許過刻蝕，從而大幅度增加了刻蝕窗口，降低了刻蝕過程的難度。

這一突破性設計使得12英寸晶圓上SOT-MRAM器件的位元良率從99.6%提升至超過99.9%，達到了大規(guī)模制造的要求。

同時，該器件實現(xiàn)了2納秒的寫入速度，超過1萬億次的寫入/擦除操作次數(shù)(測量時間上限)，并且具備持續(xù)微縮的潛力。

據(jù)了解，SOT-MRAM擁有納秒級寫入速度和無限次擦寫次數(shù)，是一種有望替代CPU各級緩存的高性能非易失存儲技術，有望解決當前SRAM成本及靜態(tài)功耗過高等問題。

不過SOT-MRAM在器件制造工藝上極具挑戰(zhàn)性，特別是傳統(tǒng)方案從原理上導致刻蝕良率低，嚴重制約了其大規(guī)模生產與應用。