羅姆推出24種AC/DC轉(zhuǎn)換器用電源IC產(chǎn)品

～內(nèi)置功率MOSFET，實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的高效化與小型化～

21ic訊 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出構(gòu)成AC適配器和各種家電的一次電源的AC/DC轉(zhuǎn)換器用電源IC“BM2Pxxx/BM2PxxxF系列”。

新系列產(chǎn)品有24種，采用了羅姆自產(chǎn)的低導(dǎo)通電阻超級(jí)結(jié)MOSFET，并優(yōu)化了電路，因此達(dá)到了業(yè)界頂級(jí)的效率與低噪音。另外，還擁有表面貼裝型SOP8封裝產(chǎn)品，非常有助于設(shè)備的小型化。今后，羅姆將繼續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)品群，使白色家電和TV的待機(jī)電源、顯示器的適配器等各種家電產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高的效率。

前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Hamamatsu Co., Ltd.(日本濱松市)，后期工序?yàn)镽OHM Electronics Philippines, Inc.(菲律賓)，所有工序都在羅姆內(nèi)部完成。該系列產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2013年7月份開(kāi)始出售樣品(樣品價(jià)格：100日元～300日元)，從9月份開(kāi)始實(shí)施量產(chǎn)。

AC/DC轉(zhuǎn)換器是組成電氣電子設(shè)備的一次電源的元器件，市場(chǎng)需要的是更加節(jié)能、更加節(jié)省空間、更加方便使用的產(chǎn)品。AC/DC轉(zhuǎn)換器用電源IC一般作為電源整體要滿足國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)能源之星(Energy Star)的規(guī)定，對(duì)于包括待機(jī)時(shí)的高效化要求極高。另外，零部件個(gè)數(shù)較多而安裝面積有限，因此存在設(shè)計(jì)復(fù)雜、設(shè)計(jì)周期長(zhǎng)的課題。

羅姆針對(duì)該市場(chǎng)，充分利用LDO和DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域多年積累的電源技術(shù)以及分立晶體管的模擬電源技術(shù)，開(kāi)發(fā)出25W以下的AC適配器、家電、辦公設(shè)備用的、滿足小型高效需求的“BM2Pxxx/BM2PxxxF系列”產(chǎn)品。

※個(gè)別產(chǎn)品的樣品出售、量產(chǎn)時(shí)間可能會(huì)發(fā)生變更。

<特點(diǎn)>

1) 更加高效，有助于設(shè)備更加節(jié)能

為了提高效率，采用了羅姆自產(chǎn)的高效超級(jí)結(jié)MOSFET;為了最大限度發(fā)揮出內(nèi)置MOSFET的性能，徹底優(yōu)化了驅(qū)動(dòng)電路。效率符合Energy Star 6.0要求的86.35%，用于AC100V、25W的適配器時(shí)，與一般產(chǎn)品相比，僅僅替換IC本身就能實(shí)現(xiàn)87%以上的效率。通過(guò)進(jìn)一步優(yōu)化外圍部件，效率還可改善到90%以上。

2) 改善效率，大大降低待機(jī)功耗

此次內(nèi)置的超級(jí)結(jié)MOSFET耐壓達(dá)650V，是實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻(SOP-8也僅4.0Ω)、低柵極電荷(Qg)及高速開(kāi)關(guān)的功率MOSFET。待機(jī)功耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)Energy Star 6.0要求的100mW以下，用于25W的適配器時(shí)，AC100V時(shí)僅為20mW以下，AC230V時(shí)僅為30mW以下。通過(guò)優(yōu)化外圍部件，有望進(jìn)一步降低功耗。

3) 采用羅姆自產(chǎn)的超級(jí)結(jié)MOSFET，實(shí)現(xiàn)小型封裝

AC/DC一般多采用平面型MOSFET，因散熱問(wèn)題而較難實(shí)現(xiàn)小型化。此次，羅姆采用了自產(chǎn)的超級(jí)結(jié)MOSFET。通過(guò)內(nèi)置多種保護(hù)功能減少了外置部件數(shù)量。8W級(jí)別以下的產(chǎn)品，除了標(biāo)準(zhǔn)的DIP7封裝，又新增了可表面貼裝的SOP-8封裝產(chǎn)品。采用SOP-8封裝(6.2mm×5.0mm×1.5mm)產(chǎn)品，安裝面積可節(jié)省47%，不僅能使配套產(chǎn)品更加小巧，而且設(shè)計(jì)和基板布局也更加簡(jiǎn)單。

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<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>

・超級(jí)結(jié)MOSFET

利用耗盡層在三維空間中的的拓寬，實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)產(chǎn)品更低損耗的功率MOSFET。

・PWM(pulse width modulation)

調(diào)制方式的一種，通過(guò)延長(zhǎng)、縮短脈沖信號(hào)的輸出時(shí)間來(lái)控制電流和電壓的方法。