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[導讀]眾所周知,從1965年至今,摩爾定律主導了半導體技術發(fā)展。半導體芯片工藝水平以驚人的速度提高,帶給我們愈發(fā)精彩的IT生活。但是,行至現(xiàn)今,摩爾定律面臨著嚴重挑戰(zhàn)。未來處理器的發(fā)展,究竟如何讓摩爾定律延續(xù)?

眾所周知,從1965年至今,摩爾定律主導了半導體技術發(fā)展。半導體芯片工藝水平以驚人的速度提高,帶給我們愈發(fā)精彩的IT生活。但是,行至現(xiàn)今,摩爾定律面臨著嚴重挑戰(zhàn)。未來處理器的發(fā)展,究竟如何讓摩爾定律延續(xù)?


3D晶體管如何讓摩爾延續(xù)

摩爾定律及其制約:

摩爾定律我們可以簡單概括為:半導體芯片上可容納的晶體管數目,每隔18個月便會增加一倍,性能也將提升一倍。在晶體管數量增加的同時,也需要改進制作工藝使其可以容納更多的晶體管。英特爾在摩爾定律的基礎上,創(chuàng)造出了“Tick-Tock”發(fā)展戰(zhàn)略。


隨著技術的進步,摩爾定律面臨挑戰(zhàn)

但是,芯片元件的幾何尺寸不可能無限制縮小下去,總有一天單位面積上可集成的元件數量會達到極限。隨著硅晶片上電路密度增加,其復雜性和容錯率會明顯增長,造成最大的問題是CPU的良品率底下。

3D晶體管如何讓摩爾延續(xù):

世界上第一個3D晶體管“Tri-Gate”由英特爾與2011年5月6日宣布研制成功。3D Tri-Gate使用一個三維硅鰭片取代傳統(tǒng)晶體管上的平面柵極,硅鰭片三個面都安排了一個柵極用于輔助電流控制。


Tri-Gate 3D晶體管

在Tri-Gate中,由于三維硅鰭片都是垂直的,晶體管可以更緊密排列,能夠很大程度上提高晶體管密度。Tri-Gate將晶體管排列由平面轉向立體,使單位面積中可以容納更多的晶體管。


只有3D晶體管技術才能夠讓摩爾定律延續(xù)

用一個形象的比喻,二維晶體管如同平房,3D晶體管則是摩天大樓。在同樣的占地面積下,樓房則要比平房能夠承載更多的房屋。可以說,在摩爾定律逐漸達到極限的現(xiàn)在,3D晶體管是使其延續(xù)的最佳方法。
 

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