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[導(dǎo)讀] 本篇文章即是要探討聲頻系統(tǒng)在手機(jī)與PDA 之應(yīng)用與設(shè)計(jì),讓系統(tǒng)與研發(fā)人員設(shè)計(jì)出適合消費(fèi)者的產(chǎn)品?! o(wú)線可攜式電子產(chǎn)品應(yīng)用之考慮因素  以下列出在選擇聲頻功率放大器時(shí)必須考慮到的主要因素?! ≥^高的電源

 本篇文章即是要探討聲頻系統(tǒng)在手機(jī)PDA 之應(yīng)用與設(shè)計(jì),讓系統(tǒng)與研發(fā)人員設(shè)計(jì)出適合消費(fèi)者的產(chǎn)品。

  無(wú)線可攜式電子產(chǎn)品應(yīng)用之考慮因素

  以下列出在選擇聲頻功率放大器時(shí)必須考慮到的主要因素。

  較高的電源電壓抑制(Power Supply Rejection Ration;PSRR)

  聲頻功率放大器必須具有較高的PSRR,可以避免受到電源與布線噪聲的干擾。

  快速的開(kāi)關(guān)機(jī)(Fast turn on & off)

  擁有較長(zhǎng)的待機(jī)時(shí)間,為手機(jī)或PDA 之基本訴求,AB 類聲頻放大器的效率約為50 至60 %,D 類聲頻放大器的效率可達(dá)85 至90%,不管使用何種聲頻放大器,為了節(jié)省功率消耗,在不需要用到聲頻放大器時(shí),均需進(jìn)入待機(jī)狀態(tài),然而當(dāng)一有聲音出現(xiàn)時(shí),聲頻放大器必須馬上進(jìn)入開(kāi)機(jī)狀態(tài)。

  無(wú)「開(kāi)關(guān)切換噪聲」(Click & Pop)聲

  「開(kāi)關(guān)切換噪聲」聲常出現(xiàn)于聲頻放大器進(jìn)入開(kāi)關(guān)機(jī)時(shí),或是由待機(jī)回復(fù)至正常狀態(tài),甚至是217Hz 手機(jī)通信訊號(hào)時(shí),手機(jī)或PDA 之使用者絕不會(huì)希望聽(tīng)到擾人的噪音,將「開(kāi)關(guān)切換噪聲」消除電路加入聲頻放大器的考慮中,為重要的必備條件。

  較低之工作電壓

  為延長(zhǎng)電池使用時(shí)間,更要求在低至1.8 伏特的條件下仍可進(jìn)行作業(yè)。

  低電流消耗與高效率

  使用CMOS 制程之IC,可降低電流消耗,有時(shí)需選擇D 類聲頻放大器,目的在延長(zhǎng)手機(jī)或個(gè)人數(shù)字處理器之工作時(shí)間。

  高輸出功率

  在相同工作電壓下具有較高的輸出功率,亦即輸出訊號(hào)之?dāng)[幅越接近Vcc 與GND 時(shí),其輸出功率越高。

  較小的封裝(Micro SMD)

  手機(jī)或個(gè)人數(shù)字處理器的外觀越來(lái)越小巧,使得IC 封裝技術(shù)越來(lái)越重要,Micro SMD 為現(xiàn)今較常用到的封裝技術(shù)。

  輸出功率的計(jì)算

  單端式(Single-end )放大器如(圖一)所示,其增益為:(公式一) Gain=Rf/Ri Rf:回授阻抗Ri:輸入阻抗

  


 

  (圖一) 單端式(Single-end) 放大器

  由輸出功率=(VRMS)2/Rload,VRMS=Vpeak /21/2,因此單端式(Single-end )放大器輸出功率=(Vpeak)2/2Rload 。橋接式(BTL)放大器如(圖二)所示,由兩個(gè)單端式(Single-end )放大器以相差180° 組成,故其增益為(公式二) Gain=2Rf/Ri Rf:回授阻抗Ri:輸入阻抗由輸出功率=(VRMS)2/Rload,橋接式VRMS=2Vpeak/21/2,因此橋接式輸出功率=2(Vpeak)2/Rload=4×端式放大器輸出功率。

  

 

  圖二) 橋接式放大器與施加于喇叭正負(fù)端之波形
輸入與輸出耦合電容值的選擇

  如圖一,輸入阻抗與輸入耦合電容形成一高通濾波器,如欲得到較低的頻率響應(yīng),則需選擇較大的電容值,其關(guān)系可用以下公式表示:(公式三) fC =1/2∏(RI)(CI) fC:高通濾波截止頻率RI:輸入阻抗CI:輸入耦合電容值,此電容用以阻隔直流電壓并且將輸入訊號(hào)耦合至放大器的輸入端。

  在行動(dòng)通訊系統(tǒng)中,由于體積的限制,即使使用較大的輸入耦合電容值,揚(yáng)聲器也通常無(wú)法顯現(xiàn)出50Hz 以下的頻率響應(yīng)。因此,假設(shè)輸入阻抗為20K 奧姆,只需之輸入耦合電容值大于0.19uF 即可,在此狀況下,0.22uF 是最適當(dāng)選擇。

  對(duì)于輸出耦合電容值之設(shè)定而言,同圖一中,如欲得到較佳的頻率響應(yīng),電容值亦需選擇較大的容值,其關(guān)系可用以下公式表示:(公式四) fC =1/2∏(RL)(CO) fC:高通濾波截止頻率RL:喇叭(耳機(jī))之阻抗C輸出耦合電容值

  例如,當(dāng)使用32 奧姆之耳機(jī),如希望得到50Hz 的頻率響應(yīng)時(shí),則需選擇99uF 的輸出耦合電容值,在此狀況下,100uF 是最適當(dāng)選擇。

  散熱(Thermal)考慮

  在設(shè)計(jì)單端式(Single-end )放大器或是橋接式(BTL)放大器時(shí),功率消耗是主要考慮因素之一,增加輸出功率至負(fù)載,其內(nèi)部功率消耗亦跟著增加。

  橋接式(BTL)放大器的功率消耗可用以下公式表示:(公式五) PDMAX_BTL =4(VDD)2/(2∏2RL) VDD:加于橋接式(BTL)放大器之電源電壓RL:負(fù)載阻抗

  例如,當(dāng)VDD =5V、RL =8ohm 時(shí),橋接式放大器的功率消耗為634mW ,如負(fù)載阻抗改成32ohm 時(shí),其內(nèi)部功率消耗降低至158mW。

  而單端式(Single-end )放大器的功率消耗可用以下公式表示:(公式六) PDMAX_SE=(VDD)2/(2∏2RL) VDD:加于單端式(Single-end )放大器之電源電壓RL:負(fù)載阻抗亦即單端式放大器的功率消耗僅為橋接式放大器的四分之一。所有的功率消耗加起來(lái)除以IC 的熱阻(?JA)即是溫升。

  布線(Layout)考慮

  設(shè)計(jì)人員在布在線,有一些基本方針必須加以遵守,例如:

  所有訊號(hào)線盡可能單點(diǎn)接地;

  為避免兩訊號(hào)互相干擾,應(yīng)避免平行走線,而以90°跨過(guò)方式為之。

  數(shù)字之電源、接地應(yīng)和模擬之電源、接地分開(kāi)。

  高速數(shù)字訊號(hào)走線應(yīng)遠(yuǎn)離模擬訊號(hào)走線,亦不可置于模擬組件下方。

  3D 強(qiáng)化立體聲在手機(jī)與PDA 之應(yīng)用

  就大多數(shù)人的了解,「3D 音效」既非單聲道,亦非雙聲道, 它是一種聲頻的處理技術(shù),使聆聽(tīng)者在非實(shí)際的環(huán)境下, 感覺(jué)到聲音發(fā)出的地點(diǎn),這就必須非常講究揚(yáng)聲器(喇叭)的放置位置與數(shù)目。但是在手機(jī)與PDA 處理器中,無(wú)法放置如此多的揚(yáng)聲器,因此發(fā)展出以兩個(gè)揚(yáng)聲器加上運(yùn)用硬件或軟件的方式,來(lái)仿真「3D 音效」,亦即所謂的「3D 強(qiáng)化立體聲音效」(3D Enhancement)。(圖三)為3D 強(qiáng)化立體聲之聲頻次系統(tǒng)方塊圖,用于立體聲手機(jī)或個(gè)人數(shù)字處理器中,此聲頻次系統(tǒng)由下列幾個(gè)部份組成:

  后級(jí)放大器:包括一立體聲揚(yáng)聲器(喇叭)驅(qū)動(dòng)器,一立體聲耳機(jī)驅(qū)動(dòng)器,一單聲道耳機(jī)放大器(earpiece),和一用于免持聽(tīng)筒之線路輸出(line out),例如汽車的免持聽(tīng)筒電話輸出。

  音量控制:可提供分為32 級(jí)的音量控制,而且左、右及單聲道的音量均可獨(dú)立控制。

  混音器:用來(lái)選擇輸出與輸入音源之關(guān)系,可將立體聲及單聲道輸入傳送及混合一起,并將這些輸入分為16 個(gè)不同的輸出模式,使系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師能夠靈活傳送及混合單聲道及立體聲聲頻訊號(hào),不會(huì)限定訊號(hào)只能傳送給立體聲揚(yáng)聲器或立體聲耳機(jī)。
電源控制與「開(kāi)關(guān)切換噪聲」消除電路。

  3D 強(qiáng)化立體聲,以硬件的方式為之。

  使用I2C 兼容接口加以控制芯片的功能。

  聲音在不同位置

  傳至左右耳朵時(shí),會(huì)產(chǎn)生不同相位差。利用此相位差原理和硬件方法,便可以仿真出3D 強(qiáng)化立體聲音效,即使系統(tǒng)在體積或設(shè)備上受到限制,而必須將左右喇叭擺放得很近時(shí),仍然可以改善立體聲各高低聲部定位的種種問(wèn)題。

  如圖三之3D 強(qiáng)化立體聲方塊圖所示,一外接之電阻與電容電路用以控制3D 強(qiáng)化立體聲之音效,用兩個(gè)分別的電阻與電容電路來(lái)控制立體聲揚(yáng)聲器與立體聲耳機(jī),如此可達(dá)到最佳之3D 強(qiáng)化立體聲效果。

  在此電阻與電容電路中,3D 強(qiáng)化立體聲效果的「量」是由R3D 電阻來(lái)設(shè)定的,并且成反比關(guān)系,C3D 電容用以設(shè)定3D 強(qiáng)化立體聲效果的3dB 低頻截止頻率,在低頻截止頻率以上方能顯現(xiàn)出3D 強(qiáng)化立體聲效果,增加C3D 電容值將降低低頻截止頻率,其關(guān)系可用以下公式表示。(公式七) f3D(-3dB)=1/2∏(R3D)(C3D)

  

 

  (圖三) 3D 強(qiáng)化立體聲聲頻子系統(tǒng)方塊圖

  結(jié)論

  由于行動(dòng)電話與個(gè)人數(shù)字處理器已發(fā)展為能夠提供各種不同娛樂(lè)的多功能可攜式設(shè)備,廠商們皆盡量采用高度原音的聲頻系統(tǒng)及壽命較長(zhǎng)的電池,并使此類可攜式電子產(chǎn)品具備立體聲喇叭放大器,多種不同的混音,以及3D 強(qiáng)化立體聲等功能,同時(shí)在外型外也盡量輕薄小巧。但其設(shè)計(jì)范疇仍不脫離以上所述基本原理,此為本文所要表達(dá)之另一目的。

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