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[導(dǎo)讀] 集微網(wǎng)消息,根據(jù)IC Insights的2019年OSD報(bào)告,功率晶體管的銷售額增長(zhǎng)率達(dá)到兩位數(shù),2018年增長(zhǎng)14%,達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的163億美元,更是打破2017年增長(zhǎng)11%的紀(jì)錄。

功率晶體管的強(qiáng)勁增長(zhǎng)勢(shì)頭進(jìn)入今年第一季度,全球銷售額與2018年同期相比增長(zhǎng)了近10%,但預(yù)計(jì)2019年下半年增長(zhǎng)率將大幅放緩。此外,預(yù)計(jì)2019年功率晶體管的銷售額將增長(zhǎng)5%,達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的171億美元,然后在2020年下降2%,達(dá)到168億美元。

在過去兩年中,功率晶體管收入受到強(qiáng)勁的單位出貨量和由于設(shè)備短缺導(dǎo)致的價(jià)格上漲以及沒有足夠的制造能力來滿足需求的推動(dòng)而走高。IC Insights的2019年OSD報(bào)告顯示,2018年功率晶體管出貨量在2018年增長(zhǎng)了8%,達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的628億臺(tái)設(shè)備,此前該公司預(yù)計(jì)今年的單位產(chǎn)量將增加6%,達(dá)到667億。功率晶體管的平均銷售價(jià)格在2018年增長(zhǎng)了近6%,其中一些廣泛使用的部件(如功率MOSFET)的交付周期在去年下半年超過40周,而正常市場(chǎng)條件下為8周。

功率晶體管制造商在過去一年中穩(wěn)步增加了制造能力,但大多數(shù)供應(yīng)商仍在努力趕上2019年第一季度的需求。大多數(shù)功率晶體管產(chǎn)品類型的供應(yīng)預(yù)計(jì)將在今年下半年結(jié)束。部分原因是全球經(jīng)濟(jì)放緩以及2020年初設(shè)備出貨需求增長(zhǎng)放緩。如果經(jīng)濟(jì)和需求放緩問題不解決,中美之間日益激烈的貿(mào)易戰(zhàn)也可能對(duì)2019年的晶體管市場(chǎng)產(chǎn)生負(fù)面影響。

根據(jù)新的OSD報(bào)告,在2018年,除了一個(gè)功率晶體管產(chǎn)品類別之外,其他所有產(chǎn)品都實(shí)現(xiàn)了銷售增長(zhǎng),但射頻/微波功率晶體管除外,其年度下降了近1%。2018年功率晶體管銷售增長(zhǎng)最強(qiáng)勁的是40-100V應(yīng)用的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率FET),增長(zhǎng)了21%,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)增長(zhǎng)了20.3%。其他主要的功率晶體管類別在2018年表現(xiàn)出強(qiáng)勁的銷售增長(zhǎng):功率FET用于高達(dá)40V的應(yīng)用(+ 17%); 功率FET適用于100-200V應(yīng)用(+ 16%); 和IGBT功率模塊(+ 15%)。報(bào)告稱,場(chǎng)效應(yīng)晶體管(包括模塊系統(tǒng)中使用的晶體管)占2018年總功率晶體管銷售額的58%。IGBT產(chǎn)品總量(模塊和分立晶體管)占2018年功率晶體管銷售額的32%。

在2017年和2018年兩年兩位數(shù)的增長(zhǎng)泡沫之后,預(yù)計(jì)未來五年內(nèi)功率晶體管市場(chǎng)將恢復(fù)到中低個(gè)位數(shù)百分比范圍內(nèi)更正常的增長(zhǎng),此外,OSD報(bào)告預(yù)測(cè)2020年將下降2%。預(yù)計(jì)2018年至2023年期間,功率晶體管的銷售額將以3.3%的復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)增長(zhǎng),預(yù)計(jì)全球收入將達(dá)到192億美元。  


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