1 前言
客戶反饋在使用STM32F412的時候,擦除sector 8~11發(fā)現(xiàn)時間過長,從而導致意外觸發(fā)IWDG復位。
2 問題分析2.1 問題詳情通過與客戶郵件和電話溝通,了解到客戶主要是想使用內部FLASH暫時保存IAP升級時的程序數(shù)據(jù),在IAP升級的過程中,需要首先擦除內部FLASH中一塊足夠大的空間,然后再寫入升級數(shù)據(jù)??蛻舻墓こ讨杏惺褂玫絀WDG,喂狗間隔大約1.5S,客戶的通過SysTick的方式計算出擦除Sector8大約需要2ms,因此認為若一次擦除sector8~11大約需要8ms,于是在代碼中一次性擦除sector8~11后最后再來喂狗,但是,這樣會觸發(fā)IWDG復位,這個與預期不一致,固此產生疑問。
2.2 問題重現(xiàn)使用NUCLEO-F412ZG板嘗試重現(xiàn)客戶問題,主要代碼如下:
intmain(void){/*USERCODEBEGIN1*/uint32_tbeginTick=0,endTick=0;uint32_tcurSysTick=0,endSysTick=0;/*USERCODEEND1*//*MCUConfiguration----------------------------------------------------------*//*Resetofallperipherals,InitializestheFlashinterfaceandtheSystick.*/HAL_Init();/*Configurethesystemclock*/SystemClock_Config();/*Initializeallconfiguredperipherals*/MX_GPIO_Init();MX_IWDG_Init();/*USERCODEBEGIN2*/if(__HAL_RCC_GET_FLAG(RCC_FLAG_IWDGRST)!=RESET)//如果是看門狗復位{/*Clearresetflags*/HAL_GPIO_WritePin(GPIOB,GPIO_PIN_7,GPIO_PIN_SET);__HAL_RCC_CLEAR_RESET_FLAGS();Error_Handler();}HAL_FLASH_Unlock();/*FillEraseInitstructure*/EraseInitStruct.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS;EraseInitStruct.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;EraseInitStruct.Sector=FLASH_SECTOR_8;EraseInitStruct.NbSectors=1;//if(HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct,&SECTORError)!=HAL_OK)//{//Error_Handler();//}beginTick=HAL_GetTick();HAL_GPIO_WritePin(GPIOC,GPIO_PIN_8,GPIO_PIN_SET);curSysTick=SysTick->VAL;if(HAL_FLASHEx_Erase_IT(&EraseInitStruct)!=HAL_OK)//擦除sector8{Error_Handler();}endSysTick=SysTick->VAL;//curSysTick,endSysTick保存著SysTick寄存器的值HAL_GPIO_WritePin(GPIOC,GPIO_PIN_8,GPIO_PIN_RESET);//PC8波形表示擦除FLASH的時間間隔endTick=HAL_GetTick();//beginTick,endTick保存著全局變量Tick的值g_TickCount=endTick-beginTick;//變量Tick的時間差HAL_IWDG_Refresh(&hiwdg);/*USERCODEEND2*//*Infiniteloop*//*USERCODEBEGINWHILE*/while(1){/*USERCODEENDWHILE*//*USERCODEBEGIN3*/if(HAL_IWDG_Refresh(&hiwdg)!=HAL_OK){/*RefreshError*/Error_Handler();}HAL_Delay(10);}/*USERCODEEND3*/}123456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142434445464748495051525354555657585960616263646566676869707172
此外,同時在每個SysTick中斷輸出一個波形,用來檢測SysTick是否正常:
voidHAL_SYSTICK_Callback(void){HAL_GPIO_TogglePin(GPIOA,GPIO_PIN_11);//用PA11來檢測SysTick波形}12345
最終得出的波形如下:
如上圖,黃色為PC8腳波形,表示擦除FLASH的時間,下面藍色為PA11管腳波形,表示SysTick波形。
從上圖可以看出擦除sector8所需要的時間是800ms,這個與客戶認為的2ms是不一致的。查看STM32F412的數(shù)據(jù)手冊,在第6.3.12節(jié)中可以看到如下信息:
如上圖,在PSIZE=32時,擦除一個128K的扇區(qū)需要大概1S(典型值)的時間,而我們從圖1中實際測出的為800ms,這個基本相差不大,單與客戶認為的2ms相去甚遠,基本上我們認為這里的800ms是正確的結果,但是這個又是什么原因導致客戶通過SysTick測出的值是錯誤的呢?
實際上,從圖1我們也可以看出,在擦除FLASH的期間,SysTick是沒有波形的(見圖1下面藍色波形),同時在參考手冊3.5節(jié)中有如下信息:
這句話的意思是說,在擦除FLASH的期間,若嘗試讀取FLASH,則會被暫停,實際這個”讀取”是指取指,我們都知道,程序的執(zhí)行首先得通過從FLASH中通過I-BUS取出指令后才可以執(zhí)行。這里SysTick之所以會被暫停掉,就是因為在擦除FLASH期間,為了執(zhí)行SysTick中斷例程,內核會嘗試從FLASH取指,從而導致被暫停掉,進而全局變量uwTick的值沒有機會增加。下圖是調試界面:
如上圖,在執(zhí)行擦除扇區(qū)后,SysTick的全局變量uwTick就增加了1,但SysTick在內核中的寄存器還是有變化的。這個與我們的預想一致。
最后客戶通過每擦除一個扇區(qū)喂一次狗的方式解決了問題,而在此期間不能依靠SysTick的值來計算時間。
3 結論在擦除FLASH期間,取指操作會被暫停掉,且SysTick所對應的全局變量uwTick值是不會增加的。
另外,通過函數(shù)HAL_FLASHEx_Erase_IT()來執(zhí)行擦除FLASH和通過函數(shù)HAL_FLASHEx_Erase()所花費時間沒有差別,只不過前者在擦除完成后會產生一個中斷,而后者沒有。
可以通過外設RTC來計算擦除FLASH的時間,從而繞開限制。