導(dǎo)讀:影響LED散熱的主要因素包含了LED晶粒、晶粒載板、晶片封裝及模組的材質(zhì)與設(shè)計,而LED及其封裝的材料所累積的熱能多半都是以傳導(dǎo)方式散出,所以LED晶粒 基板及LED晶片封裝的設(shè)計及材質(zhì)就成為了主要的關(guān)鍵,散熱基板的散熱效能儼然成為最重要的議題。
1、簡介
LED 模組現(xiàn)今大量使用在電子相關(guān)產(chǎn)品上,隨著應(yīng)用範(fàn)圍擴(kuò)大以及照明系統(tǒng) 的不斷提升,約從1990 年開始高功率化的要求急速上升,尤其是以白光高功率 型式的需求最大,現(xiàn)在的照明系統(tǒng)上所使用之LED功率已經(jīng)不只 1W、3W、5W 甚 至到達(dá) 10W 以上,所以散熱基板的散熱效能儼然成為最重要的議題。影響LED散熱的主要因素包含了LED晶粒、晶粒載板、晶片封裝及模組的材質(zhì)與設(shè)計,而LED及其封裝的材料所累積的熱能多半都是以傳導(dǎo)方式散出,所以LED晶粒 基板及LED晶片封裝的設(shè)計及材質(zhì)就成為了主要的關(guān)鍵。
2、散熱基板對于LED模組的影響
LED從1970 年以后開始出現(xiàn)紅光的LED,之后很快的演進(jìn)到了藍(lán)光及綠光, 初期的運(yùn)用多半是在一些標(biāo)示上,如家電用品上的指示,到了 2000 年開始,白光高功率 LED 的出現(xiàn),讓 LED 的運(yùn)用開始進(jìn)入另一階段,像是戶外大型看版、小型顯示器的背光源等 (如圖一),但隨著高功率的快速演進(jìn),預(yù)計從 2010 年之后,車用照明、室內(nèi)及特殊照明的需求量日增,但是這些高功率的照明設(shè)備,其散熱效能的要求也越益嚴(yán)苛,因陶瓷基板具有較高的散熱能力與較高的耐熱、氣密性,因此,陶瓷基板為目前高功率 LED 最常使用的基板材料之一。然而,目前 市面上較常見的陶瓷基板多為 LTCC 或厚膜技術(shù)製成的陶瓷散熱基板,此類型產(chǎn) 品受網(wǎng)版印刷技術(shù)的準(zhǔn)備瓶頸,使得其對位精準(zhǔn)度上無法配合更高階的焊接,共 晶(Eutectic)或覆晶(Flip chip) 封裝方式,而利用薄膜製程技術(shù)所開發(fā)的陶瓷 散熱基板則提供了高對位精準(zhǔn)度的產(chǎn)品,以因應(yīng)封裝技術(shù)的發(fā)展。
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2.1、散熱基板的選擇。
就LED晶粒承載基板的發(fā)展上,以承載晶粒而言,傳統(tǒng) PCB 的基板材質(zhì)具有 高度商業(yè)化的特色,在 LED 發(fā)展初期有著相當(dāng)?shù)挠绊懥ΑH欢?,隨著LED功率的 提升,LED基板的散熱能力,便成為其重要的材料特性之一,為此,陶瓷基板逐 漸成為高效能 LED 的主要散熱基板材料(如表一所示),并逐漸被市場接受進(jìn)而廣 泛使用。近年來,除了陶瓷基板本身的材料特性問題須考慮之外,對基板上金屬 線路之線寬、線徑、金屬表面平整度與附著力之要求日增,使得以傳統(tǒng)厚膜製程 備製的陶瓷基板逐漸不敷使用,因而發(fā)展出了薄膜型陶瓷散熱基板,本文將針對 陶瓷散熱基板在厚膜與薄膜製程及其產(chǎn)品特性上的差異做出分析。
表一、各類材料散熱系數(shù)
Source : UEC Inc
3、陶瓷散熱基板。
從傳統(tǒng)的 PCB(FR4)板,到現(xiàn)在的陶瓷基板,LED 不斷往更高功率的需求發(fā) 展, 現(xiàn)階段陶瓷基板之金屬線路多以厚膜技術(shù)成型,然而厚膜印刷的對位精準(zhǔn) 度使得其無法跟上 LED 封裝技術(shù)之進(jìn)步,其主要因素為在更高功率 LED 元件的散 熱設(shè)計中,使用了共晶以及覆晶兩種封裝技術(shù),這些技術(shù)的導(dǎo)入不但可以使用高 發(fā)光效率的 LED 晶粒,更可以大幅降低其熱阻值并且讓接合度更加完善,讓整體 運(yùn)作的功率都相對的提昇。但是這兩種接合方式的應(yīng)用都需要擁有精確金屬線路 設(shè)計的基礎(chǔ),因此以曝光微影為對位方式的薄膜型陶瓷散熱基板就變成為精準(zhǔn)線 路設(shè)計主流。
3-1、厚膜印刷陶瓷基版。
厚膜製程大多使用網(wǎng)版印刷方式形成線路與圖形,因此,其線路圖形的完整度與線路對位的精確度往往隨著印刷次數(shù)增加與網(wǎng)版張力變化而出現(xiàn)明顯的累 進(jìn)差異,此結(jié)果將影響后續(xù)封裝製程上對位的精準(zhǔn)度;再者,隨著元件尺寸不斷 縮小,網(wǎng)版印刷的圖形尺寸與解析度亦有其限制,隨著尺寸縮小,網(wǎng)版印刷所呈現(xiàn)之各單元圖形尺寸差異(均勻性)與金屬厚度差異亦將越發(fā)明顯。為了線路尺寸 能夠不斷縮小與精準(zhǔn)度的嚴(yán)格要求下,LED 散熱基板的生產(chǎn)技術(shù)勢必要繼續(xù)提 升。因而薄膜製程的導(dǎo)入就成為了改善方法之一,然而國內(nèi)擁有成熟的陶瓷基板 薄膜金屬化製程技術(shù)的廠家卻屈指可數(shù)。為此,以薄膜元件起家的璦司柏電子 (ICP),即針對自家開發(fā)之薄膜基板與傳統(tǒng)厚膜基板進(jìn)行其製程與產(chǎn)品特性差異分析(如下表二所示)。
3-2、薄膜製程應(yīng)用于陶瓷基板。
薄膜技術(shù)的導(dǎo)入正可解決上述線路尺寸縮小的製程瓶頸,結(jié)合高真空鍍膜技 術(shù)與黃光微影技術(shù),能將線路圖形尺寸大幅縮小,并且可同時符合精準(zhǔn)的線路對 位要求,其各單元的圖形尺寸的低差異性(高均勻性)更是傳統(tǒng)網(wǎng)版印刷所不易達(dá) 到的結(jié)果。在高熱導(dǎo)的要求下,目前璦司柏(ICP)的薄膜製程技術(shù)已能克服現(xiàn)階 段厚膜製程在對位精準(zhǔn)度的瓶頸,圖(二)即為薄膜製程之簡易流程圖,在空白陶 瓷基板上(氧化鋁/氮化鋁)經(jīng)過前處理之后,鍍上種子層(sputtering),經(jīng)過光 阻披覆、曝光顯影,再將所需之線路增厚(電鍍/化學(xué)鍍),最后經(jīng)過去膜、蝕刻 步驟使線路成形,此製程所備製之產(chǎn)品具有較高的線路精確度與較佳的金屬鍍層 表面平整度。圖(叁)即為璦司柏薄膜基板產(chǎn)品與傳統(tǒng)厚膜產(chǎn)品的金屬線路光學(xué)顯 微圖像。可明顯看出厚膜印刷之線路,其表面具有明顯的坑洞且線條的平整度不 佳,反觀以薄膜製程製備之金屬線路,不但色澤清晰且線條筆直平整。
由以上厚/薄膜這些金屬線路上的幾何精準(zhǔn)度差異,再加上厚膜線路易因網(wǎng) 版張網(wǎng)問題造成陣列圖形的累進(jìn)公差加劇,使得厚膜印刷產(chǎn)品在后續(xù)晶片置件 上,較容易造成置件偏移或是尋邊異常等困擾。換句話說厚膜印刷產(chǎn)品的對位及 線路的精準(zhǔn)度不夠精確,使其限制了晶片封裝製程的製程裕度(window)。然而, 薄膜製程產(chǎn)品則能大幅改善其現(xiàn)象。
但從產(chǎn)品成本結(jié)構(gòu)來看,如表二所示薄膜產(chǎn)品的製程設(shè)備(黃光微影)與生產(chǎn) 環(huán)境(無塵或潔凈室)相較于厚膜產(chǎn)品其成本較高,然而薄膜製程的金屬線路多以 厚銅材料為主,相較于厚膜印刷之厚銀而言,材料成本卻相對較低,因此,可預(yù) 期的當(dāng)利用薄膜製程將陶瓷基板金屬化的產(chǎn)品,日漸達(dá)到經(jīng)濟(jì)規(guī)模時,其成本將 逐漸趨近于厚膜產(chǎn)品。
圖二、薄膜制程流程
圖三、厚膜與薄膜線路差異
3-2-1、氧化鋁陶瓷基板
上述部分是針對製程不同部份所做的闡述,另一項與散熱息息相關(guān)的則是基板材質(zhì),LED 散熱基板所使用之材質(zhì)現(xiàn)階段以陶瓷為主,而氧化鋁陶瓷基板應(yīng)是 較易取得且成本較低之材料,是目前運(yùn)用在元件上的主要材料,然而厚膜技術(shù)或 薄膜技術(shù)在氧化鋁陶瓷基板上製備金屬線路,其金屬線路與基版的接著度或是特 性上并無顯著的差異,而兩種製程顯現(xiàn)出最主要的差異則是在線路尺寸縮小的要求下,薄膜製程能提供厚膜技術(shù)無法達(dá)到的較小線路尺寸與較高的圖形精準(zhǔn)度。
3-2-2、氮化鋁陶瓷基板
而在更高功率LED應(yīng)用的前提下,具高導(dǎo)熱係數(shù)的氮化鋁(170-230W/mK)將是散熱基板的首選材質(zhì),但厚膜印刷之金屬層(如高溫銀膠)多需經(jīng)過高溫(高于800oC)燒結(jié)製程,此高溫?zé)Y(jié)製程于大氣環(huán)境下執(zhí)行易導(dǎo)致金屬線路與氮化鋁 基板間產(chǎn)生氧化層,進(jìn)而影響線路與基板之間的附著性;然而,薄膜製程則在300℃以下製程之條件下備製,無氧化物生成與附著性不佳之疑慮,更可兼具線 路尺寸與高精準(zhǔn)度之優(yōu)勢。薄膜製程為高功率氮化鋁陶瓷LED散熱基板創(chuàng)造更多應(yīng)用空間。
4、結(jié)論
以上我們已將LED散熱基板在兩種不同製程上做出差異分析,以薄膜製程備 製陶瓷散熱基板具有較高的設(shè)備與技術(shù),需整合材料開發(fā)門檻,如曝光、真空沉 積、顯影、蒸鍍(Evaporation)、濺鍍(Sputtering)電鍍與無電鍍等技術(shù),以目前的市場規(guī)模,薄膜產(chǎn)品的相對成本較高,但是一旦市場規(guī)模達(dá)到一定程度時, 必定會反映在成本結(jié)構(gòu)上,相對的在價格上與厚膜製程的差異將會有大幅度的縮 短。在高效能、高產(chǎn)品品質(zhì)要求與高生產(chǎn)架動的高功率LED 陶瓷基板的發(fā)展趨勢 之下,高散熱效果、高精準(zhǔn)度之薄膜製程陶瓷基板的選擇,將成為趨勢,以克服 目前厚膜製程產(chǎn)品所無法突破的瓶頸。因此,可預(yù)期的薄膜陶瓷基板將逐漸應(yīng)用 在高功率LED上,并隨著高功率 LED的快速發(fā)展而達(dá)經(jīng)濟(jì)規(guī)模,此時不論高功率LED晶粒、薄膜型陶瓷散熱基板、封裝製程成本等都將大幅降低,進(jìn)而更加速高 功率LED產(chǎn)品的量化。
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