TD-SCDMA與GSM終端在EMC測(cè)試方面的差異
[導(dǎo)讀]
TD-SCDMA的中文含義是時(shí)分同步碼分多址接入,該技術(shù)方案是由中國(guó)提出并被ITU所接受,成為第三代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)家族中的一員,TD-SCDMA是中國(guó)移動(dòng)通信產(chǎn)業(yè)的一次重大進(jìn)步也是中國(guó)通信產(chǎn)業(yè)對(duì)世界第三代移動(dòng)
TD-SCDMA的中文含義是時(shí)分同步碼分多址接入,該技術(shù)方案是由中國(guó)提出并被ITU所接受,成為第三代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)家族中的一員,TD-SCDMA是中國(guó)移動(dòng)通信產(chǎn)業(yè)的一次重大進(jìn)步也是中國(guó)通信產(chǎn)業(yè)對(duì)世界第三代移動(dòng)通信技術(shù)所做出的杰出貢獻(xiàn)之一。
TD-SCDMA作為一個(gè)新興的3G標(biāo)準(zhǔn),其的電磁兼容性(EMC)要求也隨之出臺(tái)。并隨著技術(shù)的發(fā)展,其的標(biāo)準(zhǔn)版本也不斷更新。本文就已GSM900MHz和DCS1800MHz在通信系統(tǒng)的電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)為參考,比較TD-SCDMA通信系統(tǒng)的電磁兼容與之的差異。
對(duì)于無線移動(dòng)終端產(chǎn)品,EMC所主要檢測(cè)的是產(chǎn)品對(duì)外界的帶外騷擾情況以及抗電磁干擾能力,與產(chǎn)品的無線模塊類型影響甚小。
1認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn):
TD-SCDMA的電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)按照《YD/T 1368.1-2008》,《YD/T 1592.1-2007》
GSM900MHz和DCS1800MHz的電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)按照《YD1032-2000》
而他們的基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)都是GB9254、GB/T 17626和ISO 7637,而TD-SCDMA的EMC基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)還包含有GB/T 17625的內(nèi)容
2TD與GSM終端在EMC測(cè)試上的具體差異:
2.1傳導(dǎo)雜散騷擾
兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試方法基本相同,差異主要集中在測(cè)試頻率的不一樣,另外 YD1032還要求EUT處于極限電壓條件下以及在專用模式和空閑模式下分別進(jìn)行測(cè)試,而YD/T 1592.1則無此要求。
詳見下表:
2.2 輻射雜散騷擾
兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的輻射雜散測(cè)試差異和傳導(dǎo)雜散基本一樣,都是集中在測(cè)試頻率、工作電壓和工作模式上,另外對(duì)于免測(cè)頻段也有所差別,YD/T 1592.1的免測(cè)頻段帶寬為8MHz,而YD1032為3.6MHz。詳見下表:
2.3諧波電流
對(duì)于諧波電流,YD1032并未作要求,而YD/T 1592.1卻要求按照 GB17625.1進(jìn)行測(cè)試。
詳見下表:
2.4 電壓波動(dòng)和閃爍
對(duì)于電壓波動(dòng)和閃爍,YD1032并未作要求,而YD/T 1592.1卻要求按照 GB17625.2進(jìn)行測(cè)試。詳見下表:
2.5 靜電放電抗擾度
兩標(biāo)準(zhǔn)的靜電放電測(cè)試差異主要集中在接觸放電的放電電壓上,YD/T 1592.1要求接觸的最高放電電壓要達(dá)到6KV,而YD1032只要求到4KV。詳見下表:
2.6 電快速瞬態(tài)脈沖群抗擾度
EFT的差異主要是實(shí)驗(yàn)電壓不一樣. 另外, YD/T 1592.1還對(duì)電信端口和DC電源端口分別作出了要求。詳見下表:
2.7 浪涌(沖擊)抗擾度
SURGE的差異也主要是實(shí)驗(yàn)電壓不一樣,YD/T 1592.1只要求1KV開路電壓,而YD1032只要求到2KV。詳見下表:
2.8 射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度
YD/T 1592.1要求傳導(dǎo)抗干擾的測(cè)試方法優(yōu)先采用CDN直接注入法,而YD1032則是要求采用電流鉗注入法,對(duì)于實(shí)驗(yàn)范圍所要求適應(yīng)于標(biāo)準(zhǔn)的線纜長(zhǎng)度有所差別。詳見下表:
2.9 電壓暫降、短時(shí)中斷抗擾度
YD/T 1592.1對(duì)于由直流電源供電的設(shè)備也做出了要求,而YD1032只適用于由交流供電的設(shè)備。詳見下表:
2.10 工頻磁場(chǎng)抗擾度
帶有對(duì)磁場(chǎng)敏感裝置的EUT也需要滿足YD/T 1592.1,YD1032并未作此要求。
詳見下表:
2.11 瞬變和浪涌抗擾度實(shí)驗(yàn)(車載環(huán)境)
瞬變和浪涌抗擾度實(shí)驗(yàn)的差異主要集中在基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)ISO7637的版本差異上。截止目前為止,YD1032仍然用的2000年版本的,所引用的ISO 7637也是1990年版本的,但隨著YD1032的新版本的出臺(tái),相信此項(xiàng)測(cè)試也會(huì)隨著最新版本的ISO 7637看齊。詳見下表:
TD-SCDMA作為一個(gè)新興的3G標(biāo)準(zhǔn),其的電磁兼容性(EMC)要求也隨之出臺(tái)。并隨著技術(shù)的發(fā)展,其的標(biāo)準(zhǔn)版本也不斷更新。本文就已GSM900MHz和DCS1800MHz在通信系統(tǒng)的電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)為參考,比較TD-SCDMA通信系統(tǒng)的電磁兼容與之的差異。
對(duì)于無線移動(dòng)終端產(chǎn)品,EMC所主要檢測(cè)的是產(chǎn)品對(duì)外界的帶外騷擾情況以及抗電磁干擾能力,與產(chǎn)品的無線模塊類型影響甚小。
1認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn):
TD-SCDMA的電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)按照《YD/T 1368.1-2008》,《YD/T 1592.1-2007》
GSM900MHz和DCS1800MHz的電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)按照《YD1032-2000》
而他們的基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)都是GB9254、GB/T 17626和ISO 7637,而TD-SCDMA的EMC基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)還包含有GB/T 17625的內(nèi)容
2TD與GSM終端在EMC測(cè)試上的具體差異:
2.1傳導(dǎo)雜散騷擾
兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試方法基本相同,差異主要集中在測(cè)試頻率的不一樣,另外 YD1032還要求EUT處于極限電壓條件下以及在專用模式和空閑模式下分別進(jìn)行測(cè)試,而YD/T 1592.1則無此要求。
詳見下表:
兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的輻射雜散測(cè)試差異和傳導(dǎo)雜散基本一樣,都是集中在測(cè)試頻率、工作電壓和工作模式上,另外對(duì)于免測(cè)頻段也有所差別,YD/T 1592.1的免測(cè)頻段帶寬為8MHz,而YD1032為3.6MHz。詳見下表:
對(duì)于諧波電流,YD1032并未作要求,而YD/T 1592.1卻要求按照 GB17625.1進(jìn)行測(cè)試。
詳見下表:
對(duì)于電壓波動(dòng)和閃爍,YD1032并未作要求,而YD/T 1592.1卻要求按照 GB17625.2進(jìn)行測(cè)試。詳見下表:
兩標(biāo)準(zhǔn)的靜電放電測(cè)試差異主要集中在接觸放電的放電電壓上,YD/T 1592.1要求接觸的最高放電電壓要達(dá)到6KV,而YD1032只要求到4KV。詳見下表:
EFT的差異主要是實(shí)驗(yàn)電壓不一樣. 另外, YD/T 1592.1還對(duì)電信端口和DC電源端口分別作出了要求。詳見下表:
SURGE的差異也主要是實(shí)驗(yàn)電壓不一樣,YD/T 1592.1只要求1KV開路電壓,而YD1032只要求到2KV。詳見下表:
YD/T 1592.1要求傳導(dǎo)抗干擾的測(cè)試方法優(yōu)先采用CDN直接注入法,而YD1032則是要求采用電流鉗注入法,對(duì)于實(shí)驗(yàn)范圍所要求適應(yīng)于標(biāo)準(zhǔn)的線纜長(zhǎng)度有所差別。詳見下表:
YD/T 1592.1對(duì)于由直流電源供電的設(shè)備也做出了要求,而YD1032只適用于由交流供電的設(shè)備。詳見下表:
帶有對(duì)磁場(chǎng)敏感裝置的EUT也需要滿足YD/T 1592.1,YD1032并未作此要求。
詳見下表:
瞬變和浪涌抗擾度實(shí)驗(yàn)的差異主要集中在基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)ISO7637的版本差異上。截止目前為止,YD1032仍然用的2000年版本的,所引用的ISO 7637也是1990年版本的,但隨著YD1032的新版本的出臺(tái),相信此項(xiàng)測(cè)試也會(huì)隨著最新版本的ISO 7637看齊。詳見下表:
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