利用大功率數(shù)字源表構(gòu)建多源測(cè)量單元（SMU）系統(tǒng)-連載一

簡(jiǎn)介

利用高壓、大電流源測(cè)量單元(SMU)來(lái)設(shè)計(jì)和構(gòu)建功率半導(dǎo)體器件直流特性分析測(cè)試系統(tǒng)包括以下幾個(gè)步驟:

• 選擇滿足測(cè)試要求的設(shè)備

• 選擇連接待測(cè)器件(DUT)與儀器的電纜和夾具

• 檢查系統(tǒng)安全和儀器保護(hù)

• 優(yōu)化儀器建立，確保測(cè)量完整性

• 控制儀器硬件

功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)確保：在開(kāi)啟（ON）狀態(tài)下，它能夠?yàn)樨?fù)載提供大量功率，而自身卻消耗最小的電源功率（高效率）；在關(guān)閉（OFF）狀態(tài)下，它向負(fù)載提供的功率幾乎為零，同時(shí)自身也消耗最小的電源功率（高效率）(待機(jī)電流非常小)。因此，功率半導(dǎo)體器件的特性分析或直流參數(shù)測(cè)試可以分為兩種：開(kāi)啟狀態(tài)特性分析和關(guān)閉狀態(tài)特性分析。本應(yīng)用筆記對(duì)這兩種測(cè)試應(yīng)用進(jìn)行說(shuō)明，并給出利用多種吉時(shí)利數(shù)字源表源測(cè)量單元(SMU)儀器構(gòu)建測(cè)試系統(tǒng)的實(shí)例。

選擇滿足測(cè)試要求的設(shè)備

功率器件測(cè)試通常只需要在一、兩個(gè)端口接入大功率儀器。例如，高壓N-溝道MOSFET關(guān)閉狀態(tài)特性分析需要在漏極提供高壓電源；所有其他端口只需保持電壓較低的電源驅(qū)動(dòng)。相反，當(dāng)對(duì)其開(kāi)啟狀態(tài)性能進(jìn)行特性分析時(shí)，則需要在源極施加大電流，因此，只要求這兩個(gè)端口保持額定的最大功率。測(cè)試研究人員如果從較低功率器件測(cè)試轉(zhuǎn)向較高功率器件測(cè)試，可以在門(mén)極和基底端口重用某些現(xiàn)有的測(cè)試設(shè)備。如果多個(gè)器件能夠共用同一測(cè)試儀器，那么用戶就可以實(shí)現(xiàn)投資回報(bào)的最大化。

為了選擇適當(dāng)?shù)臏y(cè)試設(shè)備，必須弄清源和測(cè)量所需電流的最小值和最大值。如果可能的話，就選擇最小值和最大值能夠擴(kuò)展的設(shè)備，這樣，可以適應(yīng)新器件測(cè)試發(fā)展的需求。

吉時(shí)利2600A系列源測(cè)量單元（SMU）是利用不斷演進(jìn)的測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行設(shè)計(jì)的。TSP-Link®內(nèi)部設(shè)備通信總線支持創(chuàng)建“無(wú)主機(jī)”系統(tǒng)，同時(shí)在多個(gè)源測(cè)量單元（SMU）通道實(shí)現(xiàn)亞微秒同步。

2600A系列產(chǎn)品的最強(qiáng)大特性之一是利用它能夠構(gòu)建滿足各種應(yīng)用測(cè)試需求的系統(tǒng)，同時(shí)保持無(wú)縫的系統(tǒng)性能。2600A系列源測(cè)量單元（SMU）包括8個(gè)型號(hào)，它們具有多種功能和能力:

• 當(dāng)脈沖功率2000W時(shí)，電流量程為50A(利用兩個(gè)SMU并聯(lián)，可以實(shí)現(xiàn)100A)

• 在功率60W時(shí)高達(dá)3kV的電壓源，功率180W時(shí)高達(dá)1500V的電壓源

• 亞皮安測(cè)量能力

• 對(duì)較低功率SMU，提供1A或3A直流源。非常適合對(duì)具有較大基極電流的大功率晶體管進(jìn)行測(cè)試。

在現(xiàn)有的商用測(cè)試主機(jī)中，這種能力通常是難得一見(jiàn)的，以前往往需要配置定制或半定制自動(dòng)測(cè)試設(shè)備才能完成。此外，利用獨(dú)立儀器還允許測(cè)試工程師根據(jù)測(cè)試需求的新發(fā)展來(lái)添加新的能力。獨(dú)立的大功率源測(cè)量單元（SMU）可以擴(kuò)展半導(dǎo)體參數(shù)分析儀的電流和電壓能力，從而擴(kuò)展可測(cè)器件的范圍。