ASML公司EUV(Extreme ultraviolet)系統(tǒng)產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)理Hans Meiling透露,其公司采用EUV alpha演示工具印制出了亞40納米光阻圖像。
Meiling在提交給SPIE微光刻大會的一篇論文中匯報了EUV領(lǐng)域的進(jìn)展,包括EUV掩膜、可工作晶圓和十字刻度線(reticle stages)在真空環(huán)境內(nèi)的可用性和in-situ EUV系統(tǒng)的清洗。
Meiling和來自競爭對手尼康的Takaharu Miura都談到了面向32納米節(jié)點的EUV已準(zhǔn)備就緒。Meiling透露,ASML已交付7套EUV光掩膜,另外13套即將交付。光掩膜空白符合32納米節(jié)點對平整度的要求。ASML還演示了成功處理光滑EUV掩膜,沒有出現(xiàn)額外缺陷。
Meiling表示,該公司計劃今年上半年向Albany NanoTech及IMEC交付演示工具。