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[導(dǎo)讀]電路中有各種各樣的電路元器件,那么你都認識嗎?本篇文章通過一張電路原理圖,對每個元器件的功能進行詳細講解,快和小編一起來學(xué)習一下吧!

電路中有各種各樣的電路元器件,那么你都認識嗎?本篇文章通過一張電路原理圖,對每個元器件的功能進行詳細講解,快和小編一起來學(xué)習一下吧!

1、FS1:

由變壓器計算得到Iin值,以此Iin值(0.42A)可知使用公司共享料2A/250V,設(shè)計時亦須考慮Pin(max)時的Iin是否會超過保險絲的額定值。

2、TR1(熱敏電阻):

電源啟動的瞬間,由于C1(一次側(cè)濾波電容)短路,導(dǎo)致Iin電流很大,雖然時間很短暫,但亦可能對Power產(chǎn)生傷害,所以必須在濾波電容之前加裝一個熱敏電阻,以限制開機瞬間Iin在Spec之內(nèi)(115V/30A,230V/60A),但因熱敏電阻亦會消耗功率,所以不可放太大的阻值(否則會影響效率),一般使用5Ω-10Ω熱敏,若C1電容使用較大的值,則必須考慮將熱敏電阻的阻值變大(一般使用在大瓦數(shù)的Power上)。

電源原理圖各元器件解析

3、VDR1(突波吸收器):

當雷極發(fā)生時,可能會損壞零件,進而影響Power的正常動作,所以必須在靠AC輸入端 (Fuse之后),加上突波吸收器來保護Power(一般常用07D471K),但若有價格上的考慮,可先忽略不裝。

4、CY1,CY2(Y-Cap):

Y-Cap一般可分為Y1及Y2電容,若AC Input有FG(3 Pin)一般使用Y2- Cap , AC Input若為2Pin(只有L,N)一般使用Y1-Cap,Y1與Y2的差異,除了價格外(Y1較昂貴),絕緣等級及耐壓亦不同(Y1稱為雙重絕緣,絕緣耐壓約為Y2的兩倍,且在電容的本體上會有“回”符號或注明Y1),使用Y2-Cap,Y-Cap會影響EMI特性,一般而言越大越好,但須考慮漏電及價格問題,漏電(Leakage Current )必須符合安規(guī)須求(3Pin公司標準為750uA max)。

5、CX1(X-Cap)、RX1:

X-Cap為防制EMI零件,EMI可分為Conduction及Radiation兩部分,Conduction規(guī)范一般可分為: FCC Part 15J Class B 、 CISPR 22(EN55022) Class B 兩種 , FCC測試頻率在450K~30MHz,CISPR 22測試頻率在150K~30MHz, Conduction可在廠內(nèi)以頻譜分析儀驗證,Radiation 則必須到實驗室驗證,X-Cap 一般對低頻段(150K ~ 數(shù)M之間)的EMI防制有效,一般而言X-Cap愈大,EMI防制效果愈好(但價格愈高),若X-Cap在0.22uf以上(包含0.22uf),安規(guī)規(guī)定必須要有泄放電阻(RX1,一般為1.2MΩ 1/4W)。

6、LF1(Common Choke):

EMI防制零件,主要影響Conduction 的中、低頻段,設(shè)計時必須同時考慮EMI特性及溫升,以同樣尺寸的Common Choke而言,線圈數(shù)愈多(相對的線徑愈細),EMI防制效果愈好,但溫升可能較高。

7、BD1(整流二極管):

將AC電源以全波整流的方式轉(zhuǎn)換為DC,由變壓器所計算出的Iin值,可知只要使用1A/600V的整流二極管,因為是全波整流所以耐壓只要600V即可。

8、C1(濾波電容):

由C1的大小(電容值)可決定變壓器計算中的Vin(min)值,電容量愈大,Vin(min)愈高但價格亦愈高,此部分可在電路中實際驗證Vin(min)是否正確,若AC Input 范圍在90V~132V (Vc1 電壓最高約190V),可使用耐壓200V的電容;若AC Input 范圍在90V~264V(或180V~264V),因Vc1電壓最高約380V,所以必須使用耐壓400V的電容。

9、D2(輔助電源二極管):

整流二極管,一般常用FR105(1A/600V)或BYT42M(1A/1000V),兩者主要差異:

耐壓不同(在此處使用差異無所謂)

VF不同(FR105=1.2V,BYT42M=1.4V)

10、R10(輔助電源電阻):

主要用于調(diào)整PWM IC的VCC電壓,以目前使用的3843而言,設(shè)計時VCC必須大于8.4V(Min. Load時),但為考慮輸出短路的情況,VCC電壓不可設(shè)計的太高,以免當輸出短路時不保護(或輸入瓦數(shù)過大)。

11、C7(濾波電容):

輔助電源的濾波電容,提供PWM IC較穩(wěn)定的直流電壓,一般使用100uf/25V電容。

12、Z1(Zener 二極管):

當回授失效時的保護電路,回授失效時輸出電壓沖高,輔助電源電壓相對提高,此時若沒有保護電路,可能會造成零件損壞,若在3843 VCC與3843 Pin3腳之間加一個Zener Diode,當回授失效時Zener Diode會崩潰,使得Pin3腳提前到達1V,以此可限制輸出電壓,達到保護零件的目的.Z1值的大小取決于輔助電源的高低,Z1的決定亦須考慮是否超過Q1的VGS耐壓值,原則上使用公司的現(xiàn)有料(一般使用1/2W即可)

13、R2(啟動電阻):

提供3843第一次啟動的路徑,第一次啟動時透過R2對C7充電,以提供3843 VCC所需的電壓,R2阻值較大時,turn on的時間較長,但短路時Pin瓦數(shù)較小,R2阻值較小時,turn on的時間較短,短路時Pin瓦數(shù)較大,一般使用220KΩ/2W M.O。

14、R4(Line Compensation):

高、低壓補償用,使3843 Pin3腳在90V/47Hz及264V/63Hz接近一致(一般使用750KΩ~1.5MΩ 1/4W之間)。

15、R3,C6,D1 (Snubber):

此三個零件組成Snubber,調(diào)整Snubber的目的:1.當Q1 off瞬間會有Spike產(chǎn)生,調(diào)整Snubber可以確保Spike不會超過Q1的耐壓值,2.調(diào)整Snubber可改善EMI.一般而言,D1使用1N4007(1A/1000V)EMI特性會較好.R3使用2W M.O.電阻,C6的耐壓值以兩端實際壓差為準(一般使用耐壓500V的陶質(zhì)電容)。

16、Q1(N-MOS):

目前常使用的為3A/600V及6A/600V兩種,6A/600V的RDS(ON)較3A/600V小,所以溫升會較低,若IDS電流未超過3A,應(yīng)該先以3A/600V為考慮,并以溫升記錄來驗證,因為6A/600V的價格高于3A/600V許多,Q1的使用亦需考慮VDS是否超過額定值。

17、R8:

R8的作用在保護Q1,避免Q1呈現(xiàn)浮接狀態(tài)。

18、R7(Rs電阻):

3843 Pin3腳電壓最高為1V,R7的大小須與R4配合,以達到高低壓平衡的目的,一般使用2W M.O.電阻,設(shè)計時先決定R7后再加上R4補償,一般將3843 Pin3腳電壓設(shè)計在0.85V~0.95V之間(視瓦數(shù)而定,若瓦數(shù)較小則不能太接近1V,以免因零件誤差而頂?shù)?V)。

19、R5,C3(RC filter):

濾除3843 Pin3腳的噪聲,R5一般使用1KΩ 1/8W,C3一般使用102P/50V的陶質(zhì)電容,C3若使用電容值較小者,重載可能不開機(因為3843 Pin3瞬間頂?shù)?V);若使用電容值較大者,也許會有輕載不開機及短路Pin過大的問題。

20、R9(Q1 Gate電阻):

R9電阻的大小,會影響到EMI及溫升特性,一般而言阻值大,Q1 turn on / turn off的速度較慢,EMI特性較好,但Q1的溫升較高、效率較低(主要是因為turn off速度較慢);若阻值較小, Q1 turn on / turn off的速度較快,Q1溫升較低、效率較高,但EMI較差,一般使用51Ω-150Ω 1/8W。

21、R6,C4(控制振蕩頻率):

決定3843的工作頻率,可由Data Sheet得到R、C組成的工作頻率,C4一般為10nf的電容(誤差為5%),R6使用精密電阻,以DA-14B33為例,C4使用103P/50VPE電容,R6為3.74KΩ 1/8W精密電阻,振蕩頻率約為45 KHz。

22、C5:

功能類似RC filter,主要功用在于使高壓輕載較不易振蕩,一般使用101P/50V陶質(zhì)電容。

23、U1(PWM IC):

3843是PWM IC的一種,由Photo Coupler (U2)回授信號控制Duty Cycle的大小,Pin3腳具有限流的作用(最高電壓1V),目前所用的3843中,有KA3843(SAMSUNG)及UC3843BN(S.T.)兩種,兩者腳位相同,但產(chǎn)生的振蕩頻率略有差異,UC3843BN較KA3843快了約2KHz,fT的增加會衍生出一些問題(例如:EMI問題、短路問題),因KA3843較難買,所以新機種設(shè)計時,盡量使用UC3843BN。

24、R1、R11、R12、C2(一次側(cè)回路增益控制):

3843內(nèi)部有一個Error AMP(誤差放大器),R1、R11、R12、C2及Error AMP組成一個負回授電路,用來調(diào)整回路增益的穩(wěn)定度,回路增益,調(diào)整不恰當可能會造成振蕩或輸出電壓不正確,一般C2使用立式積層電容(溫度持性較好)。

25、U2(Photo coupler):

光耦合器(Photo coupler)主要將二次側(cè)的信號轉(zhuǎn)換到一次側(cè)(以電流的方式),當二次側(cè)的TL431導(dǎo)通后,U2即會將二次側(cè)的電流依比例轉(zhuǎn)換到一次側(cè),此時3843由Pin6 (output)輸出off的信號(Low)來關(guān)閉Q1,使用Photo coupler的原因,是為了符合安規(guī)需求(primacy to secondary的距離至少需5.6mm)。

26、R13(二次側(cè)回路增益控制):

控制流過Photo coupler的電流,R13阻值較小時,流過Photo coupler的電流較大,U2轉(zhuǎn)換電流較大,回路增益較快(需要確認是否會造成振蕩),R13阻值較大時,流過Photo coupler的電流較小,U2轉(zhuǎn)換電流較小,回路增益較慢,雖然較不易造成振蕩,但需注意輸出電壓是否正常。

27、U3(TL431)、R15、R16、R18:

調(diào)整輸出電壓的大小, ,輸出電壓不可超過38V(因為TL431 VKA最大為36V,若再加Photo coupler的VF值,則Vo應(yīng)在38V以下較安全),TL431的Vref為2.5V,R15及R16并聯(lián)的目的使輸出電壓能微調(diào),且R15與R16并聯(lián)后的值不可太大(盡量在2KΩ以下),以免造成輸出不準。

28、R14,C9(二次側(cè)回路增益控制):

控制二次側(cè)的回路增益,一般而言將電容放大會使增益變慢;電容放小會使增益變快,電阻的特性則剛好與電容相反,電阻放大增益變快;電阻放小增益變慢,至于何謂增益調(diào)整的最佳值,則可以Dynamic load來量測,即可取得一個最佳值。

29、D4(整流二極管):

因為輸出電壓為3.3V,而輸出電壓調(diào)整器(Output Voltage Regulator)使用TL431(Vref=2.5V)而非TL432(Vref=1.25V),所以必須多增加一組繞組提供Photo coupler及TL431所需的電源,因為U2及U3所需的電流不大(約10mA左右),二極管耐壓值100V即可,所以只需使用1N4148(0.15A/100V)。

30、C8(濾波電容):

因為U2及U3所需的電流不大,所以只要使用1u/50V即可。

31、D5(整流二極管):

輸出整流二極管,D5的使用需考慮:

1)電流值;

2)二極管的耐壓值。

以此電源為例,輸出電流4A,使用10A的二極管(Schottky)應(yīng)該可以,但經(jīng)點溫升驗證后發(fā)現(xiàn)D5溫度偏高,所以必須換為15A的二極管,因為10A的VF較15A的VF 值大。耐壓部分40V經(jīng)驗證后符合,因此最后使用15A/40V Schottky。

32、C10,R17(二次側(cè)snubber):

D5在截止的瞬間會有spike產(chǎn)生,若spike超過二極管(D5)的耐壓值,二極管會有被擊穿的危險,調(diào)整snubber可適當?shù)臏p少spike的電壓值,除保護二極管外亦可改善EMI,R17一般使用1/2W的電阻,C10一般使用耐壓500V的陶質(zhì)電容,snubber調(diào)整的過程(264V/63Hz)需注意R17,C10是否會過熱,應(yīng)避免此種情況發(fā)生。

33、C11,C13(濾波電容):

二次側(cè)第一級濾波電容,應(yīng)使用內(nèi)阻較小的電容(LXZ,YXA…),電容選擇是否洽當可依以下三點來判定:

1)輸出Ripple電壓是符合規(guī)格;

2)電容溫度是否超過額定值;

3)電容值兩端電壓是否超過額定值。

34、R19(假負載):

適當?shù)氖褂眉儇撦d可使線路更穩(wěn)定,但假負載的阻值不可太小,否則會影響效率,使用時亦須注意是否超過電阻的額定值(一般設(shè)計只使用額定瓦數(shù)的一半)。

35、L3,C12(LC濾波電路):

LC濾波電路為第二級濾波,在不影響線路穩(wěn)定的情況下,一般會將L3 放大(電感量較大),如此C12可使用較小的電容值。以上就是電路中的一些元器件的認識,相信對大家會有一定的幫助。

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