很多人都知道晶振，那么知道什么是晶振的搭配電容適配嗎?晶振在現(xiàn)實應用中不可或缺，缺少晶振，目前實現(xiàn)的諸多技術將不再可用，如 PC 內部的時鐘等。對于晶振，小編曾帶來諸多介紹。而本文對晶振的講解，主要在于解釋晶振為何要搭配電容使用，并與大家共同探討 16M 晶振應當搭配多大電容使用。
一、晶振為什么要配電容
晶振負載電容取值直接關系到調頻的準確度。如果負載電容不夠準確，那么買來的晶體準確度就會差。揚興教你怎么計算負載電容，計算公式：晶振的負載電容=[(Cd*Cg)/(Cd Cg)] Cic △C 式中 Cd，Cg 為分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，Cic(集成電路內部電容) △C(PCB 上電容)一般為 3 至 5pf。
晶振為什么要加電容、需要配多大電容這要根據晶振的規(guī)格和電路中的因素來確定，同是 16MHZ 的晶體諧振器，其負載電容值有可能不一樣，如 10PF，20PF。負載電容值是在其生產加工過程中確定的，無法進行改變。購買晶振時應該能得到準確的規(guī)格書。
晶振在電路中使用時，應滿足 CL=C+CS.
·CL 為規(guī)格書中晶振的負載電容值，
·C 為電路中外接的電容值(一般由兩顆電容通過串并聯(lián)關系得到)，
CS 為電路的分布電容，這和電路的設計，元器件分布等因素有關，值不確定，一般為 3 到 5PF. 所以據以上公式就可以大概推算出應該使用的電容值，而且這一電容值可以使晶振工作在其標稱頻率附近。
如：我用的 430 的單片機，8M 晶振，配的是 12pF 的電容，其實容量的大小沒必要多準確，幾皮法到十幾皮法都可以的。
估計都差不多，你看看芯片資料上應該有。單片機中的外接晶振為什么要并上兩個電容 ?為什么好要接到啊?
1. 為了要滿足諧振的條件。 具體講就是：晶體元件的負載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負載電容。不是所有晶體振蕩電路都需要匹配電容。是否需要由振蕩電路的形式決定，分析時需采用晶體的等效模型。
2. 接地：晶體旁邊的兩個電容接地， 實際上就是電容三點式電路的分壓電容， 接地點就是分壓點。 以接地點即分壓點為參考點， 振蕩引腳的輸入和輸出是反相的，但從并聯(lián)諧振回路即石英晶體兩端來看， 形成一個正反饋以保證電路持續(xù)振蕩當然，你也可以這樣理解：
晶振的標稱值在測試時有一個“負載電容”的條件，在工作時滿足這個條件，振蕩頻率才與標稱值一致，也就是說，只有連接合適的電容才能滿足晶振的起振要求，晶振才能正常工作。
二、16M 晶振要配多大電容
晶振分有源晶振和無源晶振。
對于有源晶振，是指自己內部集成有振蕩電路的，加上電源后自己可以產生波形的，大部分都是默認 15pF 負載 Max 的，當負載過大時，波形可能會變形。不過也有一部分產品采用的是大負載的 IC，負載可達 50pF Max，這種產品一般要單獨訂做。
對于無源晶振，一般也叫晶體。需要有外加的電路才能起振的，所需的負載一般和使用的環(huán)境等有關，這多是由電路的設計中決定的，負載小到 5pF，大到 100pF 以上都有。這個負載電容影響晶振的工作頻率。 這要根據晶振的規(guī)格和電路中的因素來確定，同是 16MHZ 的晶體諧振器，其負載電容值有可能不一樣，如 10PF，20PF。負載電容值是在其生產加工過程中確定的，無法進行改變。購買晶振時應該能得到準確的規(guī)格書。
晶振在電路中使用時，應滿足 CL=C+CS.CL CL 為規(guī)格書中晶振的負載電容值，C 為電路中外接的電容值(一般由兩顆電容通過串并聯(lián)關系得到)，CS 為電路的分布電容，這和電路的設計，元器件分布等因素有關，值不確定，一般為 3 到 5PF. 所以根據以上公式就可以大概推算出應該使用的電容值，而且這一電容值可以使晶振工作在其標稱頻率附近。以上就是晶振的搭配電容適配，希望能給大家?guī)椭?
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