理解MOSFET時間相關(guān)及能量相關(guān)輸出電容Coss(tr)和Coss(er)

摘要：本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中靜態(tài)輸出電容Coss、時間相關(guān)輸出電容Coss(tr)和能量相關(guān)輸出電容Coss(er)的具體定義以及測量的方法，特別說明了在實際的不同應(yīng)用中，采用不同的輸出電容的原因。諧振變換器必須采用時間相關(guān)輸出電容Coss(tr)來計算死區(qū)時間，硬開關(guān)變換器必須采用能量相關(guān)輸出電容Coss(er)來計算開關(guān)損耗。

關(guān)鍵詞：輸出電容；死區(qū)時間；開關(guān)損耗；超結(jié)

功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，有些產(chǎn)品如超結(jié)的高壓功率MOSFET通常會列出輸出電容的三個特征值：靜態(tài)輸出電容Coss、時間相關(guān)輸出電容Coss(tr)和能量相關(guān)輸出電容Coss(er)，而低壓和中壓的產(chǎn)品以及平面的高壓MOSFET很少列出后面的二個電容值，這主要和不同工藝的MOSFET的結(jié)構(gòu)和電容特性有關(guān)。許多研發(fā)的工程師并不了解這些電容的實際含義，因此在實際的應(yīng)用中也不清楚在什么的條件下選擇哪一個電容值，本文將詳細(xì)的說明這些問題。

發(fā)表于: 電子產(chǎn)品世界雜志，2019.4