理解MOSFET時(shí)間相關(guān)及能量相關(guān)輸出電容Coss(tr)和Coss(er)
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摘要:本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中靜態(tài)輸出電容Coss、時(shí)間相關(guān)輸出電容Coss(tr)和能量相關(guān)輸出電容Coss(er)的具體定義以及測量的方法,特別說明了在實(shí)際的不同應(yīng)用中,采用不同的輸出電容的原因。諧振變換器必須采用時(shí)間相關(guān)輸出電容Coss(tr)來計(jì)算死區(qū)時(shí)間,硬開關(guān)變換器必須采用能量相關(guān)輸出電容Coss(er)來計(jì)算開關(guān)損耗。
關(guān)鍵詞:輸出電容;死區(qū)時(shí)間;開關(guān)損耗;超結(jié)
功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中,有些產(chǎn)品如超結(jié)的高壓功率MOSFET通常會列出輸出電容的三個(gè)特征值:靜態(tài)輸出電容Coss、時(shí)間相關(guān)輸出電容Coss(tr)和能量相關(guān)輸出電容Coss(er),而低壓和中壓的產(chǎn)品以及平面的高壓MOSFET很少列出后面的二個(gè)電容值,這主要和不同工藝的MOSFET的結(jié)構(gòu)和電容特性有關(guān)。許多研發(fā)的工程師并不了解這些電容的實(shí)際含義,因此在實(shí)際的應(yīng)用中也不清楚在什么的條件下選擇哪一個(gè)電容值,本文將詳細(xì)的說明這些問題。
發(fā)表于: 電子產(chǎn)品世界雜志,2019.4
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