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安森美半導(dǎo)體產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Pramit Nandy
安森美半導(dǎo)體產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Sudhama Shastri
如今，新的復(fù)雜業(yè)務(wù)模型正采用基于云的平臺(tái)，通過(guò)省去內(nèi)部數(shù)據(jù)中心，以提高效率，減少資本支出
（CAPEX）
和運(yùn)營(yíng)支出
（OPEX）
。采用云存儲(chǔ)和基于云的服務(wù)代表一個(gè)真正的大趨勢(shì)，近幾年不僅在大型企業(yè)越來(lái)越流行，而且在中小型企業(yè)
（SMB）
中所占比例也顯著增加。除了少數(shù)企業(yè)出于性能、可靠性或網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)安全原因而需要保留內(nèi)部數(shù)據(jù)中心，大多數(shù)企業(yè)將持續(xù)這趨勢(shì)。
云存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將以23.7%的復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2022年將達(dá)到889.1億美元。據(jù)估計(jì)，數(shù)據(jù)中心和基于云的存儲(chǔ)消耗當(dāng)今總發(fā)電量的3%，隨著對(duì)云存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)中心的需求以如此快的速度增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)能源需求在短期內(nèi)將顯著增加。
由于能源使用對(duì)環(huán)境的影響和節(jié)省數(shù)百萬(wàn)美元運(yùn)營(yíng)成本的潛力，數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)人員面臨挑戰(zhàn)，要通過(guò)采用先進(jìn)的配電和管理方案來(lái)提高能效，同時(shí)保持或減小外形。在這領(lǐng)域，即使提高最小百分比的能效，也相當(dāng)于節(jié)省大量寶貴的能源和成本。
一個(gè)重要的目標(biāo)是降低電源使用效率
（PUE）
比率。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，需要技術(shù)來(lái)獲得更高的能效、準(zhǔn)確性和可靠性。這與配電系統(tǒng)
（PDU）
、母線槽、不間斷電源
（UPS）
以及保護(hù)它們的電路。
由于數(shù)據(jù)中心和基于云的系統(tǒng)的功率密度不斷提高，對(duì)過(guò)流保護(hù)的要求比以往任何時(shí)候都更具挑戰(zhàn)性，并且已成為所有保護(hù)考慮因素中最關(guān)鍵的因素之一。
對(duì)更高的準(zhǔn)確性、可靠性、安全性
（例如滿足IEC 62368標(biāo)準(zhǔn)）
和具有先進(jìn)診斷的快速響應(yīng)的需求正越來(lái)越普遍。傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲由于響應(yīng)遲緩、缺乏診斷或故障報(bào)告不能滿足這些要求。
將電子保險(xiǎn)絲
(eFuse)
與同等傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲例如熔融熔斷器和聚合物正溫系數(shù)
（PPTC）
可復(fù)位保險(xiǎn)絲的規(guī)格和性能進(jìn)行比較表明，
eFuse具有非常低的響應(yīng)時(shí)間和浪涌電流控制，在發(fā)生短路時(shí)大大減小電流尖峰。
eFuse對(duì)比傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲 ↓
Melting Fuse：熔斷熔絲
PTC：正溫系數(shù)
DC Supply：直流電源
Spike in Current：電流尖峰
由于這些原因和近年新技術(shù)的出現(xiàn)，在可行的情況下，設(shè)計(jì)人員試圖將傳統(tǒng)的保險(xiǎn)絲替換為熱插拔控制器和外部FET，或者替換為eFuse。eFuse含集成控制器的功率MOSFET和許多內(nèi)置保護(hù)功能包括過(guò)壓、過(guò)流對(duì)電池短路和熱保護(hù)以及診斷功能如電源自檢
(powergood)
、電流監(jiān)測(cè)和故障/啟用。另一方面，熱插拔控制器使用外部FET而不是集成的FET，且通常用于較高電流應(yīng)用。
Pass-transistor +Control circuit：導(dǎo)通管+控制電路
Current Monitor：電流監(jiān)測(cè)
Load diagnostics：負(fù)載診斷
Load Control：負(fù)載控制
FAULT ENABLE：故障啟用
Overvoltage Protection：過(guò)壓保護(hù)
Immunity to power supplyglitches/drift：不受電源故障/漂移的影響
Short to Battery Protection：對(duì)電池短路保護(hù)
Overcurrent &thermal Protection：過(guò)流及過(guò)熱保護(hù)
Intimate thermalmonitoring & unconditional safety：密切熱監(jiān)控和無(wú)條件安全
Short to GroundProtection：對(duì)地短路保護(hù)
Reverse CurrentProtection：反向電流保護(hù)
Polarity reversalprotection：極性反轉(zhuǎn)保護(hù)
Reverse bleedprevention：避免反流
Reverse CurrentProtection：反向電流保護(hù)
兩種技術(shù)的主要區(qū)別在于eFuse能夠?qū)崟r(shí)跟蹤內(nèi)置MOSFET芯片溫度和電流，并能迅速采取糾正措施。盡管如此，熱插拔控制器能通過(guò)放大主MOSFET來(lái)提高電流，在超過(guò)100A的高電流應(yīng)用中仍會(huì)流行。而eFuse的持續(xù)電流承受能力從1A到50A
（取決于導(dǎo)通Rds(on)、封裝和邊界條件）
，有望在服務(wù)器和云存儲(chǔ)應(yīng)用中普及。
Hot Swap Controller：熱插拔控制器
eFuse現(xiàn)在被應(yīng)用于各種云應(yīng)用中，包括用作存儲(chǔ)設(shè)備的企業(yè)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器
(HDD)
和固態(tài)硬盤(pán)
(SSD)
、存儲(chǔ)系統(tǒng)中的背板保護(hù)、服務(wù)器和熱插拔風(fēng)扇。每一應(yīng)用都提出了不同的挑戰(zhàn)。在驅(qū)動(dòng)電感和電容負(fù)載時(shí)產(chǎn)生的電應(yīng)力、熱插拔和短路產(chǎn)生的應(yīng)力，使得難以保證在安全工作區(qū)
(SOA)
運(yùn)行，并且在滿足嚴(yán)格的能效要求的同時(shí)實(shí)現(xiàn)功能安全。一些關(guān)鍵應(yīng)用和相關(guān)挑戰(zhàn)如下：
12V Main supply：12 V主電源
Internet Connectivity：互聯(lián)網(wǎng)聯(lián)接
Data Management：數(shù)據(jù)管理
Colocation Inter Connectivity：托管間聯(lián)接
Storage Management：存儲(chǔ)管理
Main Fuse：主保險(xiǎn)絲
Aux eFuse: 輔助
eFuse Fans：風(fēng)扇
Server Racks：服務(wù)器機(jī)架
Storage Racks：存儲(chǔ)機(jī)架
Backplane：背板
Fast Switch：快速開(kāi)關(guān)
Storage System (NAS)：存儲(chǔ)系統(tǒng) (網(wǎng)絡(luò)附加存儲(chǔ)NAS)
Blade Server Electronics：刀片服務(wù)器電子
適用于所有應(yīng)用的快速、準(zhǔn)確的過(guò)流保護(hù)
傳統(tǒng)方案如熔斷保險(xiǎn)絲和PPTC的耐受性非常差，響應(yīng)時(shí)間和跳閘時(shí)間從幾百毫秒到幾秒不等，具體取決于短路事件的類(lèi)型。同時(shí)，大多數(shù)eFuse都基于編程的電流極限值在幾微秒
（<5μs）
內(nèi)響應(yīng)短路事件，并將電流保持在編程值，直到芯片溫度超過(guò)熱關(guān)斷閾值為止。
熱插拔風(fēng)扇和存儲(chǔ)系統(tǒng)
由于與這些應(yīng)用相關(guān)的電機(jī)或輸出電容較大，在啟動(dòng)過(guò)程中可能會(huì)出現(xiàn)很大的涌流。
然而，在輸出端采用可控制和可編程轉(zhuǎn)換率的eFuse有助于減少大浪涌電流，從而保護(hù)系統(tǒng)。
特別是對(duì)于風(fēng)扇來(lái)說(shuō)，有和沒(méi)有eFuse的運(yùn)行對(duì)浪涌電流有很大的影響。
有eFuse，浪涌電流大大降低，從而保護(hù)下游電路。
由于電源故障或連接到過(guò)流保護(hù)輸入的DC-DC轉(zhuǎn)換器故障，所有下游電路都可能承受過(guò)壓應(yīng)力，這些電路的耐壓可能沒(méi)那么高。
有利的是，eFuse內(nèi)置過(guò)壓保護(hù)功能，可將器件的輸出鉗位到一定的安全電壓水平，即使輸入電壓遠(yuǎn)高于工作電壓。
因此保護(hù)了下游電路免受過(guò)壓應(yīng)力的影響。
在許多情況下，受保護(hù)的電路耐受非常低的過(guò)電壓應(yīng)力。
因此，過(guò)壓保護(hù)不僅要可靠，還要非?？?。
對(duì)于eFuse，檢測(cè)和激活內(nèi)部鉗位的時(shí)間約<5μs。
安森美半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出從3V到12V的多種eFuse，支持從1A到12A的連續(xù)電流。
最新的器件是12V eFuse系列
NIS5232
、
NIS5820
、
NIS5020
和
NIS5021
，分別支持4A、8A、10A和12A，用于需要過(guò)流、過(guò)熱、過(guò)壓和浪涌電流保護(hù)的應(yīng)用，并能通過(guò)通用輸入輸出
(GPIO)
報(bào)告故障及禁用輸出。在不斷減小整體設(shè)計(jì)尺寸的壓力下，DFN10
（3mmx3mm）
和DFN10
（4mmx4mm）
封裝有助于應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)和支援緊湊的布板。
由于提高電源使用效率
(PUE)
比率日增的壓力和愿望，數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)器的功率密度不斷增加，以及安全標(biāo)準(zhǔn)的推行，對(duì)過(guò)流保護(hù)器件的負(fù)荷在改變并變得更加復(fù)雜。
eFuse具備高精度、快速響應(yīng)時(shí)間、高可靠性、故障報(bào)告能力和診斷特性，有助于解決云應(yīng)用、工業(yè)、汽車(chē)和電信設(shè)備過(guò)流保護(hù)的挑戰(zhàn)。
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