開關(guān)電源之“電源防反接”

本文跟大家聊聊直流電源入口的防反接電路。

下面這個(gè)電路相信大家都不陌生，但很多人都是直接搬過來用，本文就給大家介紹介紹該電路的原理。

直流電源防反接的方式很多，最簡單的有串連一個(gè)二極管的，也有采用整流橋的，還有采用繼電器的。

采用MOS管的這個(gè)電路是直流電源入口處防反接的常見的用法。一般有如下兩種形式：

針對串接在正極上的情況分析如下：

當(dāng)電源反接時(shí)MOS管截止，保護(hù)了負(fù)載。當(dāng)電源正接時(shí)由于MOS管飽和導(dǎo)通壓降比較小，幾乎不損失電壓，比在電源端加保險(xiǎn)管再在負(fù)載并聯(lián)一個(gè)二極管的方案好一些。

當(dāng)電源正接時(shí)，由于MOS管中的寄生二極管的存在，從而使得MOS管的Vgs電壓為輸入電壓減去寄生二極管壓降電壓0.7V，這個(gè)電壓是大于MOS開關(guān)導(dǎo)通的閾值電壓的，從而使MOS管導(dǎo)通，導(dǎo)通后相當(dāng)于寄生二極管被MOS管導(dǎo)通短路，從而可以通過更大的電流。

當(dāng)電源電壓接反時(shí)，MOS不導(dǎo)通，MOS管是截止的。從而保護(hù)后級電路的安全。MOS管GS之間的R和D（穩(wěn)壓二極管）是為了確保電源接入正確時(shí)，更好的保證MOS管導(dǎo)通，如果省去穩(wěn)壓二極管D，則有可能由于輸入電壓過高導(dǎo)致超過MOS管的Vgs最大值，從而容易使MOS管損耗。加入穩(wěn)壓管也是更好的保護(hù)MOS管。

DS之間的R3C1電路是為了吸收開關(guān)形成的尖峰信號，常用于大電流應(yīng)用，小電流可不用。同時(shí)通過調(diào)整R1、R2、C2的參數(shù)還能調(diào)整電路的緩啟時(shí)間。

NMOS接在電源的負(fù)極，柵極高電平導(dǎo)通。PMOS接在電源的正極，柵極低電平導(dǎo)通。由于NMOS管的導(dǎo)通電阻比PMOS的小，因此對壓降要求高的情況可選用NMOS。

免責(zé)聲明：本文內(nèi)容由21ic獲得授權(quán)后發(fā)布，版權(quán)歸原作者所有，本平臺僅提供信息存儲服務(wù)。文章僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn)，不代表本平臺立場，如有問題，請聯(lián)系我們，謝謝！