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[導讀]文章目錄 1. 上拉電阻 2. 下拉電阻 3. 上拉電阻使用場景 3.1. TTL驅動CMOS 3.2. OC和OD門 3.3. 低電平中斷檢測 3.4. 固定電平 4. 下拉電阻使用場景 4.1. 固定電平 4.1. 作為放電電阻 1. 上拉電阻 上拉,從字面意思就是往上面拉,數(shù)字電路中“上”指的是啥?指

文章目錄

  • 1. 上拉電阻

  • 2. 下拉電阻

  • 3. 上拉電阻使用場景

    • 3.1. TTL驅動CMOS

    • 3.2. OC和OD門

    • 3.3. 低電平中斷檢測

    • 3.4. 固定電平

  • 4. 下拉電阻使用場景

    • 4.1. 固定電平

    • 4.1. 作為放電電阻

1. 上拉電阻

上拉,從字面意思就是往上面拉,數(shù)字電路中“上”指的是啥?指邏輯1,在電路設計中,邏輯1代表高電平。那把什么往上面拉呢,當然不會是電源,也不會是地,那只能是信號了。

自然就會得到概念,把一個信號通過一個電阻接到高電平,叫作上拉,這個電阻充當?shù)淖饔镁褪?strong>上拉電阻。

2. 下拉電阻

把一個信號通過一個電阻接到低電平(地),叫作下拉,這個電阻充當?shù)淖饔镁褪?strong>下拉電阻。

為什么會出現(xiàn)上拉電阻,下拉電阻呢?什么場景下需要用到上拉下拉電阻呢?上下拉電阻的阻值如何選擇呢?

3. 上拉電阻使用場景

3.1. TTL驅動CMOS

標準TTL電平的 (高電平輸出最大值)為2.4V,而CMOS的 (高電平輸入最小值)為3.5V,當TTL驅動CMOS時,TTL輸出高電平時,CMOS可能無法有效識別為高電平,所以需要在TTL的輸出上加一個上拉電阻,將TTL的輸出高電平提高到5V,使CMOS有效識別。

TTL低電平驅動CMOS時,TTL的 (低電平輸出最大值)為0.5V,小于CMOS的 (低電平輸入最大值)的1.5V,所以TTL低電平可以正常被CMOS識別。

越小,上拉能力越大,但是會增大TTL端的飽和壓降,導致TTL輸出的低電平很高, 太大,會延緩TTL輸出的上升沿。

TTL驅動CMOS

3.2. OC和OD門

采用OC和OD門結構的,都需要添加上拉電阻,下圖I2C是OD結構,SDA和SCL信號上都需要加上拉電阻,不加上拉電阻,OC和OD是無法輸出高電平的。

IIC的OD結構

3.3. 低電平中斷檢測

對于低電平中斷觸發(fā)電路來說,一般在MCU的檢測端會加一個上拉電阻,當INT低電平到來時,MCU_INT_DET會變?yōu)榈碗娖?,觸發(fā)中斷。

R1太大,MCU_INT_DET的上升沿越慢,R1太小,有可能造成灌電流過大,導致MCU管腳燒壞。

低電平中斷檢測電路

3.4. 固定電平

如LDO電路,高電平使能時,一般會在使能腳CE加上拉電阻到VIN,達到上電LDO就有輸出的效果。

對于R1,一般芯片的SPEC會給出,最常見的是10K和100K,那你說47K行不行,當然也行,要看LDO CE管腳的灌電流能力,也就是5V加在R1上的電流需要小于CE管腳最大灌電流,如果太大,CE腳可能會燒毀。

LDO電路

4. 下拉電阻使用場景

4.1. 固定電平

如NMOS的控制電路中,一般G極加一個下拉電阻,固定低電平,MOS管的GS阻抗很大,容易遭到靜電的干擾,導致GS之間產生較高電壓,使MOS管開關狀態(tài)改變。

對于R2,MOS管在關閉狀態(tài),流過R2的耗流為0,MOS管導通狀態(tài);流過R2的電流為 ,如果想減小耗流,盡可能提高R2的阻值,一般取值200K,1M等。

MOS管開關電路

4.2. 作為放電電阻

有的LDO電路中,也會加R4下拉電阻,叫假負載,LDO關閉時,用于快速泄放C6上的電壓,這和電路的使用場景有相關。加R4的壞處是,在正常工作時,會增加 的耗流,再說一句,現(xiàn)在也有帶自放電功能的LDO,帶自放電和不帶自放電,有利有弊。

對于R4,阻值越小,放電越快,但是正常工作時,增加的耗流會越大。

R4作為放電電阻

今天的文章到這里就結束了。。。



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