臺積電宣布3nm工藝將在2021年實現風險量產

在7月16日舉行的臺積電第二季度業(yè)績說明會上，臺積電宣布，預計將于2021年上半年進行3nm的風險量產，2022年正式量產。

臺積電兩年前量產了7nm工藝，今年要量產5nm工藝了，已經被華為、蘋果搶先預定了大部分產能，現在3nm工藝也定了，官方宣布2021年風險量產，2020年下半年正式量產。

此外，臺積電還透露了3nm工藝的技術指標，相比今年的5nm工藝，3nm工藝的晶體管密度提升15%，性能提升10-15%，能效提升20-25%。

之前傳聞臺積電在3nm節(jié)點會放棄FinFET晶體管工藝轉向GAA環(huán)繞柵極晶體管，不過最新消息稱臺積電研發(fā)成功2nm工藝，使用的是GAA晶體管技術，這意味著臺積電3nm節(jié)點還會采用傳統的FinFET工藝。

據外媒報道，臺積電將如期推出iPhone和iPad的蘋果A16芯片，該芯片將采用臺積電的3nm工藝，并于2022年上市。

16nm 和 7nm工藝訂單依是臺積電的主要營收來源，16nm貢獻了第二季度18%的營收，而7nm則是46%。兩項工藝加起來撐起了臺積電2020年第二季度54%的營收。

3nm可以說是最接近摩爾定律的技術極限了，目前臺積電能否承受這個巨大的挑戰(zhàn)呢，只有等到2022年再揭曉了。