對5G時代的電源設(shè)計工程師來說，新拓撲結(jié)構(gòu)和新材料是必須要熟悉的，因為碳化硅、氮化鎵等新材料器件出來的時間并不長，每個廠商推出的器件特性都是不一樣的，不像硅器件特性大家都比較熟悉。因此，程文濤建議電源設(shè)計工程師，盡早熟悉新材料器件、高頻化設(shè)計，開拓設(shè)計思路，以適應(yīng)未來的電源設(shè)計工作。
對于宏基站，在一次電源和二次電源的優(yōu)化方面，英飛凌的程文濤給出了一些建議。“在一次電源方面，我們看到一個很明顯的趨勢是要求高效率和高功率密度。現(xiàn)在電源的效率要達到97%，甚至98%的工作效率。”
要達到這個效率目標，程文濤認為一是需要用到新的拓撲結(jié)構(gòu)，他舉例說，ACDC的拓撲結(jié)構(gòu)將會從有橋PFC，逐漸過渡到無橋PFC，甚至圖騰柱拓撲結(jié)構(gòu);二是必須采用新的材料，包括現(xiàn)在熱門的碳化硅MOSFET和氮化鎵MOSFET;三是高頻化，高頻化可以提高功率密度，減小尺寸;四是貼片封裝更受歡迎，SMD封裝成為了主流。
對于二次電源部分，新的拓撲結(jié)構(gòu)并不多，更主要的是使用新材料和高頻化器件。
圖：5G時代的宏站整流器
5G小基站電源設(shè)計的建議
在小基站方面，程文濤認為5G時代的小基站跟宏基站有很大的區(qū)別，跟4G時代的微基站和微微基站也略有不同，“現(xiàn)在小基站，有的人也叫分布式基站，在5G時代，射頻部分和天線部分，會越來越多地融合在一起，不像以前RU跟天線是分開的，這種緊湊型的設(shè)計，對電源的要求是不同的?！?
圖：小基站供電設(shè)備的主要特點
他認為主要會有以下一些變化：
一是需要使用耐壓等級更高的器件。如果要做到更加緊湊，那么能夠接受的EMI的元件數(shù)量就要變少，因為EMI元件一般都是很大。但是EMI元件對射頻部分又非常關(guān)鍵，它除了擔(dān)任電磁兼容部分的任務(wù)外，還需要負責(zé)輸入部分的抗浪涌和雷擊任務(wù)?！斑@就像一個蹺蹺板，如何平衡緊湊，與減少EMI器件后還能承受以前一樣，甚至更高的抗浪涌和雷擊壓力。”程文濤也談到了現(xiàn)在的一些應(yīng)對措施，那就是使用耐壓等級更高的器件。
二是需要采用新封裝形式的器件。由于要做得更加緊湊，貼片器件會用得更多。而且由于小基站很多是部署在室外的，基本上不使用風(fēng)扇，因為風(fēng)扇的維護成本高，且折舊速度快，因此現(xiàn)在小基站基本都是無風(fēng)扇設(shè)計。那如何才能適應(yīng)室外的款溫度變化呢，這就需要依靠設(shè)備的外殼幫助散熱。程文濤指出，現(xiàn)在不少器件都采用了新的封裝來幫助散熱，比如頂層散熱，或者雙面散熱的封裝。
三是在二次電源里面，DCDC部分會有一些新的技術(shù)出來，“例如以前大部分的MOS管都是漏極貼在PCB上的，現(xiàn)在有很多的器件是把源極設(shè)計在下面。源極朝下，配合漏極朝下的器件，做同步整流Buck的時候，在EMI、效率、PCB layout等方面都有非常大的優(yōu)勢?！背涛臐硎尽?
總的來說，在5G時代，如何降低功耗是整個產(chǎn)業(yè)鏈都需要思考的問題。高效率、高功率密度、以及高頻化將會是接下來業(yè)界持續(xù)關(guān)注的話題。在程文濤看來，在效率方面，對通信電源來說，當(dāng)電源效率提升到一定程度之后，提高效率的任務(wù)就會落在射頻端，射頻端的效率提升一點點的好處將會大于電源部分效率的提升;高功率密度可以讓設(shè)備的尺寸變得更小，會是業(yè)界持續(xù)關(guān)注的重點;高頻化則需要依賴新材料來實現(xiàn)，包括碳化硅、氮化鎵、磁性新材料等，因為只有主動器件和被動器件同時高頻化，才能實現(xiàn)系統(tǒng)的高頻化。
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