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[導讀]2019年在內(nèi)存及閃存領(lǐng)域國內(nèi)各有一個重大突破,長江存儲量產(chǎn)了64層3D閃存,合肥長鑫則量產(chǎn)了DDR4內(nèi)存,后者今年有望成為全球第四大DRAM內(nèi)存芯片廠。 在DRAM內(nèi)存芯片市場上,三星、SK海力士及

2019年在內(nèi)存及閃存領(lǐng)域國內(nèi)各有一個重大突破,長江存儲量產(chǎn)了64層3D閃存,合肥長鑫則量產(chǎn)了DDR4內(nèi)存,后者今年有望成為全球第四大DRAM內(nèi)存芯片廠。

在DRAM內(nèi)存芯片市場上,三星、SK海力士及美光三大公司占據(jù)了95%以上的份額,以最新的Q2季度為例,三星一家就占44%左右,SK海力士占比約為30%,美光在21%左右,留給其他廠商的空間非常小。

目前全球第四大內(nèi)存廠商是南亞科技,更早之前是華亞科,不過華亞科已經(jīng)被美光全資收購了,第五位的南亞就晉升到了第四,但是份額占比約為3%而已,其產(chǎn)能不過7萬片晶圓/月。

這也給了合肥長鑫一個快速超越的機會,Digitime爆料稱今年底合肥長鑫的產(chǎn)能就有可能超過7萬片晶圓/月,這意味著他們有望超越南亞成為全球第四大DRAM芯片廠。

當然,前面說了,就算長鑫真的做到了,這個第四其實跟前三的差距也非常大,TOP3廠商幾乎是贏家通吃,產(chǎn)能遠高于其他公司。

目前長鑫量產(chǎn)的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片主要還是19nm工藝的,相比三星等公司也要落伍2-3年時間,提升技術(shù)水平也是長鑫的關(guān)鍵。

好消息是,長鑫預計在2021年搞定17nm工藝內(nèi)存芯片,差不多相當于業(yè)界的1Xnm工藝了,可以繼續(xù)提升內(nèi)存的存儲密度。

根據(jù)之前的官方信息,以長鑫為代表的安徽半導體行業(yè),在未來2-3年內(nèi)將推進低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā),要面向中高端移動、平板及消費類產(chǎn)品DRAM存儲芯片自主可控需求,研發(fā)先進低功耗高速率LPDDR5 產(chǎn)品并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

依托DRAM 17nm及以下工藝,攻關(guān)高速接口技術(shù)、Bank Group架構(gòu)設(shè)計技術(shù)、低功耗電源(電壓)技術(shù)、片內(nèi)糾錯編碼(On-Die ECC)技術(shù),完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)。

根據(jù)資料,合肥長鑫集成電路制造基地項目總投資超過2200億元,選址位于合肥空港經(jīng)濟示范區(qū),占地面積約15.2平方公里,由長鑫12吋存儲器晶圓制造基地(以下簡稱“基地”)、空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園、空港國際小鎮(zhèn)三個片區(qū)組成。

其中,長鑫12吋存儲器晶圓制造基地項目是中國大陸第一個投入量產(chǎn)的DRAM設(shè)計制造一體化項目,也是安徽省單體投資最大的工業(yè)項目,總投資約1500億元;空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園,位于基地以西,總投資超過200億元;合肥空港國際小鎮(zhèn)位于基地以北,規(guī)劃土地面積9.2平方公里,規(guī)劃總建筑面積420萬平方米,總投資約500億元。

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