e絡(luò)盟供貨安世半導體功率氮化鎵場效應晶體管，助力電動車、5G 和物聯(lián)網(wǎng)應用降低功率損耗

中國上海，2020年9月18日 – 全球電子元器件與開發(fā)服務分銷商e絡(luò)盟宣布供應安世半導體最新系列功率氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)。該創(chuàng)新系列GaN FET外形尺寸小，可實現(xiàn)高功率密度及高效率功率轉(zhuǎn)換，能夠以較低的成本開發(fā)出更高效系統(tǒng)，同時還可助力電動車、5G通信、物聯(lián)網(wǎng)等應用改進電源性能。隨著越來越多的立法提高碳排放減排要求，實現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換和更高的電氣化水平勢在必行。GaN FET這一創(chuàng)新系列為設(shè)計工程師提供了真正解決這些問題的有效方案。

GaN技術(shù)突破了硅基IGBT和SiC等現(xiàn)有技術(shù)的諸多局限，可為各種功率轉(zhuǎn)換應用帶來直接和間接的性能效益。在電動車領(lǐng)域，GaN技術(shù)可直接降低功率損耗，從而為汽車實現(xiàn)更長的行駛里程。同時，更高效的功率轉(zhuǎn)換還能降低使用冷卻系統(tǒng)進行散熱的需求，這有利于減輕車身重量并降低系統(tǒng)復雜性，繼而可實現(xiàn)更長的行駛里程，或是使用更小的電池達到相同的里程。 功率GaN FET也非常適用于數(shù)據(jù)中心、電信基礎(chǔ)設(shè)施及工業(yè)領(lǐng)域應用。

GaN FET系列可為各種方案應用提供卓越性能，包括AC-DC圖騰柱PFC硬開關(guān)應用、LLC移相全橋軟開關(guān)應用(諧振或固定頻率)、所有DC-AC逆變器拓撲以及使用雙向開關(guān)的AC-AC矩陣式轉(zhuǎn)換器等。

主要優(yōu)勢包括：

? 柵極驅(qū)動簡單、低 RDS(on)及快速開關(guān)

? 卓越的體二極管(低Vf)、低反向恢復電荷 Qrr

? 堅固耐用

? 低動態(tài) RDS(on)

? 開關(guān)性能穩(wěn)定

? 柵極驅(qū)動抗干擾性強 (Vth ~ 4 V)

Farnell及e絡(luò)盟全球半導體與單板計算機總監(jiān)Lee Turner表示：“安世半導體以其豐富多樣的創(chuàng)新半導體產(chǎn)品而享譽全球。我們很高興能夠引入安世半導體的功率GaN FET系列，以便進一步提升對客戶的支持服務。GaN是高效電源設(shè)計領(lǐng)域的前沿技術(shù)，此次引入的這些新產(chǎn)品將是未來創(chuàng)新物聯(lián)網(wǎng)、汽車和通信設(shè)計方案的關(guān)鍵組成部分?！?

為了支持尋求采用GaN FET技術(shù)的客戶，F(xiàn)arnell和e絡(luò)盟社區(qū)共同舉辦了一次網(wǎng)絡(luò)研討會，邀請了來自安世半導體的GaN國際產(chǎn)品營銷工程師Ilian Bonov“深入剖析”這項新技術(shù)。網(wǎng)絡(luò)研討會主題為 “采用安世半導體GaN FET設(shè)計高效、穩(wěn)定的工業(yè)電源”，全面介紹了安世半導體cascode技術(shù)的特點及其在軟硬開關(guān)拓撲中的應用優(yōu)勢，并分享了一項4kW圖騰柱 PFC案例研究。

客戶可通過Farnell(歐洲、中東和非洲地區(qū))、Newark(北美地區(qū)) 及e絡(luò)盟(亞太區(qū))購買安世半導體GaN FET系列產(chǎn)品。