意法半導體推出世界首款驅動與GaN集成產品,開創(chuàng)更小、更快充電器電源時代
· 世界首個單封裝集成硅基驅動芯片和GaN功率晶體管的解決方案
· 比硅基充電器和適配器尺寸縮小80%,減重70%,充電速度提高2倍
中國,2020年10月10日——橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST) 推出世界首個嵌入硅基半橋驅動芯片和一對氮化鎵(GaN)晶體管的MasterGaN®產品平臺,這個集成化解決方案將有助于加快下一代400W以下輕便節(jié)能的用于消費電子和工業(yè)充電器和電源適配器的開發(fā)速度。
GaN技術使電子設備能夠處理更大功率,同時設備本身變得更小、更輕、更節(jié)能,這些改進將會改變用于智能手機的超快充電器和無線充電器、用于PC和游戲機的USB-PD緊湊型適配器,以及太陽能儲電系統(tǒng)、不間斷電源或高端OLED電視機和云服務器等工業(yè)應用。
在當今的GaN市場上,通常采用分立功率晶體管和驅動IC的方案,這要求設計人員必須學習如何讓它們協(xié)同工作,實現(xiàn)最佳性能。意法半導體的MasterGaN方案繞過了這一挑戰(zhàn),縮短了產品上市時間,并能獲得預期的性能,同時使封裝變得更小、更簡單,電路組件更少,系統(tǒng)可靠性更高。憑借GaN技術和意法半導體集成產品的優(yōu)勢,采用新產品的充電器和適配器比普通硅基解決方案縮減尺寸80%,減重70%。
意法半導體執(zhí)行副總裁、模擬產品分部總經(jīng)理Matteo Lo Presti表示:“ST獨有的MasterGaN產品平臺是基于我們的經(jīng)過市場檢驗的專業(yè)知識和設計能力,整合高壓智能功率BCD工藝與GaN技術而成,能夠加快節(jié)省空間、高能效的環(huán)境友好型產品的開發(fā)?!?
MasterGaN1是意法半導體新產品平臺的首款產品,集成兩個半橋配置的GaN功率晶體管和高低邊驅動芯片。
MasterGaN1現(xiàn)已量產,采用9mm x 9mm GQFN封裝,厚度只有1mm。
意法半導體還提供一個產品評估板,幫助客戶快速啟動電源產品項目。
技術細節(jié):
MasterGaN平臺借用意法半導體的STDRIVE 600V柵極驅動芯片和GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)。9mm x 9mm GQFN薄型封裝保證高功率密度,為高壓應用設計,高低壓焊盤間的爬電距離大于2mm。
該產品系列有多種不同RDS(ON) 的GaN晶體管,并以引腳兼容的半橋產品形式供貨,方便工程師成功升級現(xiàn)有系統(tǒng),并盡可能少地更改硬件。在高端的高能效拓撲結構中,例如,帶有源鉗位的反激或正激式變換器、諧振變換器,無橋圖騰柱PFC(功率因數(shù)校正器),以及在AC/DC和DC/DC變換器和DC/AC逆變器中使用的其它軟開關和硬開關拓撲,GaN晶體管的低導通損耗和無體二極管恢復兩大特性,使產品可以提供卓越的能效和更高的整體性能。
MasterGaN1有兩個時序參數(shù)精確匹配的常關晶體管,最大額定電流為10A,導通電阻(RDS(ON)) 為150mΩ。邏輯輸入引腳兼容3.3V至15V的信號,還配備全面的保護功能,包括高低邊UVLO欠壓保護、互鎖功能、關閉專用引腳和過熱保護。