隨著社會的快速發(fā)展，我們的氮化鎵(eGaN)功率場效應晶體管也在快速發(fā)展，那么你知道氮化鎵(eGaN)功率場效應晶體管的詳細資料解析嗎?接下來讓小編帶領大家來詳細地了解有關的知識。
增強型硅基氮化鎵(eGaN)功率場效應晶體管和集成電路的全球領導廠商宜普電源轉換公司(EPC)最新推出的兩款100 V eGaN FET(EPC2218及EPC2204)，性能更高并且成本更低，可立即發(fā)貨。采用這些先進氮化鎵器件的應用非常廣，包括同步整流器、D類音頻放大器、汽車信息娛樂系統(tǒng)、DC/DC轉換器(硬開關和諧振式)和面向全自動駕駛汽車、機械人及無人機的激光雷達系統(tǒng)。
氮化鎵晶體管顯然對高速、高性能MOSFET器件構成了非常嚴重的威脅。氮化鎵上硅(GaN on Si)晶體管預計的低成本，甚至還有可能使IGBT器件取代它們在較低速度、650V，非常高電流電源應用中的統(tǒng)治地位。
EPC2218(3.2 mΩ、231 Apulsed)和EPC2204(6 mΩ、125 Apulsed)比前代eGaN FET的導通電阻降低了接近20%及提高了額定直流功率。與基準硅器件相比，這兩款氮化鎵器件的性能更高。
氮化鎵的答案是針對每個器件的大小制定漏電流限制。國際整流器(International Rectifier) 所示的典型漏電流600V級聯(lián)。這實現(xiàn)了每毫米柵極寬度50nA以下的漏電流。該器件必須在額定電壓及以上阻斷。
EPC2204的導通電阻降低了25%，但尺寸卻縮小了3倍。 與基準硅MOSFET器件相比，其柵極電荷(QG)小超過50%，并且與所有eGaN FET一樣，沒有反向恢復電荷(QRR)，從而使得D類音頻放大器可以實現(xiàn)更低的失真和更高效的同步整流器和電機驅動器。
簡單的級聯(lián)電路無法提供轉換速率(slew rate)控制，從而使PC板布局變得至關重要。此外，柵極驅動器的特性是部分地由封裝內部串聯(lián)的源極電感所控制的。
EPC首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow表示：“大家預計最新一代且性能優(yōu)越的100 V eGaN FET的價格會更高。但這些最先進的100 V晶體管的價格與等效老化器件相近。我們?yōu)樵O計工程師提供的氮化鎵器件的優(yōu)勢是性能更高、尺寸更小、散熱效率更高且成本相近。氮化鎵器件正在加速替代功率MOSFET器件?！?
以上就是氮化鎵(eGaN)功率場效應晶體管的有關知識的詳細解析，需要大家不斷在實際中積累經驗，這樣才能設計出更好的產品，為我們的社會更好地發(fā)展。
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