值得了解的新型200V n溝道MOSFET---SiSS94DN

在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達(dá)的今天，各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中，為我們的生活帶來便利，那么你知道這些高科技可能會含有的RDS(ON)導(dǎo)通電阻嗎?

TrenchFETa器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2。

傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號傳輸。

Vishay Intertechnology，Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新型200V n溝道MOSFET---SiSS94DN，器件采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封裝，10 V條件下典型導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的61 mΩ。同時，經(jīng)過改進(jìn)的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關(guān)應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)為854 mΩ*nC。節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN專門用來提高功率密度，占位面積比采用6mm x 5mm封裝相似導(dǎo)通電阻的器件減小65 %。

導(dǎo)通電阻還與開關(guān)的供電電壓有關(guān)，由圖3可以看出：RON隨著電源電壓的減小而增大，當(dāng)MAX4601的電源電壓為5V時，最大RON為8Ω;當(dāng)電源電壓為12V時，最大RON為3Ω;電源電壓為24V時，最大RON僅為2Ω。

日前發(fā)布的TrenchFET® 第四代功率MOSFET典型導(dǎo)通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低20 %，F(xiàn)OM比上一代解決方案低17 %。這些指標(biāo)降低了導(dǎo)通和開關(guān)損耗，從而節(jié)省能源。外形緊湊的靈活器件便于設(shè)計師取代相同導(dǎo)通損耗，但體積大的MOSFET，節(jié)省PCB空間，或尺寸相似但導(dǎo)通損耗高的MOSFET。

RON的存在會使信號電壓產(chǎn)生跌落，跌落量與流過開關(guān)的電流成正比，對于適當(dāng)?shù)碾娏?，這一跌落量處在系統(tǒng)容許的誤差范圍之內(nèi)，而要降低RON所耗費(fèi)的成本卻很高，因此，應(yīng)根據(jù)實(shí)際需要加以權(quán)衡。

器件經(jīng)過100 % RG和UIS測試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。

以上就是RDS(ON)導(dǎo)通電阻的一些值得大家學(xué)習(xí)的詳細(xì)資料解析，希望在大家剛接觸的過程中，能夠給大家一定的幫助，如果有問題，也可以和小編一起探討。