臺(tái)積電將于2022下半年開(kāi)始量產(chǎn)3nm芯片：或由蘋(píng)果首發(fā)

說(shuō)起臺(tái)積電，大家并不陌生，成立于1987年，是全球第一家專(zhuān)業(yè)積體電路制造服務(wù)(晶圓代工foundry)企業(yè)，在芯片制造工藝方面全球領(lǐng)先。2020年8月26日，臺(tái)積電(南京)有限公司總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球在2020世界半導(dǎo)體大會(huì)上表示，臺(tái)積電的5納米產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入批量生產(chǎn)階段，3納米產(chǎn)品將在2021年面世，并于2022年進(jìn)入大批量生產(chǎn)。

截至今年7月，臺(tái)積電已經(jīng)生產(chǎn)超10億顆7nm芯片，包括蘋(píng)果、華為在內(nèi)的全球幾十家公司都是臺(tái)積電的客戶(hù)。

據(jù)說(shuō)，如果不出現(xiàn)大意外的話(huà)，短期的未來(lái)幾年內(nèi)，臺(tái)積電的新工藝將由蘋(píng)果首發(fā)，沒(méi)華為什么事了。

據(jù)報(bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電將于2022下半年開(kāi)始量產(chǎn)3nm芯片，月產(chǎn)量預(yù)計(jì)5.5萬(wàn)片，2023年推高至10.5萬(wàn)片/月。從時(shí)間節(jié)點(diǎn)判斷，或許第一款手機(jī)處理器是蘋(píng)果A16。

3nm工藝是繼今年一季度量產(chǎn)的5nm工藝之后，臺(tái)積電又一代有重大提升的芯片制程工藝，在今年一季度和二季度的財(cái)報(bào)分析師會(huì)議上，魏哲家都有談到3nm工藝，他透露同5nm工藝相比，3nm工藝將使晶體管的密度提升70%，芯片的速度提升10%到15%，能效提升25%到30%。

3nm工藝是5nm工藝的自然迭代，相較于5nm工藝，3nm工藝可以減少25%~30%功耗、提升10%~15%性能。目前臺(tái)積電3nm芯片研發(fā)進(jìn)展順利，計(jì)劃在2021年試產(chǎn)，2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。臺(tái)積電在臺(tái)南科學(xué)園的雇員數(shù)目前為1.5萬(wàn)人，到3nm芯片量產(chǎn)時(shí)，將達(dá)到約2萬(wàn)人。

3nm工藝是繼今年一季度量產(chǎn)的5nm工藝之后，臺(tái)積電又一代有重大提升的芯片制程工藝，在今年一季度和二季度的財(cái)報(bào)分析師會(huì)議上，魏哲家都有談到3nm工藝，他透露同5nm工藝相比，3nm工藝將使晶體管的密度提升70%，芯片的速度提升10%到15%，能效提升25%到30%。

對(duì)于投產(chǎn)3nm，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音曾透露，量產(chǎn)時(shí)公司在臺(tái)南科學(xué)園的雇員數(shù)將達(dá)到約2萬(wàn)人，比當(dāng)前增加5000人左右。

回到工藝層面，3nm將實(shí)現(xiàn)15%的性能提升、30%的功耗下降以及70%的密度增加，ASML(阿斯麥)此前指出，3nm時(shí)代，EUV將超過(guò)20層，也就是鰭片(臺(tái)積電在3nm時(shí)代仍舊是FinFET鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和柵極都要引入EUV切割掩模。

而英文媒體最新的報(bào)道顯示，臺(tái)積電正在按計(jì)劃推進(jìn)3nm工藝在2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)，消息人士透露，臺(tái)積電為這一工藝在2022年下半年設(shè)定的月產(chǎn)能是5.5萬(wàn)片晶圓。

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在今年一季度及二季度的財(cái)報(bào)分析師電話(huà)會(huì)議上，臺(tái)積電CEO魏哲家透露他們的3nm工藝進(jìn)展順利，計(jì)劃在2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。

此外，值得一提的是，隨著量產(chǎn)時(shí)間的延長(zhǎng)，3nm工藝的產(chǎn)能也將提升，外媒在報(bào)道中就表示，3nm工藝月產(chǎn)能在2023年將提升至每月10萬(wàn)片晶圓。