大佬帶你看MPS MPQ20073存儲(chǔ)器終端調(diào)節(jié)器全方位解析
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一、MPQ20073存儲(chǔ)器終端調(diào)節(jié)器概述
MPQ20073 集成了 DDR 存儲(chǔ)器終端調(diào)節(jié)器,其輸出電壓(VTT)和緩沖 VTTREF 輸出為 VREF 的一半。VTT-LDO 為 2A 灌/拉電流跟蹤系統(tǒng)終端調(diào)節(jié)器。它專門設(shè)計(jì)用于低成本/少量外部元器件的系統(tǒng),這些系統(tǒng)對(duì)空間利用率要求很高。
MPQ20073 僅需 20μF(2x10μF)的陶瓷輸出電容便能維持快速瞬態(tài)響應(yīng)。MPQ20073 支持 Kelvin 采樣功能。MPQ20073 采用帶散熱焊盤的 8 引腳 MSOP 封裝。
二、輸入電容
取決于從電源到器件的走線阻抗,電源電流的瞬態(tài)增加主要由VDDQ輸入電容器的電荷提供。使用10μF(或更大)的陶瓷電容器提供此瞬態(tài)電荷。 隨著VTT使用更多的輸出電容,請(qǐng)?zhí)峁└嗟妮斎腚娙荨Mǔ?,使?/2 COUT作為輸入。
三、輸出電容
為了穩(wěn)定運(yùn)行,VTT輸出端子的總電容可以等于或大于20μF。并聯(lián)連接兩個(gè)10μF陶瓷電容器,以最大程度地減小ESR和ESL的影響。如果ESR大于10mΩ,則在輸出和VTTSEN輸入之間插入一個(gè)R-C濾波器,以實(shí)現(xiàn)環(huán)路穩(wěn)定性。R-C濾波器的時(shí)間常數(shù)應(yīng)幾乎等于或略低于輸出電容器及其ESR的時(shí)間常數(shù)。
四、VDRV電容器
在VDRV引腳附近放置一個(gè)介于1.0μF和4.7μF之間的陶瓷電容,以穩(wěn)定3.3V電壓,使其不受電源的任何寄生阻抗影響。
五、散熱設(shè)計(jì)
由于MPQ20073是線性穩(wěn)壓器,因此VTT電流在源極和吸收極兩個(gè)方向上的流動(dòng)都會(huì)產(chǎn)生器件的功耗。在源極階段,VDDQ和VTT乘以VTT電流之間的電勢(shì)差成為功耗,Psource =(VDDQ-VTT)x Isource在這種情況下,如果VDDQ連接到低于VDDQ電壓的備用電源,則功率損耗減少。對(duì)于灌電流階段,在內(nèi)部LDO穩(wěn)壓器上施加VTT電壓,功耗Psink為:
Psink = VTT x Isink
該設(shè)備不會(huì)同時(shí)吸收和吸收電流,并且吸收/吸收電流會(huì)隨時(shí)間快速變化。熱設(shè)計(jì)要考慮的實(shí)際功耗是上述值隨時(shí)間的平均值。另一個(gè)功耗是VDDQ電源用于內(nèi)部控制電路的電流。 該功率需要有效地從封裝中消散。
六、PCB布局指南
良好的PCB布局設(shè)計(jì)對(duì)于確保DDR電源控制器的高性能和穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。準(zhǔn)備PCB布局時(shí),必須考慮以下事項(xiàng):
1.所有大電流走線必須保持盡可能短和寬,以減少功率損耗。高電流走線是從輸入電壓端子到VDDQ引腳的走線,從VTT輸出端子到負(fù)載的走線,從輸入接地端子到VTT輸出接地端子的走線以及從VTT輸出接地端子到電源引腳的走線。 GND引腳。高電流走線的功率處理和漏電流可以通過(guò)在其他層中通過(guò)同一路徑布線相同的高電流走線并將它們與多個(gè)過(guò)孔連接在一起來(lái)改善。
2.為確保設(shè)備正常工作,應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的不同功能使用分開的接地連接。 VTT輸出電容器的接地應(yīng)先通過(guò)短走線連接到GND引腳,然后再連接到GND的接地層。輸入電容接地,VTT輸出電容接地,VDDQ去耦電容接地應(yīng)連接到GND平面。
3. 8引腳MSOP封裝的散熱墊應(yīng)連接到GND,以提高散熱性能。建議使用帶有1盎司或2盎司銅箔的PCB。
4.應(yīng)使用單獨(dú)的感測(cè)走線將VTT穩(wěn)壓點(diǎn)(通常是負(fù)載的本地旁路電容器)連接到VTTSEN引腳。
5.應(yīng)使用單獨(dú)的感測(cè)走線將VREF穩(wěn)壓點(diǎn)連接至VTTREF引腳,以確保VTT的基準(zhǔn)電壓精度。
6.如果將VDDQ用作VTT的源極電源,則VDDQ應(yīng)該以寬和短走線連接到VREF輸入。如果使用外部電壓源作為VTT的源極電源,則應(yīng)在VDDQ引腳附近添加至少10μF的輸入電容器,并旁路至GND。
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