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[導讀]隨著全球多樣化的發(fā)展,我們的生活也在不斷變化著,包括我們接觸的各種各樣的電子產(chǎn)品,那么你一定不知道這些產(chǎn)品的一些組成,比如太陽能電池。太陽能電池在多年前就已經(jīng)得到的發(fā)展,在生活的諸多方面,太陽能電池給我們帶來了諸多便利。我們都知道,太陽能電池的好處之一便是環(huán)保。為增進大家對太陽能電池的了解程度,本文將對太陽能電池的制作過程予以介紹。如果你對太陽能電池具有興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

隨著全球多樣化的發(fā)展,我們的生活也在不斷變化著,包括我們接觸的各種各樣的電子產(chǎn)品,那么你一定不知道這些產(chǎn)品的一些組成,比如太陽能電池。太陽能電池在多年前就已經(jīng)得到的發(fā)展,在生活的諸多方面,太陽能電池給我們帶來了諸多便利。我們都知道,太陽能電池的好處之一便是環(huán)保。為增進大家對太陽能電池的了解程度,本文將對太陽能電池的制作過程予以介紹。如果你對太陽能電池具有興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、太陽能電池

太陽能電池,也稱為“太陽能芯片”或“光電池”,是使用陽光直接發(fā)電的光電半導體片。 只要將其暴露在滿足某些照度條件的光線下,當存在環(huán)路時,它就可以立即輸出電壓并產(chǎn)生電流。 在物理學上,它稱為光伏(Photovoltaic,縮寫為PV),或簡稱為PV。 太陽能電池是通過光電效應或光化學效應將光能直接轉換成電能的裝置。 具有光電效應的晶體硅太陽能電池是主流,而具有光化學效應的薄膜電池的太陽能電池仍處于起步階段。

二、太陽能電池如何制作

1.硅片的切割和材料準備:在硅電池的工業(yè)生產(chǎn)中使用的單晶硅材料通常是通過坩堝Czochralski方法制成的太陽能級單晶硅棒。原始形狀為圓柱形,然后切成方形硅片(或多晶硅方形硅片),硅片的邊長通常為10?15cm,厚度約為200?350um,電阻率約為1Ωcmp-類型(摻硼)。

2.去除損壞的層:在硅晶片的切割過程中將產(chǎn)生大量的表面缺陷,這將引起兩個問題。首先,表面質(zhì)量差,并且這些表面缺陷將在電池制造過程中增加碎片的數(shù)量。因此,為了去除切削損傷層,通常使用堿或酸腐蝕,并且腐蝕的厚度為約10μm。

3.紋理化:紋理化是用酸或堿腐蝕相對光滑的原料硅晶片的表面,使其不均勻,粗糙,并形成漫反射,以減少直接在硅晶片表面上損失的太陽能。對于單晶硅,通常使用NaOH和酒精進行腐蝕。單晶硅的各向異性腐蝕用于在表面上形成無數(shù)的金字塔結構。堿液的溫度為約80度,濃度為約1至2%,并且蝕刻時間為約80度。大約15分鐘。對于多晶,通常使用酸蝕刻。

4.擴散結:擴散的目的是形成一個PN結。磷通常用于n型摻雜。由于固態(tài)擴散需要高溫,因此在擴散之前清潔硅晶片的表面非常重要??棙嫼蟊仨毲鍧嵐杈?,即,使用酸中和硅晶片表面上的堿殘留物和金屬雜質(zhì)。

5.邊緣蝕刻和清潔:在擴散過程中,在硅晶片的外圍表面上還形成了擴散層。外圍擴散層使電池的上下電極形成短路環(huán),必須將其除去。外圍的任何局部短路都會降低電池的并聯(lián)電阻,甚至成為廢品。目前,等離子干蝕刻用于工業(yè)生產(chǎn)中。在輝光放電條件下,氟和氧交替作用在硅上,以去除包含擴散層的外圍。擴散后進行清潔的目的是去除在擴散過程中形成的磷硅酸鹽玻璃。

6.沉積抗反射層:沉積抗反射層的目的是減少表面反射并增加折射率。 PECVD被廣泛用于沉積SiN,因為PECVD不僅會生長SiN作為抗反射膜,而且還會產(chǎn)生大量的原子氫。這些氫原子在多晶硅晶片上具有表面鈍化和整體鈍化的雙重作用。用于批量生產(chǎn)。

7.上下電極的絲網(wǎng)印刷:電極的制備是制備太陽能電池的關鍵步驟。它不僅決定了發(fā)射極的結構,而且還決定了電池的串聯(lián)電阻以及電池表面上被金屬覆蓋的區(qū)域。最初使用真空蒸發(fā)或化學電鍍技術,但現(xiàn)在通常使用絲網(wǎng)印刷方法,即通過特殊的打印機和模版將銀漿鋁漿(銀鋁漿)印刷在太陽能電池的正面和背面,以形成正負極引線。

8.共燒以形成金屬觸點:晶體硅太陽能電池需要印刷三遍金屬漿料。傳統(tǒng)工藝需要二次燒結以與金屬電極形成良好的歐姆接觸。共燒過程僅需要燒結一次,并且同時形成上下電極。歐姆接觸。在太陽能電池絲網(wǎng)印刷電極的生產(chǎn)中,鏈式燒結爐通常用于快速燒結。

9.電池片測試:完成的電池片經(jīng)過測試分檔進行歸類。

在研究設計過程中,一定會有這樣或著那樣的問題,這就需要我們的科研工作者在設計過程中不斷總結經(jīng)驗,這樣才能促進產(chǎn)品的不斷革新。

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