Intel全力押注EUV工藝?爭取首發(fā)下代高NA光刻機

Intel這幾年在工藝進度上落后跟10nm、7nm工藝多次跳票有關，而新工藝延期也跟Intel此前不考慮EUV工藝有關，所以10nm工藝才上了四重曝光，導致良率上不去，遲遲無法量產(chǎn)。

Intel之前認為EUV工藝不夠成熟，現(xiàn)在EUV光刻工藝已經(jīng)量產(chǎn)幾年了，Intel也開始跟進了，原先的7nm工藝、現(xiàn)在的Intel 4工藝會是全面使用EUV光刻機的開始，首款產(chǎn)品是Meteor Lake流星湖，2023年發(fā)布。

之后的Intel 3工藝、Intel 20A工藝上也會持續(xù)利用EUV工藝，進一步提升性能及能效。

再往后Intel還會積極跟進EUV技術發(fā)展，2025年之后的工藝已經(jīng)規(guī)劃到了Intel 18A，將使用第二代RibbonFET晶體管，EUV光刻機也會有一次重大升級。

Intel表示致力于定義、構建和部署下一代High-NA EUV，有望率先獲得業(yè)界第一臺High-NA EUV光刻機。

Intel目前正與ASML密切合作，確保這一行業(yè)突破性技術取得成功，超越當前一代EUV。

這就意味著Intel很有可能首發(fā)下一代EUV光刻機，NA數(shù)值孔徑從目前的0.33提升到0.5，這是ASML的NXE：5000系列，之前預計是在2023年問世，現(xiàn)在推遲到了2025-2026年，單臺售價預計將超過3億美元，差不多人民幣20億一臺。

Intel為了超越臺積電、三星重返半導體技術一哥，現(xiàn)在可以說是拼了老命了，對玩家來說這倒是好事，以往的帶頭大哥回來了。

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