存儲(chǔ)器相關(guān)問題匯總【SRAM】【DRAM】【SDRAM】【Flash】【EPROM】【EEPROM】

時(shí)間：2021-08-19 16:29:22

關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 SRAM SDRAM

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[導(dǎo)讀]1.（大疆2020芯片工程師A卷，單選）1個(gè)16Kx8位的存儲(chǔ)器，其地址線和數(shù)據(jù)線總和是（）A、46B、17C、48D、22答案：D解析：地址線：16K=1K*16=1024*16=(2^10)*(2^4)=2^14，即需要?14根地址線；數(shù)據(jù)線：8位數(shù)據(jù)需要8根數(shù)據(jù)線；所以一共...

1.（大疆2020芯片工程師A卷，單選）

1 個(gè) 16K x 8 位的存儲(chǔ)器，其地址線和數(shù)據(jù)線總和是（）

A、46

B、17

C、48

D、22

答案：D

解析：

地址線：16K = 1K*16 = 1024*16 = (2^10)*(2^4) = 2^14，即需要?14 根地址線；

數(shù)據(jù)線：8 位數(shù)據(jù)需要 8 根數(shù)據(jù)線；

所以一共需要?22?根線。

2. （樂鑫2021數(shù)字IC提前批，填空）

用2048x12的ROM芯片，最多能實(shí)現(xiàn)（）個(gè)輸入（）個(gè) 輸出的組合邏輯的數(shù)。

答案：11，12

解析：

2048=2^11，2048深度，是11位地址位，2048*12表示11位輸入地址、12位輸出數(shù)據(jù)（ROM只能輸出）。

3. （大疆2020芯片工程師A卷，多選）

下面哪些是非易失性存儲(chǔ)器（）

A、Flash

B、EPROM

C、DRAM

D、SRAM

答案：AB

解析：

（1）ROM（Read-Only Memory，只讀存儲(chǔ)器）只能讀出無法寫入信息。信息一旦寫入后就固定下來，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，所以又稱為固定存儲(chǔ)器。ROM所存數(shù)據(jù)通常是裝入整機(jī)前寫入的，整機(jī)工作過程中只能讀出。

可編程只讀存儲(chǔ)器（PROM）;

可擦可編程序只讀存儲(chǔ)器（EPROM）;

帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM，一般使用?IIC 接口讀寫）。

（2）RAM（Random Access Memory，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），而且速度很快，RAM在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時(shí)存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果，比如計(jì)算機(jī)的8G內(nèi)存，掉電丟失；

（3）SRAM（Static Random-Access Memory，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是 RAM 的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以保持；

（4）DRAM（Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），需要周期性地更新存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，所以叫“動(dòng)態(tài)”。

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SRAM 和 DRAM 比較：

SRAM 不需要?jiǎng)討B(tài)刷新，速度快，性能高，但是功耗大、集成度低，同時(shí)體積也比 DRAM 大，由此 SRAM 的造價(jià)更高。

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（5）SDRAM（Synchronous Dynamic Random-access Memory，同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存），是有同步接口（Synchronous）的 DRAM，系統(tǒng)讀寫能夠同步；

第一代 SDRAM 是 SDR 單數(shù)據(jù)速率，其后第二代 DDR SDRAM、第三代 DDR2 SDRAM、第四代 DDR3 SDRAM、第五代 DDR4 SDRAM 均為雙倍速率的存儲(chǔ)器，一般簡(jiǎn)稱 DDR。

DDR：Double Data Rate。

（6）Flash 存儲(chǔ)器，又叫閃存，非易失性存儲(chǔ)器件。結(jié)合 RAM 和 ROM 的優(yōu)點(diǎn)，既能電可擦除，不掉電丟數(shù)據(jù)（ROM），又能快速讀寫數(shù)據(jù)（RAM），U盤大部分使用的是 Flash 技術(shù)，所以你知道了，不丟數(shù)據(jù)，可讀可寫，還挺快，但是還是不如 RAM 快。

Flash 分 2 種：Nor Flash 和 Nand Flash。

Nand Flash	成本低，串行結(jié)構(gòu)，讀寫慢，可靠性差
Nor Flash	與上面相反

????很多 FPGA 也是基于 SRAM 架構(gòu)的，下載程序后運(yùn)行，而斷電后再次上電，需要重新下載程序。由此引出所謂的“固化”，即將程序下載到 EEPROM、Flash 等非易失性器件中，每次上電后從 EEPROM 或者 Flash 中加載對(duì) FPGA 的配置（bitstream），比如 Xilinx FPGA 常用 QSPI Flash、SD 卡等方式。

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