貿(mào)澤備貨Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT賦能4G和5G通信應用

2021年8月23日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨Qorvo® QPD0011高電子遷移率晶體管 (HEMT)。此碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 晶體管性能優(yōu)異，可為5G大規(guī)模MIMO、LTE和WCDMA系統(tǒng)中的蜂窩基站和射頻應用提供支持。

貿(mào)澤電子備貨的Qorvo QPD0011是一款非對稱雙路放大器，采用7.0 mm×6.5 mm小型DFN封裝。QPD0011具有30 W到60 W的可變輸入功率、+48 V的漏極電壓、3.3 GHz至.6 GHz的工作電壓，以及高達13.3 dB的增益，并能在Doherty設計環(huán)境中實現(xiàn)高達90 W的超高效信號峰值功率。

為了便于開發(fā)，Mouser還提供了配套的QPD0011EVB1評估板。此平臺包括一個示例應用電路，在與現(xiàn)有設計結(jié)合使用時可加快原型設計速度。QPD0011適用于宏蜂窩小區(qū)和微小區(qū)基站、有源天線以及非對稱Doherty設計等應用。