EPC公司的40 V eGaN?FET是需要高功率密度的電信、網(wǎng)通和計算解決方案的理想器件
EPC推出了40 V、1.3 m?的氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (eGaN® FET),器件型號為EPC2067,專為設(shè)計人員而設(shè)。EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠,適用于高性能且空間受限的應(yīng)用。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是增強型硅基氮化鎵功率晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者。新推的EPC2067(典型值為 1.3 mΩ、40 V)擴大了可選的低壓器件,可立即供貨。
EPC2067非常適合需要高功率密度的應(yīng)用,包括48 V-54 V輸入服務(wù)器。較低的柵極電荷和零反向恢復(fù)損耗可實現(xiàn)1 MHz及更高頻率的高頻操作、高效并在9.3 mm2 的微小占位面積內(nèi),實現(xiàn)高功率密度。
EPC公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow 表示:“EPC2067器件專為從40 V-60 V轉(zhuǎn)至12 V的LLC DC/DC轉(zhuǎn)換器的次級側(cè)而設(shè)計。與上一代40 V的GaN FET相比,這款40 V器件具有更高的性能和成本效益,從而讓設(shè)計師可以在更低的成本下,實現(xiàn)更高的效率和功率密度”。
開發(fā)板
EPC90138開發(fā)板的最大器件電壓為40 V、最大輸出電流為40 A,配備板載柵極驅(qū)動器的半橋器件,采用了EPC2067 eGaN FET。這款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm) 的電路板專為實現(xiàn)最佳開關(guān)性能而設(shè)計,并包含所有關(guān)鍵元件,讓工程師易于評估EPC2067器件。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強型氮化鎵(eGaN®)的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商,氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目標(biāo)應(yīng)用包括直流- 直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達(LiDAR)、用于電動運輸、機器人和無人機的電機驅(qū)動器,以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用。此外,宜普電源轉(zhuǎn)換公司繼續(xù)擴大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列,為客戶提供進一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。