本文將主要介紹用于電動汽車直流充電樁的超級結MOSFET和具成本優(yōu)勢的IGBT方案。
電動汽車充電級和里程
充電樁按充電能力分類，以處理不同的用例場景。一級充電樁是120 V、輸出15 A或20 A 的交流充電樁，每充電1小時增加約4至6英里里程。二級充電功率有3.3 kW、6.6 kW、9.6 kW、19.2 kW四種功率級別，適用于輸出電流分別達20 A、20 A、50 A、100 A的240 V交流電源插座。直流快速充電(DCFC)樁的輸入電壓為440 V或480 V，能在30分鐘內充到80%左右，用于公共充電樁。根據(jù)中國“一車一樁”計劃，電動汽車充電樁總數(shù)在2020年將達480萬個，電動汽車充電工程的450萬個總安裝量中將至少有200萬個是大功率直流充電樁，且2020年后其它國家也將增加電動汽車充電樁。安森美半導體主要提供DCFC方案。
圖1：電動汽車充電級和里程
電動汽車充電樁電源模塊系統(tǒng)趨勢
1. 增加輸出功率以節(jié)省充電時間
充電樁將由現(xiàn)在主流的60 kW、90 kW發(fā)展到將來的150 kW、240 kW，相應地充電樁電源模塊將由現(xiàn)在的15 kW、20 kW、30 kW提高到將來的40 kW、50 kW、60 kW，以縮短充滿電的時間。
2. 提高功率密度以節(jié)省空間
這可通過提高開關頻率Fsw以減少無源器件，并降低損耗以減少散熱器來實現(xiàn)。
3. 提高能效以節(jié)能
安森美半導體定位于將滿載能效從現(xiàn)在的95%提高到超過96%，超越能效法規(guī)。
4. 提高系統(tǒng)可靠性
這需要延長電解電容器使用壽命和確保在有塵、潮濕、熱、寒區(qū)域等戶外安裝的高可靠性。
超級結MOSFET的優(yōu)勢和使用趨勢
轉向零排放電動汽車等節(jié)能減排趨勢推動對中高壓MOSFET的需求增加。平面MOSFET的導通電阻Rds(on)和損耗較大。且根據(jù)擊穿電壓與面積成正比，要獲得更高的擊穿電壓需要更大面積的摻雜。超級結MOSFET能夠顯著降低導通電阻Rds(on)和門極電荷Qg。超級結MOSFET由于電荷平衡，在相同的摻雜下，面積是2倍，因此擊穿電壓也是兩倍，且擊穿電壓與導通電阻近似線性關系，從而顯著降低導通損耗和開關損耗。由于超級結MOSFET在快速開關應用中的能效和功率密度高，常用于高端應用。
電動汽車充電樁架構和安森美半導體的第3代超級結MOSFET方案
例如，210 kW 電動汽車充電點由14個15 kW模塊組成，每個15 kW的電池充電器模塊都是由3相交流380 V輸入，經(jīng)過3相Vienna 功率因數(shù)校正(PFC)后，電壓升高到800 V直流電壓，再經(jīng)過高壓DC-DC輸出250 V至750 V直流電壓。
圖2：電動汽車充電樁架構
其中，3相Vienna PFC可選用安森美半導體的第3代超級結MOSFET (SUPERFET III)的易驅動(EASY Drive)/ 快速(FAST)系列，多級LLC可選用SUPERFET III 快速恢復(FRFET)系列。EASY Drive系列可內部調節(jié)門極電阻Rg和寄生電容，有極低的EMI和電壓尖峰，適用于硬/軟開關。FAST系列有減小的門極電荷Qg和輸出電容儲存能量Eoss，低開關損耗，高能效，適用于硬開關拓撲。FRFET系列集成一個高度優(yōu)化的快恢復二極管，具有超低Qrr和Trr，最小化開關損耗并提高系統(tǒng)級可靠性，適用于軟/硬開關拓撲。
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