一種低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計方案
因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連,或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個三端設(shè)備。由于未來CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會遠低于現(xiàn)有標準,于是采用襯底驅(qū)動技術(shù)進行模擬電路設(shè)計就成為較好的解決方案[1].襯底驅(qū)動技術(shù)的原理是:在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓,以形成反型層,輸入信號加在襯底和源極之間,這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開。襯底驅(qū)動MOS晶體管的原理類似于結(jié)型場效應(yīng)晶體管,也就是一個耗盡型器件,它可以工作在負、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導(dǎo)電溝道)相連的耗盡層厚度,通過MOS晶體管的體效應(yīng)改變襯底電壓就能調(diào)制漏極電流。
應(yīng)用襯底驅(qū)動技術(shù)建立一些基本的模擬電路標準模塊,通過舉例來說明襯底驅(qū)動技術(shù)在模擬電路設(shè)計中的使用。
1 簡單和增強型襯底驅(qū)動電流鏡
簡單的襯底驅(qū)動電流鏡結(jié)構(gòu)即本文提出的低電壓電流鏡如圖1(b)所示,這種電流鏡用襯底-漏極連接代替?zhèn)鹘y(tǒng)簡單電流鏡結(jié)構(gòu)里的柵極-漏極連接[3].當然,M3和M4通過襯底連接而不是柵極,而N型MOS管M3和M4的柵極應(yīng)施加一個合適的正向偏置電壓。
這種簡單襯底驅(qū)動電流鏡的缺陷是輸入輸出電流呈非線性,這是由于在柵極驅(qū)動電流鏡中輸出晶體管M4工作在飽和狀態(tài)[4].為了解決這個問題,使用了一種替代配置,如圖1(c)。晶體管M7被作為一個二極管,連接在M5和M6這兩個晶體管的柵極和襯底之間。M7被當做簡單的電壓源使用,當輸入電流Iin為零時晶體管M6工作在飽和狀態(tài)而M5則不會。一旦輸入電流開始增大時,增強型襯底驅(qū)動電流鏡中晶體管M5就會比簡單襯底驅(qū)動電流鏡中的M3早進入飽和狀態(tài),因此具有更好的線性度。由于這樣連接可以同時驅(qū)動?xùn)艠O和襯底端,流過M7的偏置電流Ibias被計入輸入Iin.為了避免在輸入電流和輸出電流之間產(chǎn)生額外的偏移,偏置電流Ibias必須遠遠小于輸入電流Iin.圖2是圖1中電流鏡模型的仿真結(jié)果,它表明襯底驅(qū)動增強型電流鏡的輸入輸出傳輸特性比簡單的襯底驅(qū)動電流鏡具有更好的線性度,其線性度幾乎和柵極驅(qū)動電流鏡一樣。從圖2中同樣可以看出簡單的襯底驅(qū)動電流鏡和增強型電流鏡的輸入電壓遠低于傳統(tǒng)的柵極驅(qū)動電流鏡。
2 襯底驅(qū)動跨導(dǎo)運算放大器
基于襯底驅(qū)動技術(shù)的跨導(dǎo)運算放大器的結(jié)構(gòu)如圖3所示,由兩級構(gòu)成[5-6],第一極由襯底驅(qū)動差分級構(gòu)成,此差分級以PMOS設(shè)備M1、M2作為輸入,電流鏡M3、M4作為主動負載;第二極是一個簡單的CMOS到相級,它以M6作為驅(qū)動管M7作為主動負載。依靠補償電容CC和電阻Rc差分級的輸出端和輸入端連接在一起,在第二級中補償電容實際作為密勒電容使用。
通過提供足夠的柵源電壓值使場效應(yīng)管導(dǎo)通,襯底驅(qū)動MOS晶體管即以耗盡型器件的原理工作,通過施加在襯底端的輸入電壓調(diào)制流經(jīng)晶體管的電流,完成采用襯底驅(qū)動輸入晶體管的跨導(dǎo)運算放大器設(shè)計,電路結(jié)構(gòu)如圖3所示,仿真結(jié)果如表1所示。
3 襯底驅(qū)動電流差分跨導(dǎo)放大器
電流差分跨導(dǎo)放大器是一種新型主動型器件,是基于襯底驅(qū)動的電流差分跨導(dǎo)放大器[7].如圖4所示,它適合設(shè)計大規(guī)模集成電路模塊。由兩個圖5所示襯底驅(qū)動電流傳輸器和一個圖3所示襯底驅(qū)動跨導(dǎo)運算放大器(雙輸出DO-跨導(dǎo)運算放大器)構(gòu)成實現(xiàn)。電流傳輸器連接作為電流差分單元,電流流入上面電流傳輸器的Z+端,電流Ip流入下面電流傳輸器的Z-端但與Z+端電流方向相反。這就解釋了電流差分跨導(dǎo)放大器流進Z端的電流是由差分電流Ip和In提供的。電路及其仿真結(jié)果如圖4和表2所示。
結(jié)語
本文研究了襯底驅(qū)動MOS管技術(shù)和運用這一技術(shù)進行低電壓低功耗模擬電路設(shè)計的方法,并且運用這種技術(shù)設(shè)計低電壓低功耗襯底驅(qū)動跨導(dǎo)運算放大器和電流差分跨導(dǎo)放大器。經(jīng)過仿真分析,得出襯底驅(qū)動晶體管的優(yōu)點是:電路的功率消耗比較低;設(shè)計簡單和可接受的電路特性;能夠避開閾值電壓要求的耗盡特性;傳統(tǒng)的前端門可用于調(diào)制襯底驅(qū)動MOS晶體管。襯底驅(qū)動晶體管的缺點是:(1)其跨導(dǎo)遠小于傳統(tǒng)的柵極驅(qū)動MOS管,這可能會導(dǎo)致跨導(dǎo)運算放大器的增益帶寬乘積偏低;(2)其電極與工藝相關(guān),一個CMOS工藝的P(N)阱,只有N(P)的溝道的襯底驅(qū)動MOS管是有效的。